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221.
This paper deals with a computational analysis of the influence of the pressing method and part geometry on the final density distribution in the cold compaction process of ceramic alumina powders. The analysis is based on the explicit finite-element model proposed and validated in a previous study. The mechanical behavior of the processing material is described using a multisurface elastoplastic model, the modified Drucker-Prager/Cap model Published in Prikladnaya Mekhanika, Vol. 43, No. 10, pp. 129–134, October 2007.  相似文献   
222.
本文用准平衡模型分析讨论了线性电压扫描下MIS器件的I/V瞬态.文中除了给出一般的处理方法以外,还给出了几种不同电压扫描率下I/Y特性的计算结果,并与已往的模型作了比较.  相似文献   
223.
XPS measurement revealed that the original state of TiO2 was changed to Ti2O3 and TiO by ion bombardment. TiO2 decreased and Ti2O3 increased at the initial stage. TiO increased at a later stage than Ti2O3. Each of them saturated after enough sputtering time.A formulation was proposed in order to explain the change of XPS spectra for oxides as a function of ion sputtering time. This formulation was based on reaction equations that contain two reduction processes (from TiO2 to Ti2O3 and from Ti2O3 to TiO), and sputtering effects. Using four fitting parameters (two reduction coefficients, sputtering yield and information depth), the present formula was fitted to the experimental results. The fitting results agree satisfactorily with the experimental results. The calculation shows that the reduction coefficient from TiO2 to Ti2O3 is about ten times larger than that from Ti2O3 to TiO. This calculation predicts that surface composition of an oxide that is changed by ion bombardment will reach a different value depending on its bulk composition. Moreover, the present formulation can determine the chemical states of compounds changed by ion bombardment.  相似文献   
224.
用横场伊辛模型研究退极化场对铁电薄膜的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
考虑到退极化场对铁电薄膜性质的影响,提出了一个改进的横场伊辛模型,在平均场理论的框架下研究了薄膜的一系列铁电行为.计算结果表明退极化场使薄膜的自发极化曲线更加平坦,膜的极化变得更加均匀,得到了与朗道—金兹堡理论的一致结果.  相似文献   
225.
The article concerns heterojunction resonant cavity-enhanced (RCE) Schottky photodiodes with GaAs in the absorption layer. The quantum efficiency and linear pulse response have thoroughly been analysed. For the first time, the response of a heterojunction photodiode has been modelled by the phenomenological model for a two-valley semiconductor. The results obtained have shown that the satellite valleys, as well as the parasitic time constant, significantly influence the response and, accordingly, have to be taken into account when analysing and optimizing RCE photodetectors.  相似文献   
226.
深能级杂质对光导半导体开关非线性特性的影响   总被引:2,自引:2,他引:0  
建立了非线性GaAs光导开关深能级杂质瞬态模型的基本方程,获得了与实验现象定性吻合的电流输出,给出了平均载流子随时间演化的情况.分析结果表明,在考虑了深能级杂质的俘获、发射和碰撞电离后,有可能对非线性光导开关中发生的一系列现象做出解释,进一步的仔细分析将对非线性光导开关的设计和制作提供理论指导.  相似文献   
227.
ASYMPTOTIC BEHAVIOR OF THE DRIFT-DIFFUSION SEMICONDUCTOR EQUATIONS   总被引:4,自引:1,他引:3  
This paper is devoted to the long time behavior for the Drift-diffusion semi-conductor equations. It is proved that the dynamical system has a compact, connected and maximal attractor when the mobilities are constants and generation-recombination term is the Auger model; as well as the semigroup S(t) defined by the solutions map is differential. Moreover the upper bound of Hausdorff dimension for the attractor is given.  相似文献   
228.
探讨DNA、RNA病毒诱导小鼠发生白血病的机制。用单纯疱疹病毒Ⅱ型(HSV-2)和C型RNA病毒诱导70只昆明小鼠,光学显微镜检测HSV-2、C型病毒诱导发生白血病的成功率。正常对照组为30只昆明小鼠。免疫组化法检测HSV-2、C型病毒致瘤后P^53、G-myc基因表达的变化。70只昆明小鼠中有47只发生白血病,成功率为67.1%。47只白血病小鼠P^53、C-myc蛋白阳性表达率均比正常对照组高(P<0.05);23只未形成白血病的实验组小鼠P^53、C-myc蛋白阳笥表达率均与正常对照组无显差异(P>0.05)。HSV-2、C型病毒可以通过调节P^53、C-myc基因的表达从而诱导小鼠白血病的发生。  相似文献   
229.
A new approach to the study of the Jaynes–Cummings sum, which determines the atomic inversion in quantum model of a single two-level atom interacting with a single mode of the quantized radiation field, based on the number theory theorems on approximation of trigonometric sums is presented.   相似文献   
230.
综合运用国内外多种测量量表对大学生的心理素质进行诊断与测试 ,并应用多元统计分析方法对其心理素质结构主因素进行定量分析 ,在此基础上建立了心理素质诊断模型 ,并运用该模型对实际问题进行了分析 .  相似文献   
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