利用内存映射连续性提高TLB地址覆盖范围的技术评测

定义并评测典型基准测序程序内存映射中的连续性分布, 验证程序的内存映射中普遍存在多样的连续性(混合连续性)。对利用内存映射连续性提高TLB翻译覆盖范围的技术进行评测, 发现混合连续性的存在能够限制现有技术在真实场景中的实际效果。     

缓冲层对量子阱二能级系统中电子子带间跃迁光吸收的影响

由于ZnO缓冲层对纤锌矿ZnO/Mg_xZn_(1-x)O有限深单量子阱结构左垒的限制作用,导致阱和右垒的尺寸、Mg组分值等因素将影响系统中形成二能级.本文考虑内建电场、导带弯曲及材料掺杂对实际异质结势的影响,利用有限差分法数值求解Schr?dinger方程,获得电子的本征能级和波函数,探讨ZnO缓冲层对此类量子阱形成二能级系统的尺寸效应及三元混晶效应的影响;利用费米黄金法则探讨缓冲层、左垒、阱及右垒宽度和三元混晶效应对此类量子阱电子子带间跃迁光吸收的影响.计算结果显示:对于加入ZnO缓冲层的ZnO/Mg_xZn_(1-x)O有限深单量子阱二能级系统,左垒宽度临界值会随着阱宽和Mg组分值的增大而逐渐减小,随着右垒宽度和缓冲层厚度的增大而逐渐增大;量子阱中电子子带间跃迁光吸收峰会随着左垒、右垒尺寸以及Mg组分的增大发生蓝移,随着阱宽增大而发生红移.本文所得结果可为改善异质结器件的光电性能提供理论指导.     

RFQ冷却聚束器中Mathieu参数q值的选取

介绍了RFQ冷却聚束器约束和冷却离子的理论,采用国际上比较先进的真实相互作用势力模型进行蒙特卡洛模拟,得出RFQ冷却聚柬器的Mathieu参数q值的选取范围．结论是：无论在真空或者充气情况下,当Mathieu参数q大于0．908时,离子的运动都是不稳定的;在充气情况下,Mathieu参数q略小于0．908,离子运动已经不稳定．适合约束离子的最佳Mathieu参数q值的选取范围在0．3～0．5之间．     

缓冲材料对活性破片战斗部爆炸驱动影响分析

为研究活性破片战斗部爆炸驱动作用行为,采用数值模拟与试验相结合的方法,获得了缓冲层材料及厚度对活性破片战斗部爆炸驱动行为的影响特性.数值模拟结果表明,随着缓冲层厚度的增加,活性破片飞散速度明显降低,4种缓冲材料中,软铝缓冲层对活性破片初速影响最大,且破片初速随缓冲层厚度的增加基本呈线性下降趋势,尼龙和凯夫拉缓冲层对破片初速影响较小;随着缓冲层厚度的增加,活性破片所受载荷明显降低,其中软铝降载荷效果最好,其次为凯夫拉.综合考虑活性破片速度和破片完整性、安定性要求,选择凯夫拉缓冲层较好.最后,通过活性破片战斗部地面静爆试验对数值模拟结果有效性进行了验证,试验结果表明,数值模拟结果与试验结果吻合较好.      

Cr缓冲层对SmCo/Cu薄膜结构及形貌的影响

研究了不同厚度SmCo薄膜的结构以及Cr缓冲层对SmCo/Cu薄膜结构、形貌及性能的影响.结果表明,对于较厚的SmCo薄膜,延长退火时间可有效提高样品的结晶度;Cr缓冲层能够提高样品表面的平整度,降低SmCo平均晶粒尺寸,增强SmCo（002）衍射峰与Cu（111）衍射峰强度之比（R）,从而提高样品的磁性能.同时发现,SmCo/Cu薄膜的磁性能可以通过调节Cr缓冲层厚度进一步得到优化,其中通过调控缓冲层厚度提高R值,形成Cu（111）与SmCo（002）织构,是提高SmCo5/Cu薄膜磁性的关键所在.     

缓冲层对p-a-Si/n-c-Si异质结太阳电池影响的计算分析

采用AFORS-HET和MATLAB从理论上研究了缓冲层对HIT电池性能的影响机理.首先对P层进行优化,发现高掺杂、薄厚度的P层有利于电池效率的提升.缓冲层主要的影响有两方面,一是界面态密度,二是与晶体硅形成能带失配.模拟发现,界面态增大导致复合中心密度上升,开路电压下降;能带失配的增大可以降低界面处少子浓度,起到场钝化效果,提高开路电压.短路电流和填充因子受到界面处的影响较小,与P层的工艺条件有比较大的关系.     

澜沧江流域居民地空间分析与统计

为了获得澜沧江流域居民地分布的一般规律,基于空间数据,从海拔高度、地形特征、坡度因子三方面对居民地进行分级分析,并对澜沧江主干线以及主要支流进行缓冲区分析,结果表明:居民地的分布根据其居民地类型以及级别需要对海拔高度、地形状况以及坡度情况的选择存在差异性,此外,居民地一般在近流域区域较远流域区域的分布更为集中,但数量变化较缓.该成果对澜沧江国际河流水资源环境空间分析平台的建立提供了基础依据.     

海岸缓冲区研究——以莱州湾东岸为例

结合莱州湾东岸晚更新世以来陆海相互作用历史与近期变化,分析了7ka尺度上的古岸线变迁及近期影响缓冲区范围的河流地貌标志、海岸侵蚀标志、咸-淡水过渡带标志以及陆-海-大气相互作用标志,对海岸缓冲区的结构与功能及缓冲区范围做了初步分析,同时阐述了设置海岸缓冲区的必要性与可行性．     

基于关键链的自适应缓冲设置方法研究

在关键链项目管理、资源受限项目调度问题的理论基础上,分析了剪贴法和根方差法两种缓冲设置方法的局限性,同时考虑到项目中不同活动的资源利用程度各有不同,结合自由时差方法,设计了一种设定项目缓冲和汇入缓冲大小的新方法.最后针对PSPLIB中的典型算例在Matlab中进行了仿真验证.结果显示,在同样对项目完工时间有足够保护的前提下,利用所提出的方法能够得到更小的缓冲时间长度,从而避免由缓冲设置不当带来的新的资源冲突.     

Growth of Sn(O,S)2 buffer layers and its application to Cu(In,Ga)Se2 solar cells

Sn-based thin films as new buffer layer for Cd-free Cu(In,Ga)Se₂ (CIGS) solar cells were developed. The Sn(O,S)₂ films were formed on CIGS substrates by chemical bath deposition from an alkaline ammonia solution by reacting tin(IV) chloride with thiourea. Optimization of the growth process allowed the smooth and conformal coverage of the films on the CIGS substrates with a thickness of 20 nm that was a self-limited thickness in the chemical bath deposition process. XPS analysis revealed that the as-deposited films contained Sn–O, Sn–OH, and Sn–S bondings and the ratio of Sn–S bonding to Sn–O bonding was 0.3. The CIGS solar cell fabricated with a 20-nm thick Sn(O,S)₂ buffer layer had the best efficiency of 11.5% without AR coating. The open circuit voltage, short circuit current, and fill factor were 0.55 V, 34.4 mA/cm², and FF = 0.61, respectively. The open circuit voltage and fill factor were low compared to the conventional CIGS solar cell with a 50-nm thick CdS buffer due to too thin Sn(O,S)₂ buffer layer.