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41.
介绍了EDA开发工具软件MAX PlusII的主要功能;VHDL语言在进行硬件电路描述时所具有的多层次描述系统硬件功能的能力,以及在程序编译时易出现的问题。 相似文献
42.
电磁继电器触点参数的测试 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了电磁继电器触点电参数的测试方法,包括接触电阻、绝缘电阻参数测试。 相似文献
43.
分别从经典理论和量子理论的不同角度论述了使原子光谱线变宽的各种主要因素:由于能量的不确定关系导致的自然致宽;多普勒致宽;碰撞致宽;因碰撞过程中原子能级变化而导致的压力致宽、场致宽等.通过分析,阐明了实际光谱线与理想光谱线的不同及其原因. 相似文献
44.
共轴均匀带电薄圆盘间的相互作用力 总被引:3,自引:0,他引:3
本文利用静电场的高斯定律和环路定律巧妙地求出了均匀带电圆盘在空间任一点所产生的电场 ,进而计算出了共轴均匀带电薄圆盘之间的相互作用力 相似文献
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Chongyi Wan Shiming Liu Rongqing Tan Jin Wu Jinwen Zhou Yan Lv Yanning Yu Hua Yang 《Optics & Laser Technology》2004,36(8):2389-649
A high average power, high-repetition-rate TEA CO2 laser employing printed-circuit-board preionizer is described. The power scaling of this preionization configuration has been demonstrated. The average output power reaches 3.6 kW at pulse repetition rate of 180 pps. Furthermore, the scaling-up ability of the rotating spark gap as high-voltage switch for high-average-power gas laser has been validated. 相似文献
49.
Stewart S. J. Mercader R. C. Punte G. Desimoni J. Cernicchiaro G. Scorzelli R. B. 《Hyperfine Interactions》2004,158(1-4):89-93
In this paper we analyze trend of EFG values measured at Cd impurity in a group of semiconducting delafossites with chemical
formula CuBO2 (B = Al, Fe, Cr, Nd). We conclude that this trend reveals one of the most subtle details in electronic spectrum of the compounds:
if impurity states are formed within or out of the band gap. In CuAlO2 and CuFeO2 the Cd EFG exhibits larger value than in CuCrO2 and CuNdO2, when Cd substitutes the Cu atom. This occurs because in the first two compounds the Cd forms shallow band within the gap,
and in the second two compounds does not. When Cd occupies the B position it exhibits almost the same EFG in all delafossites.
In this case, Cd does not form its states within the gap in none of the compounds. To arrive to these conclusions we analyzed
and calculated various systems (Cd-doped CuAlO2 and CuCrO2 compounds, fictitious molecules), using the FP-LAPW method. 相似文献
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