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71.
本文采用分子动力学方法研究了公度、无公度情况下含空位、Stone-Thrower-Wales(STW)型缺陷的单壁碳纳米管(SWCNT)在石墨基底上的摩擦与运动行为.结果表明,公度时缺陷的存在导致了界面局部无公度,减小了摩擦.随着碳纳米管底部STW缺陷的增多,碳纳米管变形增大,侧向力波动的幅值减小,局部无公度性增强,摩擦减小.含空位缺陷的碳纳米管所受的摩擦力明显大于含STW缺陷的碳纳米管,原因在于含空位缺陷的碳纳米管在运动的后期出现了明显的翻转现象,增大了能量耗散.无公度时,碳纳米管与石墨基底间的摩擦力很小,缺陷对其摩擦力影响不大,原因在于无论是否含有缺陷,碳纳米管与石墨组成的界面的无公度性差别不大. 相似文献
72.
针对锌铜合金熔点较低(约460℃±10℃)、高温下热铸锚节点容易失效的问题,对预应力钢绞线热铸锚节点进行了高温抗拉性能试验,获得了高温下试件的破坏模式和抗拉承载力,提出了钢绞线热铸锚节点在高温下极限抗拉承载力计算公式,以及在各荷载比下的临界温度,可用于钢绞线热铸锚节点的抗火承载力验算与防火保护层厚度设计. 试验研究表明,温度低于200?℃时,破坏模式为钢绞线断裂;温度高于200?℃时,破坏模式通常为钢绞线滑脱. 温度为150~440?℃时,钢绞线热铸锚节点的极限抗拉承载力随温度升高而降低,287?℃、340?℃、392?℃和425?℃时的极限承载力分别为常温时的77.3%、39%、35.2%和10.5%. 相似文献
73.
为治疗化疗后的口腔黏膜炎,以敬钊缨毛蛛的天然蛛丝作为成膜材料制备载药膜剂,并对膜剂特性进行表征。采用溶剂浇铸法制备出蛛丝蛋白膜,通过水接触角实验、傅立叶红外光谱法、X-射线衍射法、扫描电镜评价膜剂的结构特征,探讨了膜剂的降解性。本试验所制备膜剂表征实验证明药物成功载入膜中,降解实验表明膜剂在人工唾液中7 d内的降解失重率仅5%,在人工胃液中72 h降解失重率达到65%以上。以天然蛛丝-六氟异丙醇溶液为成膜液,采用溶剂浇铸法可成功制备出载有肌苷药物的口腔膜剂。 相似文献
74.
采用传统降温法从不同程度氘化(x=0, 0.51, 0.85)的生长溶液中生长氘化KH2PO4(KDP) 晶体, 利用正电子湮没技术(正电子寿命谱和多普勒展宽谱)、结合X射线衍射谱(XRD) 结构分析, 对KDP晶体氘化生长的微观缺陷进行了研究, 讨论了氘化程度对晶体内部微观结构特性、缺陷类型和浓度的影响. XRD结果显示晶胞参数a, b值随氘含量的增加而增加, c值无明显变化; 正电子寿命谱结果发现随着氘化浓度的提高, KDP晶体内部中性填隙缺陷以及氧缺陷不断增加, 引起晶体晶格畸变; 氢空位、K空位、杂质替位缺陷不断发生缔合反应形成复合缺陷, 缺陷浓度不断减少; 团簇、微空洞等大尺寸缺陷也在不断发生聚合反应, 缺陷浓度表现为不断减少. 多普勒实验结果表明随着氘化程度的提升, 晶体内部各类缺陷表现为同步变化. 实验结果表明, KDP晶体在低浓度氘化生长(50%以内)下缺陷反应较弱, 而在高浓度氘化(50%以上)下的缺陷反应显著增强. 相似文献
75.
12Cr1MoV连铸钢坯高温力学性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在Gleeble-1500热模拟机上进行了低合金钢12Cr1MoV热模拟实验,测试了从600℃到峰值温度,涵盖了连铸时从结晶器到输出辊道的整个温度范围,得出了12Cr1MoV在不同应变速率不同温度下的流变曲线、强度曲线和热塑性曲线,观察了不同温度下试样的断口形貌组织.实验结果表明:低合金钢12Cr1MoV的ZST为1425℃,ZDT为1400℃.在1100~1300℃范围内,钢的断面收缩率均大于60%,具有良好的塑性;脆性范围为1350℃到熔点和900℃以下. 相似文献
76.
77.
连铸坯质量判定模糊专家系统 总被引:1,自引:0,他引:1
鉴于连铸过程中存在众多不确定性,考虑某中厚板厂的实际生产状况与中厚板热送热装的控制要求,以表面纵裂为例,按照模糊专家系统的开发思路,建立起连铸坯纵裂知识库,开发推理机制.采用纵裂指数预测和神经网络预测相结合的方法对连铸坯质量进行离线判断、推理和决策,并给出相应的缺陷产生原因解释.采用VC++6.0软件建立人机界面,数据库采用Oracle,调试结果表明该系统可以达到较高的判定准确率(92.8%),为在线应用奠定了基础. 相似文献
78.
针对炼钢厂连铸机开浇时是否连浇以及开浇时间确定等问题,从钢厂生产线上待加工的铁水/钢水金属资源平衡的角度,建立了以连铸生产总效益最大为目标函数的连铸机开浇决策的混合整数规划模型,并用基于MATLAB软件的YALMIP优化工具进行模型的求解.针对某钢厂的实际情况进行模型的应用测试,结果表明:模型可以优化决策连铸机各浇次的开浇时间,有助于编制合理的炼钢厂生产调度作业计划,稳定各班次之间的生产条件,降低生产线上的积压金属量,为炼钢厂连铸机的有序开浇提供了技术手段. 相似文献
79.
80.
This Letter reports on the acceleration of the rate of formation of the boron–oxygen defect in p‐type Czochralski silicon with illumination intensities in excess of 2.1 × 1017 photons/cm2/s. It is observed that increased light intensities greatly enhance the rate of defect formation, without increasing the saturation concentration of the defect. These results suggest a dependence of the defect formation rate upon the total majority carrier concentration. Finally, a method using temperatures up to 475 K and an illumination intensity of 1.68 × 1019 photons/cm2/s is shown to result in near‐complete defect formation within seconds. (© 2015 WILEY‐VCH Verlag GmbH &Co. KGaA, Weinheim) 相似文献