低温退火磷吸杂工艺对低少子寿命铸造多晶硅电性能的影响

本文针对低少子寿命铸造多晶硅片进行试验, 通过一种将多温度梯度磷扩散吸杂工艺与低温退火工艺结合的新型低温退火吸杂工艺, 去除低少子寿命多晶硅片中影响其电性能的Fe杂质及部分晶体缺陷, 提高低少子寿命多晶硅所生产的太阳电池各项电性能. 通过低温退火磷扩散吸杂工艺与其他磷扩散吸杂工艺的比较, 证明了低温退火吸杂工艺具有更好的磷吸杂和修复晶体缺陷的作用. IV-measurement发现经过低温退火工艺处理后的低少子寿命多晶硅, 制备的太阳电池光电转换效率比其他实验组高0.2%, 表明该工艺能有效地提高低少子寿命多晶硅太阳电池各项电性能参数及电池质量. 本研究结果表明新型低温退火磷吸杂工艺可将低少子寿命硅片应用于大规模太阳电池生产中, 提高铸造多晶硅材料在太阳能领域的利用率, 节约铸造多晶硅的生产成本. 关键词： 低温退火 磷吸杂 低少子寿命多晶硅 太阳电池     

西南少数民族地区中小城市社区体育环境研究——以湖南省吉首市为个案

西南少数民族地区的经济发展和社会的进步需要社区体育,而且也为社区体育的发展提供了经济基础;数千年积淀的民族体育精神为该地区当代社区体育的发展提供了肥沃的土壤.但制度环境的缺失是制约该区域社区体育发展的最大瓶颈,只有加强制度建设才能使该区域城市社区体育适应当地的城市协调发展.     

晶硅掺镓抑制太阳电池光致衰减效应的研究

采用掺镓晶硅和掺硼晶硅制备的寿命片和太阳电池片分别进行光致衰减实验,用WT-2000少子寿命测试仪和Halm电池电学性能测试仪等研究了它们受光照前后少子寿命和电学性能的变化.发现掺镓单晶寿命片的少子寿命衰减率比掺硼单晶寿命片低50;左右,掺镓单晶PERC电池和掺镓多晶常规电池转换效率的衰减率比掺硼单晶PERC电池和掺硼多晶常规电池分别降低3.41;和0.92;.这些结果表明晶硅太阳电池的光致衰减效应主要是晶硅中少子寿命降低导致的,晶硅掺镓后能有效抑制太阳电池的光致衰减现象.     

网络少数民族医学信息资源的整合与利用

介绍了网络少数民族医学信息资源的现状及对中国少数民族医学信息资源进行整合的必要性,并探讨了对网络少数民族医学信息资源进行整合与利用的方式。     

少子寿命和表面形貌与多孔硅发光性能的关系

研究了不同时间腐蚀的多孔硅的光致发光性能与多孔硅的表面形貌和少子寿命之间的关系。结果表明,多孔硅的发光来自与氧空位有关的缺陷,而多孔硅表面的氢原子能够钝化多孔硅表面的非辐射中心从而提高多孔硅的发光效率。多孔硅的空隙度随腐蚀时间的延长而增大,这也导致了多孔硅的少子寿命的降低,从而造成多孔硅的光致发光效率随多孔硅空隙度的增大以及少子寿命的降低而提高。另外,原子力显微照片表明长时间的腐蚀使多孔硅表面层被化学腐蚀,从而降低了多孔硅表面的粗糙度。     

铸造多晶硅的吸杂

吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段.比较了在800℃、900℃和1 000℃条件下经2 h的磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂处理后的多晶硅少子寿命、电性能差异.实验结果表明,磷铝共吸杂少子寿命的增加比仅用磷、铝单独吸杂都明显,但3种吸杂方式对太阳电池电性能都没太大影响;同时发现退火到700℃的热处理并不能有效地改善磷吸杂效果.     

民族地区县级图书馆地方文献建设刍议

阐述了民族地区地方文献资源建设的意义,分析了民族地方文献资源建设中存在的不足,探讨了新时期民族地方文献资源建设的有效途径,以期为地方民族文化研究和地方经济社会发展提供信息支持,推动我国民族地区县级图书馆不断发展。     

pn结太阳电池饱和电流密度的理论研究

为提高太阳电池的开路电压Vac和效率η,必须减小饱和电流Jo,据此,对影响Jo的各种因素进行了研究,推导了更为普遍的有限尺寸条件下太阳电池的表面复合速度和少子加速场对Jo影响的表达式,并且对两者的影响进行了数值模拟,直观地得出了以下结论：在保证消除重掺杂效应带来不良影响的条件下,增大发射区少子漂移场强,可减小,Jo,提高电池Vco;减少电池的表面复合速度,能提高电池的性能。     

论湖北民族地区传统文化的政府保护

民族地区政府应充分利用政府行为推动民族传统文化知识产权保护立法,实现传统文化的法制化保护.应采取行政措施抢救,传承,开发,创新,发展民族传统文化,同时,民族地区政府作为民族传统文化权利主体的法定代表,应对他人的侵权行为行使救济权,维护民族传统文化权利主体利益.     

西部民族地区高校新闻传播教育发展探析

章通过对西部民族地区新闻传播教育发展的探讨，认为西部民族地区高校办学条件较差，规模和实力还显薄弱，在发展新闻教育中要发挥民族优势，树立大新闻教育观，切实抓好基础教育，打破地域观，挑战市场，以促进民族地区新闻传播教育的发展。