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351.
鄂尔多斯盐定地区长81段沉积体系分析与圈闭评价   总被引:1,自引:1,他引:0  
近年来,盐定地区具有良好的油气发现,在多个含油气富集区建产,勘探开发潜力巨大。首次将长81段精细划分为两个砂体组,根据沉积背景和重矿物组合分析,认为研究区长81时期主要有北部和北西两个物源方向。通过分析研究区砂体沉积展布及圈闭成因,将砂岩顶面构造图与砂体展布图叠合,进行圈闭评价,得出研究区长81存在8个现实圈闭和2个评价圈闭,为下步有利区勘探和油田滚动开发提供依据。  相似文献   
352.
靖安油田大路沟区长6油层组储层成岩作用与成岩相   总被引:5,自引:2,他引:3  
靖安油田大路沟区长6油层组储层主要为湖泊三角洲前缘水下分流河道沉积,岩性主要为长石细砂岩、中—细砂岩.根据大量的铸体薄片、X衍射、扫描电镜、镜质体反射率等分析资料,研究了大路沟区长6储层砂岩的成岩作用类型、成岩阶段及成岩演化序列,分析了各种成岩作用对储层物性的影响.在成岩作用研究的基础上,划分出了绿泥石-浊沸石胶结相、绿泥石-方解石胶结相、方解石胶结相、泥质胶结相及浊沸石-长石溶蚀相等5种成岩相类型,其中以浊沸石-长石溶蚀相砂体物性最好.依据所建立的主要成岩相类型与测井曲线的对应关系,研究了各小层砂体的浊沸石-长石溶蚀相分布范围.  相似文献   
353.
In this work,we investigate the back-gate I-V characteristics for two kinds of NMOSFET/SIMOX transistors with H gate structure fabricated on two different SOI wafers.A transistors are made on the wafer implanted with Si+ and then annealed in N2,and B transistors are made on the wafer without implantation and annealing.It is demonstrated experimentally that A transistors have much less back-gate threshold voltage shift AVth than B transistors under X-ray total dose irradiation.Subthreshold charge separation technique is employed to estimate the build-up of oxide charge and interface traps during irradiation,showing that the reduced △Vth for A transistors is mainly due to its less build-up of oxide charge than B transistors.Photoluminescence (PL) research indicates that Si implantation results in the formation of silicon nanocrystalline (nanocluster) whose size increases with the implant dose.This structure can trap electrons to compensate the positive charge build-up in the buried oxide during irradiation,and thus reduce the threshold voltage negative shift.  相似文献   
354.
The effect of phosphorus passivation on 4H-SiC(0001) silicon(Si) dangling bonds is investigated using ab initio atomistic thermodynamic calculations. Phosphorus passivation commences with chemisorption of phosphorus atoms at high-symmetry coordinated sites. To determine the most stable structure during the passivation process of phosphorus, a surface phase diagram of phosphorus adsorption on SiC(0001) surface is constructed over a coverage range of 1/9–1 monolayer(ML). The calculated results indicate that the 1/3 ML configuration is most energetically favorable in a reasonable environment. At this coverage, the total electron density of states demonstrates that phosphorus may effectively reduce the interface state density near the conduction band by removing 4H-SiC(0001) Si dangling bonds. It provides an atomic level insight into how phosphorus is able to reduce the near interface traps.  相似文献   
355.
 为了明确高尚堡油田深层沙三2Es32亚段沉积微相、成岩储集相特征及各类成岩储集相的成因机制,利用区域地质、测井、砂岩薄片、铸体薄片、扫描电镜、X衍射分析等多种方法对沉积相、成岩作用及其影响因素进行综合研究,并在此基础上进行成岩储集相划分,探讨各类成岩储集相的成因机制。结果表明,该区Es32亚段为一套扇三角洲沉积体,主要发育扇三角洲前缘亚相,广泛发育的水下分流河道和河口坝砂体为油气的聚集提供了有利场所。分析低渗透储层成岩作用对储集物性的影响,得出造成本区储层砂岩渗透率较低的主要机制是成岩期强烈的压实作用及各种自生矿物的充填和胶结作用。结合成岩作用和微观孔隙结构研究,将本区成岩储集相划分为稳定组分溶解次生孔隙成岩储集相、中强压实强胶结残余粒间孔成岩储集相、强压实强胶结剩余粒间孔成岩储集相、极强压实强胶结致密成岩储集相4类,阐述了各类成岩储集相的特征。选用流动层带指标、孔隙度、渗透率、粒度中值、泥质含量、排驱压力、孔喉半径均值和变异系数等参数,采用神经网络模式识别方法,对目的层进行了成岩储集相识别,并结合沉积相,实现了成岩储集相的时空展布。  相似文献   
356.
Deep level transient spectroscopy(DLTS) as a method to investigate deep traps in AlGaN/GaN heterostructure or high electron mobility transistors(HEMTs) has been widely utilized.The DLTS measurements under different bias conditions are carried out in this paper.Two hole-like traps with active energies of E_v + 0.47 eV,and E_v + 0.10 eV are observed,which are related to surface states.The electron traps with active energies of E_c-0.56 eV are located in the channel,those with E_c-0.33 eV and E_c-0.88 eV are located in the AlGaN layer.The presence of surface states has a strong influence on the detection of electron traps,especially when the electron traps are low in density.The DLTS signal peak height of the electron trap is reduced and even disappears due to the presence of plentiful surface state.  相似文献   
357.
储层成岩作用研究综述   总被引:2,自引:0,他引:2  
为了详细了解目前成岩作用研究的现状、存在问题以及今后的发展趋势,通过文献调研综述和分析的方法,指出目前成岩作用研究主要体现在其对储层性质的影响等8个方面,并且该项研究存在研究方法和手段略显单调等5方面的问题,得出的结论是:成岩作用对储层物性具有十分重要的影响作用,定量化、综合化等是成岩作用研究的发展趋势。  相似文献   
358.
提出了一种采用Damman光栅和球面透镜组合光学系统产生二维光阱阵列的新方案. 在使用红失谐高斯激光束照射的条件下,推导了计算光阱阵列的周期、光强分布、光强梯度和光阱几何参数的经验公式,讨论了此光阱阵列的特点以及在原子光学和分子光学中的应用. 研究结果表明,这种光阱阵列方案比已有的光阱阵列方案更为简单可行、操作方便,非常适用于冷原子或冷分子的阵列囚禁,以及制备新颖的光学晶格. 关键词: 冷原子或冷分子 光阱阵列 Damman光栅 光偶极势  相似文献   
359.
藏北羌塘盆地中上侏罗统碎屑岩储层成岩演化特征   总被引:16,自引:0,他引:16  
运用分析化验、储层测试等多种资料,对羌塘盆地中上侏罗统碎屑岩储层的成岩演化特征进行了研究。将中上侏罗统地层划分为晚成岩期A亚期、B亚期和C亚期3个岩阶段,识别出压实作用、压溶作用、胶结作用、交代作用、次生溶蚀作用、重结晶作用、沥青充填作用和破裂作用等7种成岩作用,以及机械压实成岩相、碳酸盐胶结成岩相、强压实压溶丰岩相、不稳定组分溶解溶蚀成岩相和沥青充填成岩相等5种成岩相类型。探讨了各种成岩相的岩性、物性等微观特征及其与沉积相类型之间的关系,总结出3种成岩演化序列。分析结果表明,不同成岩作用类型对储层物性的影响不同,次生溶蚀作用、破裂作用使物性变好;压实用作、压溶作用和沥青充填作用使性变差;胶结作用具有双重影响。  相似文献   
360.
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