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991.
对波纹竖直壁面上的降落液膜换热进行实验研究,用比拟理论,按膜厚与阻力的对应关系,对这种情况下的换热进行简化分析,并与实验结果比较。结果表明,波纹壁面对换热的强化呈周期性变化,随波幅增大而增大,随波纹周期增大而减小,液膜进口温度的升高或加热功率的增大都使换热特性降低。 相似文献
992.
本文分析了经典分子动力学(Molecular Dynamics)技术在模拟厚度在纳米量级的单晶硅薄膜平行于薄膜平面方向的热导率时出现的用难,指出精确计算薄膜表面附近处的原子运动状态对于单晶硅纳米薄膜面向热导率的分子动力学模拟具有重要意义,并在此基础上提出采用基于分子动力学和预处理共轭梯度法(Preconditioned conjugate Gradients)的Ab Initio方案模拟面向热导率。 相似文献
993.
994.
K.A. Vorotilov V.A. Vasiljev M.V. Sobolevsky A.S. Sigov 《Journal of Sol-Gel Science and Technology》1998,13(1-3):467-472
Structural, optical and electrical properties of silicate films modified by structure fragments containing different organic groups were studied. The ORMOSILs were produced by a cohydrolysis of tetraethoxysilane with different types of alkyl (aryl) substituted alkoxysilanes. Film structure and its evolution during heat treatment were studied by ellipsometry and IR spectroscopy. For methyl- and phenyl-modified silicate films the shrinkage is lower than for silicate ones in the range of annealing temperature from 200 to 500°C. The shrinkage of phenyl-modified silicate film is more than three times lower than of methyl- and trimethyl-modified ones. The presence of single or double C=C bonds in the organic chain leads to an increase in the film shrinkage due to the thermodestruction of the bond as it is confirmed by IR data. In the case of phenyl- and methyl-modified silicate films this process starts from 500°C and it is accompanied by abrupt film shrinkage. The dielectric constant and the loss tangent of methyl and phenyl groups decrease due to reduction of hydroxyl content and film density. Other groups are not effective due to their thermodestruction at lower temperatures. 相似文献
995.
本文研究了汞膜电极上硫化汞膜在 Na OH—EDTA—VC 体系中的沉积和溶出行为,试验了富集电位、富集时间、扫描速度,溶液组分与温度的影响。应用本方法对Al(OH)_3和水中的微量硫化物进行测定,检测下限可达0.4ppb。 相似文献
996.
997.
Partially oxidized free-standing porous silicon films show a strongly superlinear increase in photoluminescence (PL) intensity above a threshold cw excitation intensity of 10 W/cm2. The PL-intensity increase can be expressed by a power law with n9 as a function of the excitation intensity. The PL-peak wavelength of this emission is slightly redshifted from that at low-excitation levels. These changes are fully reversible and reproducible, but not observed in samples on substrate. We attribute this behavior to thermal reexcitation of carriers trapped at the dangling bond states in initially nonluminescent Si nanocrystallites. 相似文献
998.
TiO_2半导体薄膜的制备与特性徐明霞,徐廷献,刘宁(天津大学材料系天津300072)关键词TiO_2,半导体薄膜,制备TiO2薄膜或涂层,作为优良的色材、氧敏传感器材料和湿式太阳电池的光电阳极材料具有广阔的应用前景[1~3].传统制膜技术主要采用物理... 相似文献
999.
金刚石膜合成条件下的鞘层与等离子体参数分布 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报导了在用热阴极直流放电等离子体化学气相沉积(通常也称EACVD.即电子辅助化学气相沉积)方法合成金刚石的条件下的等离子体密度、电子温度、等离子体空间电位分布及基片附近等离子体鞘结构,并讨论其对成膜的影响. 相似文献
1000.
Multi-layered thin films, which consisted of metallic silver, GeSe3 glass, and silver oxyhalide superionic conductor glass were prepared. Photo- and electrochemical reaction of metallic silver with the chalcogenide glass layer was studied by optical absorbance and cyclic-voltammetry. Photo-doping of silver through the superionic glass layer was observed using evaporated AgI---Ag2MoO4 film and it was partly undoped by electrochemical treatment. However, no photo-doping was observed for the cell consisting of a AgI---AgPO3 dip-coated layer. The doped silver was dissolved into the GeSe3 layer during the photo-doping process. However, it formed another intermediate compound layer (probably silver selenide) during the electrodoping process. 相似文献