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81.
在对管流与环缝入流的管内合流特性完成等温速度场实验研究的基础上,以对应一致的实验条件,实测了时均浓度分布,紊流正应力和紊流切应力分布.结果证明:浓度分布有与速度分布相一致的变化趋势和规律,但合流后截面上浓度均匀化比速度均匀化慢;合流动量相交产生附加雷诺应力,并决定合流后速度分布和浓度分布的均匀化进程.为建立系统的化学反应流动规律提供基础.  相似文献   
82.
介绍铌材超导腔的研制进展,重点讨论了国产铌腔的材料改性,以及相应的超导腔性能的改进.叙述了1.5GHz铌腔的腔形设计,分析了铌材的射频性能和机械性能,制定了铌腔制作与后处理的特定工艺.最后给出了1.5GHz铌材超导腔的低温实验结果.  相似文献   
83.
本文对固流耦合效应的基本概念、基本原理进行了简单介绍。并对采动影响下邻近煤层、岩层的瓦斯向本层采空区的流动规律,以及煤和瓦斯突出的机理和发生的理论,分别作为固流耦合效应的两类不同问题进行了研究.同时提出了今后进行进一步研究的看法。  相似文献   
84.
本文简单地叙述了锥体棱镜两种加工工艺。重点介绍直接成型法加工中对角度误差~1″的控制。并提出了角度超差零件返修时的光胶方法。  相似文献   
85.
本文讨论了偶应力两层流体通过带有柔和狭窄的刚圆管时的流动特性,导出了速度、流量、阻抗和壁面最大剪应力的解析式,考察了外围层粘度和厚度的效应,并作了数值计算;是对单层偶应力流体狭窄流动及两层牛顿流体(粘度不同)狭窄流动的推广。  相似文献   
86.
应用本文所提出的公式可计算地层的初始应力和由开挖引起的洞周位移。预报公式所需要的计算数据是一组相邻测点之间的量测位移,这可通过隧洞的施工监控量测而得到。在推导这些预报公式时,著者先应用一系列的有限元和无限元等数值计算方法来模拟洞室的开挖,从而得到大量的“观测数据”。然后综合应用自动回归和解析方法,建立了实用的计算公式。这些公式使用简便且具有良好的精度。  相似文献   
87.
A one-dimensional kinetic Ising model with Glauber dynamics subjected to a slow continuous quench to zero temperature is studied. For a rather general class of cooling schemes, described by a time-dependent temperatureT(t), the mean domain sizeL(t) is calculated along with the residual energye res (r) as a function of the cooling rater. If the attempt frequency =0 exp(–/kT), entering into the transition rates, is temperature dependent (i.e., the barrier is non-zero), the asymptotic growth ofL(t) is given byL()–L(t)~exp[–/kT(t)]. For this case the residual energy exhibits a power-law behaviore res(r) ~r /2(1 + ) forr small, where =4J/ andJ is the nearest neighbor coupling constant. For =0 and for certain cooling schemes the residual energy is zero andL(t)~t1/2, independent ofr.  相似文献   
88.
采用Gleeble-1500热模拟机测定了不同含量的残余元素锡、锑及稀土镧对低氧、低硫的34CrNi3Mo钢热塑性的影响;采用SEM及EDS手段研究了稀土镧对不同锡、锑含量的钢断裂方式的影响及在其中形成夹杂物的情况。结果表明,用稀土金属可以改善低氧、低硫钢中残余元素对钢性能的危害;镧可以和钢中较低含量的锑作用生成镧锑金属间化合物,并且发现了少量的镧锡金属间化合物。  相似文献   
89.
Indium tin oxide (ITO) thin films were deposited by mid frequency pulsed dual magnetron sputtering using a metallic alloy target with 10 wt.% tin in an atmosphere of argon and oxygen. The aim of the work was to study the interdependence of structural, electrical and optical properties of ITO films deposited in the reactive and transition target mode, respectively. The deposition rate in the transition mode exceeds the deposition rate in the reactive mode by a factor of six, a maximum value of 100 nm·m min−1 could be achieved. This corresponds to a static deposition rate of 200 nm min−1. The lowest electrical resistivity of 1.1·10−3 Ω cm was measured at samples deposited in the high oxygen flow range in the transition mode. The samples show a good transparency in the visible range corresponding to extinction coefficients being below 10−2. X-ray diffraction was used to characterise crystalline structure as well as film stress. ITO films prepared in the transition mode show a slightly preferred orientation in (211) direction, whereas films deposited in the reactive mode are strongly (222) oriented. Compared to undoped In2O3 all samples have an enlarged lattice. The lattice strain perpendicular to the surface is about 0.8% and 2.0% for films grown in the transition and the reactive mode, respectively. Deposition in the transition mode introduces a biaxial film stress in the range of −300 MPa, while stress in reactive mode samples is −1500 MPa.  相似文献   
90.
Magnetic phase transitions of the first and second order were revealed by Mössbauer spectroscopy in nanosystems of - and -ferric oxides and metallic europium subjected to shear stress (240°) under high pressure (20 kbar). For - and -ferric oxide nanoclusters, the Curie (Neel) points decreased to 300 K, whereas for nanostructured europium the Neel point increased from 90 to 100 K. The thermodynamic model of magnetic phase transitions predicting a change in the character of magnetic phase transitions and a decrease (increase) in the critical Neel (Curie) points in nanoclusters was developed. The type of magnetic phase transitions and the change in the critical points were caused by defects in nanoclusters, whose maximum concentration was observed for the clusters with the 20—50 nm size range.  相似文献   
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