0.18μm CMOS工艺栅极氧化膜可靠性的衬底和工艺依存性

用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Q_bd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, V_bd). 研究结果表明，低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小，而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大，击穿电压测试值也发现与击穿电量 关键词： 薄氧 可靠性 击穿电压 击穿电量     

导体壳内外的电场彼此独立的简易证明

本文提供了一种证明导体壳的内外电场彼此独立的简易方法.     

Tunneling Radiation of a Torus-Like Black Hole in Anti-de Sitter Space-Time

An extension of the Parikh-Wilczek's semi-classical quantum tunneling method, the tunneling radiation of the charged particle from a torus-like black hole is investigated. Difference from the uncharged mass-less particle, the geodesics of the charged massive particle tunneling from the black hole is not light-like, but determined by the phase velocity. The derived result shows that the tunneling rate depends on the emitted particle's energy and electric charge, and takes the same functional form as uncharged particle. It proves also that the exact emission spectrum is not strictly pure thermal, but is consistent with the underlying unitary theory. PACS Numbers: 04.70.Dy, 97.60.Lf, 05.30.Ch.     

HIRFL注入器PIG离子源的研制

本文介绍了兰州重离子加速器(HIRFL)的注入器(SFC)所用PIG离子源的研制和改进工作,使用新研制的PIG源,已在注人器SFC上获得了5μA的O_(16)~(5+)及10μA的C_(16)~(4+)的离子束。     

双电荷交换反应与双重子共振态

提出了核双电荷交换反应的双重子共振态的反应机制,成功地解释了长期以来一直困惑着人们的共振区反应的角分布的实验结果.说明了共振区核双电荷交换反应是寻找双重子共振态的一个可能的途径.     

电子直线加速器束流均方根发射度变化方程

本文导出了考虑外场和束流效应后束流均方根发射度平方变化方程的一般表达式,并就仅考虑外场,仅考虑空间电荷场和仅考虑尾场等三种特殊情况进行了分析。     

装药结构对传爆药柱起爆能力的影响研究

为了适应钝感弹药对传爆序列提出的新要求,根据炸药冲击起爆理论,研究了凹球形和半球形两种新结构传爆药柱,并对两种新结构传爆药柱与普通圆柱形传爆药柱的起爆威力进行了实验对比.研究结果表明,改变传爆药柱的结构可提高其输出威力,新结构传爆药柱较普通圆柱形传爆药柱的起爆威力有明显提高.研究结果对解决钝感弹药的可靠起爆问题具有重要意义.     

Millikan′s油滴实验数据处理透析

本文从误差传递的角度出发，代入合理的数据，来说明目前高校实验中对此内容的数据处理的问题所在以及应怎样采取措施解决。     

硼酸对镍-镁合金电沉积和电化学性质的影响

该文报道了分别用0．05、0．10、0．15、0．33、0．50g／mL的硼酸进行电沉积镍-镁合金的实验。原子吸收光谱实验的结果表明，沉积相中包含不等量的镍和镁，电流效率也随硼酸量的不同而发生不同趋势的变化。从极化实验的结果，讨论了硼酸在电沉积中所起的作用是阻碍氢气的析出。在溶出伏安图中，能观察到5种不同强度的Mg2Ni峰，与XRD得到的结果相吻合。循环伏安测量结果证明镍-镁合金沉积薄膜电极具有良好的充／放电性能。     

格林函数倒易性在电磁场理论中的应用

格林函数在电磁场理论中有着非常广泛的应用。如在求解静电场问题时，往往会涉及到求解感应电荷的问题，而一般来说感应电荷的量值是不易求得的，特别是对不规则形状的导体。通过应用格林函数的倒易性来求解某些接地导体上感应电荷，能比较简便地解决这个问题。