首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   10955篇
  免费   1809篇
  国内免费   1287篇
化学   2895篇
晶体学   104篇
力学   203篇
综合类   121篇
数学   1990篇
物理学   3619篇
综合类   5119篇
  2024年   40篇
  2023年   110篇
  2022年   243篇
  2021年   238篇
  2020年   315篇
  2019年   297篇
  2018年   253篇
  2017年   307篇
  2016年   365篇
  2015年   371篇
  2014年   554篇
  2013年   987篇
  2012年   701篇
  2011年   755篇
  2010年   589篇
  2009年   671篇
  2008年   749篇
  2007年   835篇
  2006年   769篇
  2005年   662篇
  2004年   570篇
  2003年   544篇
  2002年   493篇
  2001年   408篇
  2000年   403篇
  1999年   317篇
  1998年   241篇
  1997年   212篇
  1996年   190篇
  1995年   143篇
  1994年   133篇
  1993年   100篇
  1992年   81篇
  1991年   86篇
  1990年   69篇
  1989年   53篇
  1988年   42篇
  1987年   37篇
  1986年   25篇
  1985年   16篇
  1984年   19篇
  1983年   4篇
  1982年   11篇
  1981年   8篇
  1980年   7篇
  1979年   6篇
  1978年   3篇
  1977年   8篇
  1973年   4篇
  1936年   2篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
81.
利用离子速度影象技术研究了正一溴丁烷(n-C4H9Br)在231~267 nm波段的光解,得出了如下结论:正一溴丁烷(n-C4H9Br)在231~267 nm波段的吸收源于基态到三个最低激发态的跃迁,这三个激发态标识为1A″、2A′和3A′;发生在这三个排斥态的势能面(PES)上的光解最终导致C4H9 Br(2P3/2)或C4H9 Br*(2P1/2)的产生;2A′和3A′态之间存在避免交叉(Avoided crossing)会影响最终的光解产物;从基态1A′到激发态1A″的跃迁矩垂直于对称面,也就垂直于C-Br键;从基态1A′到激发态3A′的跃迁矩平行于对称面,同时平行于C-Br键;从基态1A′到激发态2A′的跃迁矩在对称面内,且与C-Br键成53.1°夹角.我们也讨论了正一溴丁烷(n-C4H9Br)在234 nm和267 nm附近光解时的避免交叉几率(Avoided crossingprobability),以及它对单通道相对产额(Relative fraction of the individual pathways)的影响.  相似文献   
82.
采用密度泛函理论方法在B3LYP/6-31G*水平上对6个新型含氧亚甲基和亚胺桥键液晶化合物分子的几何结构进行优化计算,讨论了取代基H,CH3,CH3O,C2H5O,NO2,Cl对分子电荷、前线轨道能量和电子吸收光谱等性质的影响.在此基础上使用含时密度泛函理论方法计算了分子第一激发态的电子垂直跃迁能,得到最大吸收波长λmax.计算表明,取代基的引入导致最大吸收波长红移.  相似文献   
83.
张华  陈小华  张振华  邱明  许龙山  杨植 《物理学报》2006,55(6):2986-2991
基于局域密度泛函理论,采用第一性原理方法,建立了对(5,5)型和(9,0)型有限长碳纳米管接枝羧基官能团的原子模型,通过计算其电子分布和态密度的变化,讨论羧基官能团对碳纳米管电子结构和电子输运特性的影响. 计算表明,接枝羧基的碳纳米管,其电子结构明显改变,其费米能级上的电子态密度下降;最高占据轨道上的非定域程度减弱,致使电子输运性能呈下降趋势. 关键词: 碳纳米管 密度泛函理论 电子结构  相似文献   
84.
在有效质量近似理论下,利用转移矩阵和有效垒高方法研究了有限磁场下含结构缺陷的多组分超晶格中局域电子态的性质.在考虑各组分层有效质量的失配时,外加磁场会导致磁耦合效应的出现.磁耦合效应不仅引起局域电子能级的量子化,并且随着朗道指数或磁场强弱的变化,局域能级及其局域程度都会发生显著移动,特别是对高能区域的局域电子态影响更大.此外,还计算了电子输运系数,讨论了含结构缺陷的三组分超晶格中局域电子能级与输运谱透射禁区中的共振透射峰的关系,发现两者之间有着很好的对应关系,为相应的实验研究提供了依据. 关键词: 超晶格 局域电子态 磁场  相似文献   
85.
利用密度泛函理论研究了Al12N和Al12B团簇的原子结构和电子性质,通过各种异构体的比较,发现两种掺杂团簇的最低能量结构都是完好的二十面体(Ih)结构,N(B)原子占据在二十面体的中心.高对称性团簇形成稀疏离散的电子态密度和大的电子能隙.在Al-N之间发生较大的电荷转移.因此我们建议把Al12N团簇看作是碱金属超原子,Al12B团簇看作是卤素超原子,用来构造团簇组装固体.  相似文献   
86.
In this paper, from the Newton filtration's point of view, we construct the singular Riemannian metric and use the method in singular theory to study the bifurcation problems, and give the sufficient condition of d-determination of bifurcation problems with respect to C0 contact equivalence. The special cases of the main result in this paper are the results of Sun Weizhi and Zou Jiancheng.  相似文献   
87.
Daniel Quillen 《K-Theory》1989,3(3):205-246
We construct a spectral sequence to study cyclic cohomology for an extension A = R/I of algebras. When R is a free algebra we describe the cyclic cohomology of A in terms of traces defined on R or powers of I. Explicit cyclic cocycles representing the cyclic cohomology class belonging to the trace are constructed as analogues of Chern character and Chern-Simons forms.Dedicated to Alexander Grothendieck  相似文献   
88.
Summary An attempt is made to explain the masses of Z and W± bosons by means of a screening mechanism analogous to charge screening in metals. It considers the effect of the electroweak force on the distribution of negativekinetic-energy neutrinos, which fills the whole universe (neutrino Fermi sea). The large weak-boson masses appear to be a direct consequence of the vanishing neutrino mass.  相似文献   
89.
针对民族高校学生的特点,研究了电子类专业计算机教学的定位、课程体系的设置、实践环节的加强及优化教学方法等问题,提出了一些提高计算机教学质量行之有效的方法.  相似文献   
90.
引线键合的界面特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用扫描电镜和EDS能谱分析研究了Al-Al,Au-Al和Au-Ag超声键合横界面和纵切面的微观结构特性及其变化,分析了键合界面结构随超声功率和作用时间变化的规律.研究结果表明:超声键合界面的形状特性像一个中央未结合的椭圆,皱脊周边产生键合,其键合强度取决于激烈起皱的周边和未结合的中央面;当作用力和功率固定时,随着时间的增加,键合区向中央延伸;当作用力和作用时间固定时,随功率的增加,焊接区里皱脊面扩大;Au-Ag扩散偶的Kirkendall扩散效应及Au-Al键合界面可能形成金属间化合物.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号