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181.
介绍了RFQ冷却聚束器约束和冷却离子的理论,采用国际上比较先进的真实相互作用势力模型进行蒙特卡洛模拟,得出RFQ冷却聚柬器的Mathieu参数q值的选取范围.结论是:无论在真空或者充气情况下,当Mathieu参数q大于0.908时,离子的运动都是不稳定的;在充气情况下,Mathieu参数q略小于0.908,离子运动已经不稳定.适合约束离子的最佳Mathieu参数q值的选取范围在0.3~0.5之间.  相似文献   
182.
缓冲材料对活性破片战斗部爆炸驱动影响分析   总被引:2,自引:2,他引:0  
为研究活性破片战斗部爆炸驱动作用行为,采用数值模拟与试验相结合的方法,获得了缓冲层材料及厚度对活性破片战斗部爆炸驱动行为的影响特性.数值模拟结果表明,随着缓冲层厚度的增加,活性破片飞散速度明显降低,4种缓冲材料中,软铝缓冲层对活性破片初速影响最大,且破片初速随缓冲层厚度的增加基本呈线性下降趋势,尼龙和凯夫拉缓冲层对破片初速影响较小;随着缓冲层厚度的增加,活性破片所受载荷明显降低,其中软铝降载荷效果最好,其次为凯夫拉.综合考虑活性破片速度和破片完整性、安定性要求,选择凯夫拉缓冲层较好.最后,通过活性破片战斗部地面静爆试验对数值模拟结果有效性进行了验证,试验结果表明,数值模拟结果与试验结果吻合较好.   相似文献   
183.
研究了不同厚度SmCo薄膜的结构以及Cr缓冲层对SmCo/Cu薄膜结构、形貌及性能的影响.结果表明,对于较厚的SmCo薄膜,延长退火时间可有效提高样品的结晶度;Cr缓冲层能够提高样品表面的平整度,降低SmCo平均晶粒尺寸,增强SmCo(002)衍射峰与Cu(111)衍射峰强度之比(R),从而提高样品的磁性能.同时发现,SmCo/Cu薄膜的磁性能可以通过调节Cr缓冲层厚度进一步得到优化,其中通过调控缓冲层厚度提高R值,形成Cu(111)与SmCo(002)织构,是提高SmCo5/Cu薄膜磁性的关键所在.  相似文献   
184.
结合莱州湾东岸晚更新世以来陆海相互作用历史与近期变化,分析了7ka尺度上的古岸线变迁及近期影响缓冲区范围的河流地貌标志、海岸侵蚀标志、咸-淡水过渡带标志以及陆-海-大气相互作用标志,对海岸缓冲区的结构与功能及缓冲区范围做了初步分析,同时阐述了设置海岸缓冲区的必要性与可行性.  相似文献   
185.
基于关键链的自适应缓冲设置方法研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
在关键链项目管理、资源受限项目调度问题的理论基础上,分析了剪贴法和根方差法两种缓冲设置方法的局限性,同时考虑到项目中不同活动的资源利用程度各有不同,结合自由时差方法,设计了一种设定项目缓冲和汇入缓冲大小的新方法.最后针对PSPLIB中的典型算例在Matlab中进行了仿真验证.结果显示,在同样对项目完工时间有足够保护的前提下,利用所提出的方法能够得到更小的缓冲时间长度,从而避免由缓冲设置不当带来的新的资源冲突.  相似文献   
186.
Sn-based thin films as new buffer layer for Cd-free Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) solar cells were developed. The Sn(O,S)2 films were formed on CIGS substrates by chemical bath deposition from an alkaline ammonia solution by reacting tin(IV) chloride with thiourea. Optimization of the growth process allowed the smooth and conformal coverage of the films on the CIGS substrates with a thickness of 20 nm that was a self-limited thickness in the chemical bath deposition process. XPS analysis revealed that the as-deposited films contained Sn–O, Sn–OH, and Sn–S bondings and the ratio of Sn–S bonding to Sn–O bonding was 0.3. The CIGS solar cell fabricated with a 20-nm thick Sn(O,S)2 buffer layer had the best efficiency of 11.5% without AR coating. The open circuit voltage, short circuit current, and fill factor were 0.55 V, 34.4 mA/cm2, and FF = 0.61, respectively. The open circuit voltage and fill factor were low compared to the conventional CIGS solar cell with a 50-nm thick CdS buffer due to too thin Sn(O,S)2 buffer layer.  相似文献   
187.
High-performance low-leakage-current AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs) on silicon(111) substrates grown by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) with a novel partially Magnesium(Mg)-doped GaN buffer scheme have been fabricated successfully. The growth and DC results were compared between Mg-doped GaN buffer layer and a unintentionally one. A 1-μm gate-length transistor with Mg-doped buffer layer exhibited an OFF-state drain leakage current of 8.3 × 10-8A/mm, to our best knowledge, which is the lowest value reported for MOCVD-grown AlGaN/GaN HEMTs on Si featuring the same dimension and structure. The RF characteristics of 0.25-μm gate length T-shaped gate HEMTs were also investigated.  相似文献   
188.
以半经典密度矩阵理论和分子振动弛豫理论为基础,研究添加适当比例缓冲气体与适当减小波导芯径对光抽运太赫兹激光器输出光强的影响.计算结果表明,加入适当比例缓冲气体或适当减小波导的芯径均能提高太赫兹激光的输出光强;同时优化两个参数能进一步提高抽运激光能量转化为太赫兹激光能量的效率,延长工作腔中的有效激活区,延缓抽运饱和效应的出现,提高太赫兹激光输出光强.该研究对提高光抽运太赫兹激光器的能量转化效率、提高光抽运太赫兹激光器的输出功率及实现光抽运太赫兹激光器的小型化有重要的指导意义.  相似文献   
189.
采用金属有机沉积法(MOD)在双轴织构的Ni-5%W基带上制备了La0.4Sr0.6TiO3,LaTiO3和SrTiO3三种种子层,然后再在种子层上沉积La0.4Sr0.6TiO3薄膜.SEM图像显示种子层颗粒分布均匀,大小基本一致.通过XRD和SEM研究了不同种子层对La0.4Sr0.6TiO3薄膜取向和表面形貌的影响.结果显示,在LaTiO3种子层上Ar-4%H2气氛下950℃制备的薄膜取向良好,表面光滑致密,无裂纹和孔洞出现.  相似文献   
190.
基于灰色GM(1,1)预测模型的构建理论,尝试引入缓冲算子来消除瓦斯涌出量原始数据序列所受到的冲击扰动,并利用MATLAB语言编程实现瓦斯涌出量灰色GM(1,1)预测模型程序化运算,选择合理的精度检验方法对预测模型和结果进行检验判断。通过工程实例,证明了引入缓冲算子改进的GM(1,1)模型预测精度和拟合优度更高,可为煤矿企业正确决策提供一定的理论依据。  相似文献   
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