最弱受约束电子势模型下PbⅡ离子Rydberg态能级研究

在最弱受约束电子势模型理论框架下,通过对最弱受约束电子的识别,将Martin关于单价原子量子亏损的公式推广到了多价原子(离子)系统.本文依此计算了PbⅡ离子的几个Rydberg系列能级,结果与实验值符合较好.     

相邻类氢离子电离能关系的研究

根据类氢离子电离能的实验值和相邻元素电离能的相关约束方程,定量地建立了各元素类氢离子电离能与核电荷数的较为精确的递推关系.其推算结果与实验值的相对误差小于0.001%,与相对论自洽场方法计算的结果相比,其相对误差也小于0.001%.     

类锂离子(Z=11～20)32D-n2F偶极跃迁的振子强度

利用全实加关联方法得到的波函数计算类锂离子(Z=11～20)1s23d-1s2nf(4≤n≤9)的偶极跃迁振子强度,三种规范下的计算结果符合的很好.将分立态的振子强度结果与单通道量子亏损理论相结合,计算在电离阈附近(|E|≤I/2)分立态间的束缚态-束缚态跃迁振子强度与束缚态-连续态跃迁的振子强度密度,实现了具有较大核电荷数的类锂离子量子跃迁特性的全能域理论预言.     

含氮类金刚石薄膜的紫外辐照研究

 用射频等离子体方法在玻璃基底上制备的类金刚石（DLC）薄膜，采用离子注入法掺氮，并对掺氮DLC薄膜紫外（UV）辐照前后的性能变化进行了研究。研究结果表明：随氮离子注入剂量及UV辐照时间的增加，位于2 930cm^-1附近的SP ³C-H吸收峰明显变小，而位于1 580cm^-1附近的SP2C-H吸收峰则明显增强，薄膜的电阻率明显呈下降趋势；随UV辐照时间的增加，位于1 078cm^-1附近的Si-O-Si键数量及位于786cm^-1附近的Si-C键数量明显增加。即氮离子注入和UV辐照明显改变了DLC薄膜的结构与特性。     

突破间接带局限创新Si基激光器

Si基高效发光与受激光发射是Si基光子学突破性发展的关键课题,它的实现对Si基微电子学的发展有深远的重大意义．由于受到天然Si材料间接带能带结构的限制,Si材料的发光效率极低,更谈不上可实现受激光发射,人工改性就成为当代研究、开拓的主要途径．新的Si基直接带体材料(如β-FeSi2等)的探索,Ge／Si量子阱、超晶格、量子点的能带工程介观改性,子带发光跃迁的探索,异类元素插入短周期超晶格中的化学键改性,以及SiO2高浓度nc-Si的生成和高激活度稀土离子的掺入发光等已开展了多途径的研究,不同程度上取得了重要的进展,一种MIS结构电子隧道注入高效发光器件已在SiO2：RE MOS结构中实现．运用激光器件物理的深入设计和新的器件技术的引入,可以预计本世纪初叶,对实现Si基激光器的奢望将会成为现实,无疑它对Si基光子学、Si基集成光电子学乃至信息高科技的发展将作出历史性的巨大贡献．     

低能离子对酪氨酸溶液损伤作用的光谱研究初报

利用气体我放电产生低能离子,其在放电间隙的电场加速下撞击水溶液样品。了低能离子作用后酪氨酸溶液的紫外及红外吸收光谱的变化。结果表明,气体放电产生的离子对Ｔｙｒ造成了多种损伤。不仅使化学键断裂,分子解体,而且外来的活性离子会与溶液中的元素形成新的化学基团,妆在受损伤分子碎片上组成新的损伤物质,充分体现了低能离子与物质相互作用的“离子沉积”效应。     

Patterned growth of zinc oxide nanorods using poly(vinyl alcohol)-N-methyl-4(4′-formylstyryl)pyridinium methosulfate acetal and zinc acetate mixture as a seed layer

This paper reports a new method for fabricating two-dimensional ZnO nanorod patterns. A water soluble mixture of poly(vinyl alcohol)-N-methyl-4(4′-formylstyryl)pyridinium methosulfate acetal (PVA-Sbq) and zinc acetate (ZnA) was used as a negative photoresist to produce the desired patterns using conventional photolithography. Hydrothermally-grown ZnO nanorods were grown selectively on the calcined PVA-Sbq/ZnA patterns. The appropriate concentration of PVA-Sbq and ZnA that can produce the desirable seed layer pattern was determined experimentally. Furthermore, the effects of the calcination time on the morphology and vertical alignment of ZnO nanorods were investigated. The vertically-aligned ZnO nanorods were generated by sufficient calcination of the patterned seed layer. On the other hand, the aspect ratio of ZnO nanorods decreased slightly with increasing calcination time. This new approach provides a simple and cost-effective method for fabricating ZnO nanorod patterns which can be beneficial in various solid-state devices and optoelectronic applications.     

类锂等电子系列高位三激发态2p2np4So能量和到1s2pmp4P态的辐射跃迁

利用多组态相互作用方法及Rayleigh-Ritz变分法,计算了类锂离子2p²np⁴S^o(n=2—4)和1s2pmp⁴P(m=2,3)的能量.运用截断变分方法得到能量的改进量.计算了相对论修正、质量极化效应,从而获得了高精度的能量计算值.同时还计算了该系统之间的辐射跃迁波长、振子强度和辐射跃迁率.计算结果与实验符合得很好. 关键词： 三激发态 类锂离子 振子强度 辐射跃迁     

稀土离子(Eu3+,Tb3+,Ce3+)掺杂ZnAl2O4/SiO2微晶玻璃的制备与发光性能

采用凝胶法分别制备出4.5ZnO-5.5Al₂O₃-90SiO₂(ZAS)以及ZAS[DK]:RE³⁺ (RE=Eu,Tb,Ce) 透明微晶玻璃。利用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和荧光光谱仪(PL)等测试手段,研究了稀土离子掺杂浓度对ZAS微晶玻璃的结构和发光性能的影响。XRD结果表明,ZAS[DK]:RE³⁺ (RE=Eu,Tb,Ce)微晶玻璃包含ZnAl₂O₄晶相和SiO₂非晶相,ZnAl₂O₄平均晶粒尺寸约为30 nm,稀土离子的掺杂没有显著改变原来的ZnAl₂O₄晶体结构。TEM结果表明,900 ℃时ZnAl₂O₄从ZAS体系中析出。PL光谱显示,Eu³⁺ 存在 ⁵D₀→⁷F₂跃迁,ZAS[DK]:Eu³⁺在611 nm 处发出强烈的红色光;由于Tb³⁺ 的⁵D₄→⁷F₅ 跃迁,ZAS[DK]:Tb³⁺在541 nm 处发出明亮的绿色光;ZAS[DK]:Ce³⁺ 在381 nm处显示了蓝光发射,对应于Ce³⁺ 的5d→4f 轨道跃迁。ZAS[DK]:RE³⁺ (RE=Eu, Tb, Ce)的PL发射光谱存在着浓度猝灭现象,Eu³⁺、Tb³⁺ 和Ce³⁺的最佳单掺杂摩尔分数分别为20%、20%和3%。CIE色度图表明,ZAS[DK]: RE³⁺ (RE=Eu,Tb,Ce)的色坐标分别位于红光、绿光和蓝光区域。实验结果表明,ZAS:RE³⁺ (RE=Eu,Tb,Ce) 微晶玻璃是一种良好的可用于全色显示的白光LED材料。     

AuQ+碰撞氦原子单电离的全微分截面

利用三体扭曲波计算了3.6 MeV/amu的Au^Q+ (Q=24,53)碰撞氦原子单电离的全微分截面,其结果与实验数据和其它理论进行了比较,表明全微分截面受到高电荷入射粒子的强烈影响,敲出的电子被“拖拽”沿着向前的方向. 但是,所有的理论结果都不能呈现实验上全微分截面的独特的向前峰.