Integration by parts formulas involving generalized Fourier-Feynman transforms on function space

In an upcoming paper, Chang and Skoug used a generalized Brownian motion process to define a generalized analytic Feynman integral and a generalized analytic Fourier-Feynman transform. In this paper we establish several integration by parts formulas involving generalized Feynman integrals, generalized Fourier-Feynman transforms, and the first variation of functionals of the form where denotes the Paley-Wiener-Zygmund stochastic integral .

     

急倾斜厚煤层顶板运动规律与柔性掩护支架受力分析

应用RFPA^2D模拟软件，分析了柔性掩护支架侧向放煤开采过程中，急倾斜厚煤层顶板运动规律，研究结果与放出椭球体理论研究结果具有很好的一致性：模拟了柔性掩护支架在不同的开采状态下，支架的受力状况和应力变化规律、煤体的应力变化和破坏情况，为安全、高效、合理地应用侧向放煤技术开采急倾斜厚煤层提供依据。     

基于GM-PLS组合模型预测一次能源消费

为了预测一次能源消费量及其由此引起的污染物排放量,建立了偏最小二乘回归与GM(1,1)优化组合模型(GM—PLS)。用大连市历史年的一次能源数据分别建立了单项模型和优化组合模型并进行了验证比较。结果表明,组合预测的相对误差仅为1．70％,高于两种方法单独预测时的精度。选取了国内生产总值GDP、总人口数、第二产业占国民经济的比重及煤炭消费占一次能源消费的比重4个自变量用组合模型对大连市规划年的一次能源消费量进行了预测。结果表明,一次能源消费将会逐年增加。如果天然气的供给量能达到预测值,用其替代煤,则2020年由一次能源产生污染物的量将减少15．53万t。     

无底柱分段崩落法巷道岩爆预测与防治措施

随着金属矿山相继进入深部开采,无底柱分段崩落法巷道岩爆问题成为采矿领域中主要的工程地质问题之一。主要介绍了巷道岩爆的表现形式和发生条件,并在综合考虑国内外学者提出的判断准则的基础上,采用多层次模糊综合评判法对巷道岩爆进行预测,最后提出了相应的防治措施。     

BiOIO3和Bi2(IO4)(IO3)3晶体电子结构和光学性质研究

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法对BiOIO3和Bi2(IO4)(IO3)3两种碘酸铋非线性光学晶体的电子结构及光学性质-折射率及双折射率进行了计算研究.结果表明:采用GGA-PBE计算两者的禁带宽度分别为2.385 eV和2.930 eV;选用optados计算BiOIO3和Bi2(IO4)(IO3)3化合物的折射率和双折射率,计算结果表明二者皆具有较大的双折射率.     

论中国特色社会主义法治道路——纪念"依法治国,建设社会主义法治国家"入宪十周年

自清末以来,近代中国对法治道路的漫长探索经过了五次否定,最终选择了适合中国国情的社会主义法治道路。中国特色社会主义法治道路已形成较为完整的理论体系,它以社会主义法治理念为指导,以"三者统一"为根本原则,以政府主导、上下结合为路径。坚持和完善中国特色社会主义法治道路,必须紧紧抓住以人为本这一核心。     

包含奇-偶下标第一类Chebyshev多项式的恒等式

主要研究了第一类Chebyshev多项式，给出了一类包含奇一偶下标第一类Chebyshev多项式求和的递推公式及恒等式．     

一类非线性发展方程的复合型双孤子新解

通过下列步骤,构造了一类非线性发展方程的无穷序列复合型双孤子新解: 步骤一, 给出两种函数变换,把一类非线性发展方程化为二阶非线性常微分方程; 步骤二, 再通过函数变换, 二阶非线性常微分方程转化为一阶非线性常微分方程组,并获得了该方程组的首次积分; 步骤三, 利用首次积分与两种椭圆方程的新解与Bäcklund 变换, 构造了一类非线性发展方程的无穷序列复合型双孤子新解.     

第一性原理研究电场对BN纳米管电子结构的影响

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了电场对BN纳米管的电子结构的影响.首先对在不同电场强度下的纳米管几何结构进行了优化,可以看出纳米管沿轴方向层间距出现了不规则的变化.电子能带结构显示,在电场作用下,zigzag型和armchair型两种结构纳米管的能带向低能方向移动,并且导致纳米管的带隙有显著的减小.电场使得armchair型纳米管的带隙发生了从间接带隙向直接带隙的转变.在电场作用下,纳米管的两端态密度呈现出明显的差异,正负电荷沿轴向出现了沿轴向的空间分离,Mulliken电荷分布图揭示出最高占据轨道和最低未占据轨道分居在纳米管的两端.     

石墨烯过渡层对金属/SiC接触肖特基势垒调控的第一性原理研究

由于SiC禁带宽度大,在金属/SiC接触界面难以形成较低的势垒,制备良好的欧姆接触是目前SiC器件研制中的关键技术难题,因此,研究如何降低金属/SiC接触界面的肖特基势垒高度(SBH)非常重要.本文基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,结合平均静电势和局域态密度计算方法,研究了石墨烯作为过渡层对不同金属(Ag,Ti,Cu,Pd,Ni,Pt)/SiC接触的SBH的影响.计算结果表明,单层石墨烯可使金属/SiC接触的SBH降低;当石墨烯为2层时,SBH进一步降低且Ni,Ti接触体系的SBH呈现负值,说明接触界面形成了良好的欧姆接触;当石墨烯层数继续增加,SBH不再有明显变化.通过分析接触界面的差分电荷密度以及局域态密度,SBH降低的机理可能主要是石墨烯C原子饱和了SiC表面的悬挂键并降低了金属诱生能隙态对界面的影响,并且接触界面的石墨烯及其与金属相互作用形成的混合相具有较低的功函数.此外,SiC/石墨烯界面形成的电偶极层也可能有助于势垒降低.