纳米结构V2O5薄膜的溶胶凝胶制备与特性研究

采用溶胶 -凝胶技术 ,以V2 O5粉末为原材料制备了纳米结构的V2 O5薄膜 .使用椭偏仪、X射线衍射仪(XRD)、红外分光光度计 (FTIR)、电化学分析、原子力显微镜 (AFM)等方法研究了V2 O5薄膜的特性 .实验结果表明 :薄膜具有纳米多孔结构 ;热处理使得薄膜致密 ,折射率提高 ,薄膜结晶 .红外吸收测量揭示了刚制备的薄膜中钒以 4价离子为主 ,高温热处理后形成 5价钒离子 ,相应出现了V2 O5特征吸收峰 .这种结构的薄膜具有很好的锂离子注入 /退出可逆性和很高的离子注入容量 ,可用作锂离子电池的高性能阴极材料 .     

纳米双相钕铁硼永磁合金的织构及磁畴

为开发纳米复合永磁材料高磁能积的潜力,用熔体快淬法制备各向异性的纳米双相快淬带。X光衍射结果表明,Nd9Fe85-xNbxB6(x=0,0.5,1.0)快淬带中存在垂直于带面的Nd2Fe14B[00L]织构,其自由面上的织构强于贴辊面。x=1.0时,在15m.s-1的快淬速度下的择优取向度为94%。磁力显微镜观察表明晶粒间存在强烈的交换耦合作用。x=0.5时的快淬带具有较强交换耦合作用及高织构度,因此具有最佳磁性能。其剩余磁极化强度为1.130T,内禀矫顽力为519.8kA.m-1,最大磁能积为121.2kJ.m-3。     

复杂应力状态下的饱和体本构模型及内力变化

水的力学作用和化学物理作用的交错影响,使得坝基软岩软化和受力更为复杂,也使一般固体线弹性本构模型不再适用。该文介绍了饱和体抗拉试验,对试验结果进行拟合,用试验验证了本构曲线受拉区的合理性。构建了复杂应力状态下饱和体本构模型,实现了复杂应力饱和体计算的有限元算法,并验证了算法的可行性和收敛性。根据新构建的本构模型和算法,给出了相应的三维有限元计算程序,其计算算例的结果验证了本构模型的合理性和算法的正确性。     

相变储热在建筑节能中的应用

相变储热技术是利用低品位能源 ,实现建筑节能的重要途径。综述了可用于建筑节能的相变储热材料和相变储热技术 ,并提出了这一技术领域内近期需要研究和解决的问题     

变频电机绝缘材料破坏机理的探讨及新型绝缘材料的制备

对变频电机中电磁线绝缘材料过早破坏机理的研究现状进行了总结，并对影响变频电机电磁线绝缘材料寿命的最主要的影响因素进行了讨论．通过纳米材料改性制备了一种新型绝缘材料，改善了电磁线的耐电晕性能，提高了电磁线的耐变频寿命．     

太阳能集热铜片与铜管的超声波缝焊技术

研究了太阳能集热铜片和铜管的超声波缝焊机理，认为焊缝是由焊接界面金属原子之间的相互扩散，接触峰点之间的相互熔焊及焊缝界面金属之间的机械嵌合共同作用形成的，同时对焊接过程中材料硬度及焊接参数对拉伸强度的影响进行了试验研究。     

蒸馏水润滑下Si3N4—白口铸铁摩擦面上表面膜的分析

在环－块磨损试验机上考察了蒸馏水润滑下Ｓｉ３Ｎ４分别与白口铸铁和碳钢（作对比用）配副的摩擦磨损特性．在ＳＥＭ下观察了白口铸铁磨面表面膜的形成过程，用ＸＰＳ、ＦＴＩＲ和ＸＲＤ分析了表面膜的成分、组成与结构，并对其形成机理进行了探讨．结果表明，Ｓｉ３Ｎ４在水润滑下摩擦时磨面上发生了氧化和水解反应：当Ｓｉ３Ｎ４与白口铸铁配副时，由于铸铁中碳化物的剥落而形成剥落坑，Ｓｉ３Ｎ４磨屑嵌入剥落坑并氧化和水解，其反应产物富集于剥落坑中，脱水聚合后形成硅胶，从而在磨面形成具有一定厚度和面积的含硅胶的表面膜，表面膜的形成保护了陶瓷和铸铁磨面，使其变得很光滑，从而使摩擦系数降至０．０２，并使系统磨损率几乎接近于零；当Ｓｉ３Ｎ４与碳纲配副时，由于碳钢没有能力富集Ｓｉ３Ｎ４的氧化和水解产物，故磨面不能形成有效的表面膜，所以其摩擦系数仍然较高，且系统磨损率亦较大     

论高炉精料

提出高炉精料应考虑铁矿石、焦炭及合理的炉料结构三个方面。对铁矿石精料的要求八字诀是：“高、熟、稳、好、少、净、匀、小”；对焦炭精料要求的四字诀是：“高、低、少、好”。并认为今后应更加重视铁矿石及焦炭的热态冶金性能。     

B_4C在铁基摩擦材料中的作用及机理

通过X射线衍射相分析、光电子谱分析及金相分析等手段，对B4C在铁基摩擦材料中的作用及机理进行了研究，结果表明，B4C在铁基摩擦材料加压烧结过程中能与铁发生反应，生成一种新相Fe2B．在摩擦磨损过程中，加入的B4C并没有直接起到摩擦组元的作用，而是通过生成的Fe2B起作用．在一般负荷工作条件下，Fe2B主要起摩擦组元的作用；在重负荷工作条件下，Fe－Fe2B共晶体起润滑组元的作用．     

电磁复合铸造新工艺

电磁复合铸造新工艺曹志强金俊泽（大连理工大学铸造工程研究中心１１６０２４）关键词：电磁成型；复合材料；连续铸造分类号：ＴＧ２４９．７由于电磁搅拌技术不和液态金属接触，无污染，在连续铸钢过程中得到普遍采用，主要用于二冷区的晶粒细化〔１、２〕．但该技术...