ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响

研究了作为缓冲层的ZnO薄膜在不同的退火时间、退火温度下退火对Si衬底上生长ZnSe膜质量的影响。当溅射有ZnO膜的Si(111)衬底的退火条件变化时，从X射线衍射谱（XRD）和光致发光谱（PL）中可见，ZnSe(111)膜的晶体质量有较大的变化。变温的PL谱表明，Si衬底上生长的具有ZnO缓冲层的ZnSe膜的近带边发射峰起源于自由激子发射。     

Erratum to "Quantum compact model for thin-body double-gate Schottky barrier MOSFETs"

<正>The statement for the third paragraph of the right column of page 3079 (Chinese Physics B, 2008, Vol. 17,No. 8, pp. 3077-3082 )[1]is inappropriate. This paragraph should be restated as follows.     

长江经济带沿线省域文化产业高质量发展水平测度与障碍因素分析

文化产业高质量发展是推动经济结构优化升级的重要路径,也是推进文化自信自强、全面建设社会主义现代化国家的战略选择。从经济效应、社会效应、协调效应、创新效应与开放效应5个维度构建了文化产业高质量发展综合评价指标体系。运用熵权-TOPSIS法测度长江经济带沿线省域文化产业综合效应指数与各子维度效应指数,分析其不同层级、不同区域的空间分布规律,并采用障碍度模型分析不同省份、不同层级与3大区域文化高质量发展的发展障碍及制约因素。研究发现,长江经济带沿线省域文化产业高质量发展水平较低,区域间差异明显,文化产业高质量发展水平综合效应指数呈现“下游地区>中游地区>上游地区”的空间格局;经济效应指数、社会效应指数、开放效应指数分布均呈现“下游地区>中游地区>上游地区”的空间特征,协调效应指数呈现“中游地区>下游地区>上游地区”的区域分布格局,创新效应指数呈现“下游地区>上游地区>中游地区”的分布特征;不同区域的发展障碍因素各不相同,经济效应、创新效应与协调效应是制约文化产业高质量发展的主要障碍因素。     

计入地面附加衰减的声屏障插入损失估算方法*

基于理论推导和计算,给出了公路声屏障声学设计中,在考虑地面附加衰减情况下计算插入损失的方法。该方法综合考虑了有限长线声源无限长声屏障绕射声衰减量、有限长线声源地面衰减量及遮蔽角对插入损失的影响。通过与《声屏障声学设计和测量规范》（HJ/T90-2004）的计算结果的对比,验证了本文所给方法的精确性及可行性,并对规范所给地面衰减修正量进行了商榷。最后,给出了当预测点位于有限长路段中央法线上时,通过计算线声源地面衰减量得到计算插入损失所需参数值,再计算插入损失的简便方法。本研究为存在地面附加衰减情况下有限长声屏障插入损失计算提供了一个新的参考方法。     

温度改变对钛氧化物忆阻器导电特性的影响

相同测试条件下,纳米钛氧化物忆阻器的导电过程存在不稳定性,制约了对器件瞬态阻抗的精确读取与控制,并影响了器件应用于电路设计的可靠性与稳定性.杂质漂移与隧道势垒的共存是导致上述不稳定性的可能因素,且杂质漂移特性与环境温度密切相关.然而,目前尚无通过控制温度提高忆阻器导电稳定性的具体研究.基于杂质漂移与隧道势垒共存,本文分析了温度与忆阻器导电特性的关联,研究了器件活跃区域厚度及初始掺杂层厚度的改变对临界温度的影响,利用SPICE软件进行了仿真验证并给出结果,得出提高忆阻器导电稳定性的方法有:增大活跃区域厚度、降低初始杂质浓度及保持环境温度稳定且低于临界温度,从而为制备性能稳定的忆阻器及推动器件在实际电路中的应用提供依据.     

Concentric-ring structures in an atmospheric pressure helium dielectric barrier discharge

This paper performs a numerical simulation of concentric-ring discharge structures within the scope of a two-dimensional diffusion--drift model at atmospheric pressure between two parallel circular electrodes covered with thin dielectric layers. With a relative high frequency the discharge structures present different appearances of ring structures within different radii in time due to the evolvement of the filaments. The spontaneous electron density distributions help understanding the formation and development of self-organized discharge structures. During a cycle the electron avalanches are triggered by the electric field strengthened by the feeding voltage and the residual charged particles on the barrier surface deposited in the previous discharges. The accumulation of charges is shown to play a dominant role in the generation and annihilation of the discharge structures. Besides, the rings split and unify to bring and annihilate rings which form a new discharge structure.     

介质阻挡放电跃变升压模式下靶波斑图研究

在大气压氩气介质阻挡放电中,首次通过跃变外加电压得到了稳定的靶波斑图.实验分别研究了跃变再缓变和直接跃变升压模式下靶波斑图的稳定性和波长选择.研究发现,跃变再缓变升压之后得到的靶波斑图不稳定,其与螺旋波相互转换.在这种转换中,靶波每次出现的时间为几十毫秒.直接跃变升压得到的靶波斑图稳定性明显增强,其稳定时间通常为5 min以上.比较不同升压模式下靶波斑图的波长,发现直接跃变升压模式下波长随电压升高减小较快.综上表明,升压模式对靶波斑图的稳定性和波长都有影响. 关键词： 介质阻挡放电 靶波斑图 跃变升压 缓变升压     

煤炭地下气化与制氢:技术集成与工艺耦合法

为了寻求清洁能源。充分利用煤炭资源,采用煤炭地下气化技术,通过应用膜分离法及PSA相结合方法来提高煤炭地下气化煤气中氢气质量分数。对于浓度低的,先用膜分离使其“提浓”,再进行PSA吸附,使其“提纯”。会得到高纯度氢气,同时其成本远远低于其他提氢方法。结果表明。煤炭地下气化方式制氢气是化石燃料制氢气的有效途径之一。     

交流和纳秒脉冲Ar/H2O介质阻挡放电聚丙烯材料表面亲水改性对比研究

为了提高等离子体对聚合物材料表面处理的应用效果,优化亲水处理的条件,研究了交流和纳秒脉冲氩气介质阻挡放电（DBD）中添加适量H₂O,对聚丙烯（PP）亲水改性的处理效果。利用电学和光学诊断方法,系统地对比了交流DBD和纳秒脉冲DBD的放电特性,结果表明,纳秒电源驱动DBD具有更高的放电瞬时功率,更好的放电均匀性和更高的能量效率。通过测量不同水蒸气含量下DBD的OH发射光谱强度,确定了PP材料亲水性处理中H₂O添加的最优含量。利用交流和纳秒脉冲电源驱动DBD分别对PP材料进行亲水改性的处理,测量了不同条件下改性处理后的表面水接触角,并利用原子力显微镜（AFM）和傅里叶红外光谱（FTIR）分别对处理前后PP材料的表面物理形貌和表面化学成分进行分析。结果发现,经DBD处理后PP材料的水接触角明显降低,表面粗糙度明显增大,表面的亲水性含氧基团,羟基（−OH）和羰基（C=O）的数量大幅增加。相比交流电源,纳秒脉冲DBD处理的改性效果更好,其处理后的材料表面水接触角,比交流DBD处理的低5°左右,表面粗糙度也有所提升。而水蒸气的加入可使PP材料的表面水接触角进一步减小4°左右,表面粗糙度明显提升。研究结果为优化DBD聚合物材料表面改性实验条件及处理的效果提供了重要的参考依据。     

(Sm0.5Gd0.2Nd0.3)2(Hf0.3Ce0.7)2O7复合氧化物的热物理性能

为寻求新型热障涂层用陶瓷材料,本文采用高温固相烧结法制备了(Sm0.5 Gd0.2 Nd0.3)2(Hf0.3 Ce0.7)2 O7复合氧化物.利用XRD分析了其晶体结构,SEM分析其显微组织,膨胀仪测试其热膨胀性能,激光热导仪测试其热扩散系数.结果表明,成功制备了具有单一萤石晶体结构的(Sm0.5 Gd0.2 Nd0...