爆炸冲击对多层钢框架连续倒塌性能的影响

以5层钢框架结构为对象,对钢框架在爆炸冲击作用下的连续倒塌性能进行了研究.采用备用荷载路径法,分别对钢框架结构进行了静力非线性、动力非线性以及爆炸冲击作用下的动力非线性连续倒塌分析.分析结果表明:在常规的静力和动力非线性分析中,该框架具有良好的抗连续倒塌能力;在5 kgTNT的初始爆炸冲击作用下,钢框架的变形比常规分析...     

苯并三氮唑衍生物的缓蚀性能研究

以苯并三氮唑（BTA）为原料合成1-羟甲基苯并三氮唑,将其与乙二胺按一定比例混合,通过挂片、电极化曲线以及交流阻抗等实验方法对其缓蚀性能进行了测定.证明该缓蚀剂在质量分数为3%的NaCl溶液中10mg/L的质量浓度下对黄铜的缓蚀率达到90%,比BTA有更好的缓蚀性能.电化学测量表明,新缓蚀剂的加入使铜的自腐蚀电位负移,增强了阴极极化的抑制作用,提高了铜电极表面的电荷转移电阻,从而具有教好的缓蚀效果.     

圆柱螺旋弹簧的计算机辅助设计

本文以作者在圆柱螺旋弹簧计算机辅助设计的课题实践为基础,介绍了应用圆柱螺旋弹簧的常规设计和强化设计理论实现弹簧CAD的编程技术.重点论述了实现圆柱螺旋弹簧的交互设计,优选设计结果,使设计制图一体化的方法。     

基于交替修正牛顿法的分布式传感器定位算法

为了克服锚节点位置误差影响定位精度这一问题,提出了一种基于交替修正牛顿法的分布式定位算法。首先,将无线传感器网络表示的无向图划分成多个部分重叠的子图,建立可独立求解的子图内定位问题,子图内未知节点根据不准确的锚节点位置和测距信息采用修正牛顿法得到初步估计位置,再融合求平均得到估计位置;其次,根据第一步结果和测距信息采用修正牛顿法更新锚节点位置,使其位置更为精准;最后,未知节点再根据相对准确的锚节点位置更新估计位置。实验结果表明,与现有的分布式算法相比,所提算法具有更好的定位性能和扩展性,能够应用于较大规模的无线传感器网络。     

银杏大小年结果的成因及其克服技术

分析造成银杏(Ginkgo biloba L.)大小年结果的原因,认为银杏形成大小年结果现象是由于树体营养失调、授粉过量、品种间成花差异、种植密度不当、雄株数量少、不良的气候因素的影响等造成的.提出加强水肥管理,合理修剪、适量授粉,大年疏果定产、小年保花保果,撑枝吊枝,防旱排涝,综合防治病虫害等技术措施来克服银杏大小年结果的发生.     

化学试题难度影响因素的实证研究

依据高考化学试题的特点,厘清影响试题难度主要因素的要素特征,并据此编制相应的变式题进行抽样测试。统计分析数据表明各因素在试题中的不同表现形式对试题难度有着显著性影响。以“信息呈现方式”这一影响因素为例,分析并研究了同一因素的不同表现形式对试题相对难度变化的影响,为后续试题难度的建模研究奠定了基础。     

碱土金属蒸气中两种不同机理的高重复率脉冲激光交替振荡现象

通过在钙、锶金属蒸气中的高重复率脉冲放电,发现钙离子和锶离子的自终止跃迁激光脉冲和碰撞辐射复合激光脉冲交替振荡的实验现象,在分析了它们激励机理异同的基础上进行了初步的实验对比研究. 关键词： 激光脉冲 交替振荡     

应用交互叠层空穴传输层的高效铕配合物发光二极管

制备了铕配合物有机发光二极管(OLED),为了获得Eu(DBM),bath的特征发射,在器件中引入BCP作为空穴阻挡层。通过引入交互叠层的TPD／m-MTDATA作为空穴传输层,与传统异质结器件相比,最大发光效率及最大发光亮度都有明显提高。其最大发光效率在电流密度为2．8mA/cm^2时达到3cd／A,在电流密度为170mA/cm^2时器件达到最大亮度670cd／cm^2。对BCP空穴阻挡层及TPD／m-MTDATA交互叠层改善器件性能机理亦进行了讨论。     

关于交错级数的一个新的审敛准则

讨论了交错级数的敛散性,给出了判定交错级数敛散性的一个新的准则.     

Hot carrier injection degradation under dynamic stress

In this paper,we have studied hot carrier injection(HCI) under alternant stress.Under different stress modes,different degradations are obtained from the experiment results.The different alternate stresses can reduce or enhance the HC effect,which mainly depends on the latter condition of the stress cycle.In the stress mode A(DC stress with electron injection),the degradation keeps increasing.In the stress modes B(DC stress and then stress with the smallest gate injection) and C(DC stress and then stress with hole injection under V g = 0 V and V d = 1.8 V),recovery appears in the second stress period.And in the stress mode D(DC stress and then stress with hole injection under V g = 1.8 V and V d = 1.8 V),as the traps filled in by holes can be smaller or greater than the generated interface states,the continued degradation or recovery in different stress periods can be obtained.