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991.
Max Karoubi 《K-Theory》1994,8(2):153-211
Résumé L'objet de cet article est de montrer comment laK-théorie multiplicative peut être utilisée pour définir de nouvelles classes caractéristiques secondaires de fibrés vectoriels munis de structures supplémentaires, dans des contextes géométriques variés. On y développe des exemples reliés à des travaux antérieurs divers.
The purpose of this paper is to show how multiplicativeK-theory may be used to define new secondary characteristic classes for vector bundles with additional structures, in various geometrical contexts. Many examples are developed which are related to previous works.相似文献
992.
双轴晶体主平面上倍频的相位匹配参量 总被引:1,自引:0,他引:1
根据折射率椭球方程及双光轴晶体中光波的传播与偏振特性,分析双轴晶体在主平面内激光倍频相位匹配的特性与方法,导出光波在主平面上传播时倍频的相位失配关系;给出双轴晶体中容许相位匹配倍频的相位匹配角及混频的有效非线性系数deff的表达式。利用可相位匹配的类型、相位匹配角公式和有效非线性系数deff表达式的表,容易对任意一具体晶体在一给定波长求出实际能实现相位匹配的类型或偏振组合,算出相位匹配角,比较不同的相位匹配类型或偏振组合的有效非线性系数,选择最佳的相位匹配类型与方向。从相位失配关系可以计算晶体主平面内倍频的接收角、接收光谱宽度等特性参量。 相似文献
993.
994.
In this paper, the p-ranks and characteristic polynomials of cyclic difference sets are derived by expanding the trace expressions of their characteristic sequences. Using this method, it is shown that the 3-ranks and characteristic polynomials of the Helleseth–Kumar–Martinsen (HKM) difference set and the Lin difference set can be easily obtained. Also, the p-rank of a Singer difference set is reviewed and the characteristic polynomial is calculated using our approach. 相似文献
995.
超快光电半导体开关的最大重复工作频率由关断特性决定,而影响关断特性的因素很多。基于超快光电半导体开关的大量实验,分析了影响关断特性的主要因素和次要因素,认为关断特性主要取决于载流子的寿命、载流子的漂移速度、深能级陷阱作用,其中,载流子寿命是最重要的因素。触发光参数及光电耦合关系、电极工艺、电路参数对关断特性有一定影响。 相似文献
996.
997.
林良裕 《厦门大学学报(自然科学版)》1997,(4)
在Cn空间中由任意N个超球构成的球垒域D上,建立具有有限离散全纯核的Bachn-er-Leray积分公式,并获得方程=g的整体解及其一致估计. 相似文献
998.
连续调制光热辐射测量技术的三维理论模型 总被引:7,自引:1,他引:6
建立了连续调制光热辐射测量(PTR)的三维理论模型.理论值与实验结果符合良好,成功地解释了-维模型不能说明的结果. 相似文献
999.
介绍了Flash存储器K9F5608U0C和SST39VF160的特性,给出了微处理器LPC2214与它们的硬件连接电路图,以及对它们进行读、写、擦除等操作的应用软件. 相似文献
1000.
任致美 《太原科技大学学报》1989,10(1):75-80
电阻、电容、电感是电路的三个基本元件,为了便于分析和计算电路,在一定条件下对实际元件加以理想化,而理想元件可用数学式精确加以定义,即数学模型.伏安特性是描述电器元件的很重要特性.电阻的数学模型和伏安特性一致,这种元件的电路响应和激励关系是“即时”的,故为非记忆元件.电容、电感的数学模型和伏安特性不同,这两种元件的电路响应和激励关系是“非即时”的,故为记忆元件.本文进一步分析了不同元件电路中电压和电流的关系提供了更可靠的依据,为研究复杂电子电路打下基础. 相似文献