KSTAR装置逃逸电子同步辐射功率谱的研究

电子逃逸是托卡马克等离子体中一种普遍的现象.对逃逸电子的监测是保护装置第一壁材料的基础.托卡马克上等离子体芯部逃逸电子发射的同步辐射是利用红外相机测量,但是红外相机的光路成本高,相机本身也比较昂贵.通过分析KSTAR装置逃逸电子的同步辐射功率谱,研究了逃逸电子同步辐射波长与能量的关系,拟发展新型的逃逸电子诊断系统.     

Modelling electron-N2 scattering in the resonant region

Quantum calculations of the resonant vibrational excitation of N₂ by electron impact are carried out using a model potential for exchange and correlation-polarization forces and exact static interaction. The inelastic process is treated within a coupled channel, space-frame formulation and final cross-sections are tested for convergence within less than of their values. Comparison with the experiments yields very good agreement with the latter data in the resonance region and suggests possible extension to calculations near the threshold openings for rovibrational inelastic processes induced by electron impact.     

Grundlagen der Mehrstoffanalyse mit Elektronen- und ß-Strahlung,II. Experimentelle Untersuchungen zur effektiven Kernladungszahl für den Rückstreuprozeß

Messungen un Bleiverbindungen und wassersloffhaltigen stoffen mit β-Strahlung im Energiebereich von 0,2 bis 3 MeV zeigen, daβ die in Teil I abgeleitete Formel für die Ermittlung der Effektiven Kernladungszahl selbst bei Medien extremer Zusammensetzung anwendbar ist. Die in der Literatur häufig erwāhnten Abweichungen der errechneten Kernladungszahlen von den experimentell ermittelten Ergebnissen sind hauptsächlich auf unterschiedliche Probendichte und auf die Korngröβe der Proben zurückzuführen. In der vorliegenden Arbeit sind derartige Störungen durch entsprechende Auswahl der Meβbedingungen vermieden oder durch empirische korrekturen eliminiert worden.     

Eine Dichtigkeitsprüfanlage für Halbleiterbauelemente auf der Grundlage von 85Kr

Auf der Basis von ⁸⁵Kr wurde ein Prüfstand für die routinemäßge Dichtigkeitsprüfung von Halbleiterbauelementen entwickelt und gebaut. Die Anlage arbeitet mit einer Aktivkohlepumpe und ist für einen Maximaldruck ion 13 kp/cm² und eine Maximalaktivität von 40Ci⁸⁵Kr ausgelegt. Es werden einige theoretische Angaben zur Methode gemacht und der Auf ban sowie die Funktionsweise des Prüfstandes beschrieben. Die erhaltenen Ergebnisse werden mit denen anderer Methoden verglichen.     

Untersuchungen zur Ermittlung der Tiefenverteilung der primären Ionisationen in dicken Zwei-Element-Targets bei Beschuß mit Elektronen aus dem Energiebereich unterhalb 30 keV. Teil 1

Es werden methodische Untersuchungen zur Entwicklung eines Monte-Carlo-Programmes zur Berechnung der Tiefen-verteilung der primären Ionisationen auf der Grundlage der Vielfachstreutheorie von Molière beschrieben. Anhand aus-gewählter Zwei-Element-Targets wird die Leistungsfähigkeit von drei Varianten eines entsprechenden Elektronentrans-portmodells untersucht. Unter Benutzung der entwickelten Elektronentransportmodelle werden für die Elektronenstrahl-mikroanalyse interessierende Größen, wie Rückstreukoeffizient, Rückstreufaktor und Absorptionskorrektion, berechnet.     

Effect of Discharge Plasma Potential on Diffusion Plasma Parameters Controlled by a Mesh Grid in a Double Plasma Device

The plasma region under investigation is separated from the discharge region by a mesh grid. Plasma potential and electron number densities and electron temperatures under bi‐Maxwellian approximation for electron distribution function of the multi‐dipole argon plasma are measured. The cold electrons in the diffusion region are produced by local ionization. The hot electrons are the ionizing electrons behaving as Maxwellian. The electron trapping process in the discharge region is produced by potential well due to positive plasma potential with respect to the anode and by a repulsive grid. The dependence of ratios of the density of the hot to the cold electrons N_E (=N_eh/N_ec) and hot to cold electron temperature T(=T_eh/T_ec) in the diffusion region on the depth of the potential well has been investigated. (© 2013 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)     

Correlation of Electron Beams and Hard X‐ray Emissions in ISTTOK Tokamak

The paper reports on experimental studies of electron beams in the ISTTOK tokamak, those were performed by means of an improved four‐channel detector. The Cherenkov‐type detector measuring head was equipped with four radiators made of two types of alumina‐nitrate (AlN) poly‐crystals: machinable and translucent ones, both of 10 mm in diameter and 2.5 mm in thickness. The movable support that enabled the whole detectors to be placed inside the tokamak vacuum chamber, at chosen positions along the ISTTOK minor radius. Since the electron energy distribution is one of the most important characteristics of tokamak plasmas, the main aim of the study was to perform estimations of an energy spectrum of the recorded electrons. For this purpose the radiators were coated with molybdenum (Mo) layers of different thickness. The technique based on the use of Cherenkov‐type detectors enabled the detection of fast electrons (of energy above 66 keV) and determination of their spatial and temporal characteristics in the ISTTOK experiment. Measurements of hard X‐rays (HXR), which were emitted during ISTTOK discharges, have also been performed. Particular attention was paid to the correlation measurements of HXR pulses with run‐away electron beams. (© 2013 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)     

Temperature dependence of ion-induced auger electron emission from (111) silicon: I. Experiments

Abstract

Measurements of both secondary electron emission coefficient γ and SiL₂₃ Auger yield ρ_A obtained from (111) Si target bombarded by high fluence of noble gas ions were performed. For Si irradiated at room temperature at doses more than 10¹⁷ ions per cm², monotonous increasing variation of γ and ρ_A versus incidence angle i was observed. For Si irradiated at a temperature more than a critical value, γ(i) and ρ_A(i) curves exhibited, superimposed to monotonous variation, some minima when the ion beam penetrates the crystal along low index directions. In the range 20–650°C, the Auger yield temperature dependence showed a sharp variation around a critical value depending on the ion mass for a given incident energy. These results are linked to an amorphous-crystalline phase transition.     

On generation of electromagnetic waves in the terahertz frequency range in a multilayered open dielectric waveguide

We show that it is possible to produce terahertz wave generation in an open waveguide, which includes a multilayer dielectric plate. The plate consists of two dielectric layers with a corrugated interface. Electrons, drifting in the potential well, interact with the non-uniform electric field which is induced near the dielectric interface by the natural wave of the waveguide. The corrugated period and parameters of the electronic system are chosen in order to ensure the most effective interaction of electrons with a wave. Generation of electromagnetic waves is achieved by converting the electrons? energy into the electromagnetic wave energy.