储氢合金LaNi4.2Mn.8的HD过程分析

用热力学DTA的方法分析储氢合金LaNi4.2Mn.8的HD过程,并采用值法定量计算讨论动力因素温度、时间、压强对HD过程的影响,发现温度对反应的影响最大,当温度500℃时,反应转换率为10.50%,而800℃时转换率为91.39%.最后制定出合理的HD实验条件T=700℃,t=4h,P=25atm,在此条件下,歧化反应转换率为100%.     

2．4GHz,1532／1544nm全光波长变换

以主动锁模模掺铒光纤激光器输出的光作为控制光,增益开关半导体激光器在直流偏下输出的连续光作为探测交,利用非线性光学环形镜的开关效应和光纤内交叉相位调制效应,实现了2．4GHz,1532nm到1544nm全光波长变换,实验结果与数值模拟相符。     

可识别的TIF平台扫描仪文件数据存储格式研究

本文剖析了可识别的TIF图像文件的数据结构,叙述了研究过程和研究中遇到的问题及解决办法,实现了SPT图形文件转换成可识别的TIF图像文件愿望.     

12集总重油热解反应产物分布模型的开发

在 4 0 0～ 5 0 0℃范围内 ,利用升降温速率快、控温平稳的特制重油热转化反应静态实验设备 ,完成了重油的热转化反应。利用索式抽提对残渣油中的缩合产物进行了分析 ,利用液相色谱对馏分油进行了切割分析。假定裂解和缩合反应均为一级且反应产物不参加二次反应 ,开发了 12集总重油热裂解产物分布模型 ,相关系数R和F检验结果表明 ,在低转化率时 ,该模型可以用来预测在非反应条件下重油热解及缩合反应行为。     

紫外与深紫外非线性光学晶体的新进展

随着光刻、激光微加工以及激光光谱仪的发展,紫外与深紫外光谱区的相干光源变得越来越重要.本文简要地回顾了使用阴离子基团理论发展新型硼酸盐系列紫外与深紫外非线性光学晶体的历史,同时系统地介绍了这些硼酸盐系列晶体的线性和非线性光学性质.最后给出一些产生紫外与深紫外谐波输出的典型例子以及它们的应用.     

Mg-Si基热电材料量子化学计算

对于掺杂合适的元素Sb,Te,Ag,Cu使得Mg-Si基热电材料的热电性能大幅度提高的实验事实,欲从理论和计算上寻求支持,试图从原子、分子的层次上对此现象作出解释,因此建立了简化的Mg₂Si量子化学计算模型,采用密度泛函离散变分X_α量子化学计算法,计算了物质内部的结构信息,如共价键级和态密度等.计算结果表明,掺杂以后,晶体的共价键级被削弱,态密度图中的禁带宽度明显变窄,这与实验测试的结果是一致的.     

含磺化聚苯胺和重氮树脂自组装超薄膜的制备及其光电转换性能

具有共轭结构的高分子化合物正日益被人们所重视 ,并被应用于导电、光电、电致发光等方面的研究 [1～ 3] .聚合物较之传统的无机太阳能材料 (如硅半导体等 )具有价格低廉 ,可方便地改变结构等优点 ,其光电转换性能的研究主要集中在提高光电转化效率和可加工性能 [4 ,5]两个方面 .由于共轭高分子如聚苯胺在一般溶剂中的溶解性较差 ,人们通过合成取代聚苯胺来提高其溶解性 ,从而改善其加工性能 ,为最终提高其在功能器件中的应用提供保证 .磺化聚苯胺就是通过在苯环上引入磺酸基而使其成为一种水溶性的高聚物 .自组装技术自 1 991年由 Decher[…     

数字光栅投影轮廓测量系统不确定视角标定法

建立了数字光栅投影轮廓测量系统的简易标定模型,以实现测量系统的简便化和便携式应用。该标定模型基于绝对相位提取和空间映射技术,仅需确定像面坐标和绝对相位到空间坐标的转换矩阵。标定矩阵由L evenberg-M ar-quardt算法优化求解,其中所需的已知空间点阵列借助新型虚拟三维靶标实现。该虚拟靶标基于不确定视角摄像机标定法,仅需要一个平面靶标,避免了使用昂贵的平移设备,极大地降低了标定系统的成本和复杂度。对标定系统进行了大量实验,并使用标定球对测量系统进行了测量精度评价。实验结果表明标定精度高于0.2mm,证明该标定法具有很好的应用价值。     

新型负单轴晶体BaAlBO3F2的频率变换特性

根据相位匹配理论,给出三倍频的参数计算公式。详细计算BABF晶体的相位匹配角、非线性有效系数、走离角、允许角随波长变化的理论曲线,得到了对基频波长为1 064 nm和1 342 nmI类相位匹配的三倍频的相位匹配角、非线性有效系数、谐波走离角、允许角,分别为:74.84°、0.348 6×10-12m/V、0.405 3°、6.465 6 mrad.mm-1和50.87°、0.839 8×10-12m/V、1.448 5°、0.589 0 mrad.mm-1。在考虑走离效应的情况下,研究了三倍频转换效率随BABF晶体长度、基频光光斑半径的变化规律。     

硅锗合金Seebeck系数影响因素的研究

作为一种洁净能源,硅锗合金的热电转换性能的研究越来越受到人们的重视.本文重点研究了不同Ge浓度的硅锗合金以及Si、Ge单晶在300～1100K温度范围内,Seebeck系数随温度的变化.并对组分相同导电类型不同、晶向不同以及结晶状态不同的样品的Seebeck系数进行了比较.在研究温度区间,Seebeck系数的绝对值大小一般在200～600μV/K之间,随温度不同连续变化.通过对比发现SiGe合金的Seebeck系数大小不仅与Ge的浓度和温度有关,其他因素对其绝对值也有影响,其中晶向最为明显,表现出了明显的各向异性.此外,材料本身的电阻率除了作为一个热电参数影响最优值外,其大小还对Seebeck系数的绝对值有影响,即掺杂济浓度对Seebeck系数的影响.