连续CO2激光对红外窗口材料损伤研究

研究了连续ＣＯ２激光对几种红外窗口材料的表面损伤特性，研究表明，损伤机制在于杂质缺陷吸收造成的热冲击应力破坏。深入研究了杂质缺陷密度、焦斑与材料损伤阈值的关系，并建立了一个损伤模型。同时分析了热冲击应力破坏方式。     

象面全息无损检测的实验研究

本文对象面全息无损检测方法进行了实验研究,结果表明该方法可用白光再现;同时,对于小缺陷可进行放大成象,从而提高了对小缺陷的判别精度。     

引力场中的质量亏损效应

利用Hellings-Nordtvedt理论,我们得到了一类荷磁天体(含宇宙常数)的引力场中质量亏损效应的表达式。通过讨论这些表达式中的参数，我们得到了在不同条件下的质量亏损表达式。这些结果对于天体形成过程中能量辐射机制的研究是有意义的。     

载能团簇离子在物质中的能量损失

实验表明,团簇离子在物质中的能量损失并不等于各成分单独作用的总和,而是具有非线性效应．这种非线性效应与团簇离子的能量、团簇的种类和大小、团簇成分之间的空间关联程度以及作用物质的结构有关．对团簇作用的非线性效应研究对于了解团簇与物质相互作用的机制具有非常重要的理论意义．MeV能区的团簇离子在物质中的非线性电子能损和核能损方面的直接实验数据还相当缺乏,其理论模型也更待建立．评述了载能团簇离子在物质中的能量损失及测量方法．Fast ions deposit energy in matter through electronic and nuclear collision processes. The relaxation of the deposited energy induces emission of photons, electrons, ions, and neutral species from the target. Comparing with single incident ion, cluster induces many new phenomena: such as non-linear energy loss, non-linear emission of secondary ions, production of giant tracks and craters in various irradiated materials. These new phenomena induced by clusters are attributed to the vicinage effect ......     

最弱受约束电子势模型下PbⅡ离子Rydberg态能级研究

在最弱受约束电子势模型理论框架下,通过对最弱受约束电子的识别,将Martin关于单价原子量子亏损的公式推广到了多价原子(离子)系统.本文依此计算了PbⅡ离子的几个Rydberg系列能级,结果与实验值符合较好.     

类锂离子(Z=11～20)32D-n2F偶极跃迁的振子强度

利用全实加关联方法得到的波函数计算类锂离子(Z=11～20)1s23d-1s2nf(4≤n≤9)的偶极跃迁振子强度,三种规范下的计算结果符合的很好.将分立态的振子强度结果与单通道量子亏损理论相结合,计算在电离阈附近(|E|≤I/2)分立态间的束缚态-束缚态跃迁振子强度与束缚态-连续态跃迁的振子强度密度,实现了具有较大核电荷数的类锂离子量子跃迁特性的全能域理论预言.     

类氢及碱金属原子激发态寿命的半经典计算公式

根据对应原理,得到了类氢原子能态平均寿命半经典的计算公式τ(n,l),然后利用相对论单通道量子数亏损理论进行推广,得到用来计算考虑总角动量J的激发态寿命公式τ(n,l,l+1/2)和τ(n,l,l-1/2),利用单通道量子数亏损理论得到了碱金属原子n、l远大于1时激发态寿命的半经典公式τ(n.l)=τ0(m+M/nm/v/+M)2v7l(l+1/2)/n4,其计算结果和实验数据符合的很好.     

超高介电常数非铁电单晶

关键词：     

拓扑缺陷的不同分布对单壁碳纳米管电学性能的影响

在紧束缚近似基础上,利用扩展的Su-Schriffer-Heeger(SSH)模型,在实空间研究了在完整的"zigzag"碳纳米管中分别引入5/7,5/6/7,5/6/6/7拓扑缺陷所构成的(9,0)-(8,0),(9,0)-(7,0)和(9,0)-(6,0)三种异质结的电学性能.通过研究表明:这些拓扑缺陷不仅改变碳管的直径,而且支配费米能级附近的电学行为.并计算了(9,0)-(8,0),(9,0)-(7,0)和(9,0)-(6,0)系统的电子态密度,对这3种异质结的能带结构和电子态密度进行了比较.结果表明:五边形和七边形在碳管中分布的不同对碳管电学性能的影响明显不同.因此,可以研制出基于这些异质结的不同的电子器件基元.     

相干滤波成像系统测量光学元件表面疵病

本文利用相干高通滤波成像系统对光学元件表面疵病进行了测量 ,提出了等效疵病面积的概念及计算公式 ,由等效疵病面积可计算出与 GB1185 - 89对应的疵病等级 J。实验装置的分辨率为 10μm,并具有可靠的表面疵病等级评价