数形结合法的几个应用

把数学问题中的数量关系和形象直观的几何图形有机地结合起来,使问题化难为易,化繁为简,从而达到解决问题的目的。     

液态金属压铸机的实时压射控制系统

为了满足压铸工艺的要求，有必要进行压射机构的改造并对压射实施自动控制．为此，研究了液态金属压铸机压射结构的重新设计及其实时控制，设计了一套对压射进行实时控制的系统，着重研究了该系统的组成、基本原理及其特点．     

关于W变换性质的进一步讨论

根据W变换和Delta函数的定义，讨论了函数f(x)的线性函数af(x) b的W变换和函数Ⅱi-1^n，(x)的W变换问题，并推广了W变换的线性性质，得到了几个进一步的结果．     

浅谈二次型化标准形的两种方法

给出了二次型化标准形的两种方法--合同变换法和正交变换法.     

金属氢研究新进展

简要介绍了金属氢的研究意义和应用前景 ,详细评述了有关的高压实验方法和最近的研究成果及进展 ,特别是固体氢的相图、结构和相变 .近十多年来 ,随着超高压技术的发展 ,已能在金刚石对顶砧 (DAC)上产生30 0GPa的静态压力 ,并可进行高压原位实验研究 .对固体氢进行了高压拉曼、同步辐射X射线、光反射和吸收、同步辐射红外光谱等一系列高压物性和相变研究 .从而确定了固体氢的三个相 ,并提出了可能的相结构 .     

距离Cigar域与拟共形映射

设f：R^n→R^n是一同胚，本文证明了f是拟共形映射的充要条件是f将R^n中的任一距离Cigar域映成R^n中的距离Cigar域．     

大束流Co离子注入形成CoSi2/Si Schottky结的特性

采用Schottky结源漏结构是克服传统MOSFET器件短沟效应的一种有效方法.不同于常规的固相反应形成硅化物的方法,该文利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源进行强流金属离子注入合成了金属硅化物CoSi2, 并首次对其与Si所形成的Schottky结特性进行了研究.结果表明850 ℃退火1 min后已形成CoSi2硅化物晶相,且结深易于控制.电流特性表明p型衬底得到了较好的Schottky结,势垒高度为0.48 eV, 理想因子为1.09, 而n型衬底形成的Schottky结的理想因子偏大,需进一步改进工艺.     

Schottky Barrier Height Inhomogeneity of Ti／n—GaAs Contact Studied by the I—V—T Technique

The current-voltage characteristics of Ti/n-GaAs Schottky diodes measured over a temperature range of 78-299K have been interpreted on the basis of thermionic emission across an inhomogeneous Schottky contact.The experiment shows that the apparent barrier height (φap) increases from 0.437eV at 78K to 0.698eV at room temperature.the plot of φap versus 1/T does not exhibit a simple linear relationship over the whole temperature range,indicating that the barrier height distribution is more complicated than the frequently observed single Gaussian distribution.A new multi-Gaussian distribution model is developed.Our experimental results can be explained by a double Gaussian distribution of the barrier heights.The weight,the mean barrier height,and the standard deviation of the two Gaussian functions are 0.00001 and 0.99999,0.721 and 0.696,0.069 and 0.012eV,respectively.     

38CrMnMo钢异常断口的分析

用扫描电镜KYKY－1000、能谱仪观察分析了38CrMnMo钢（调质热处理）拉伸实验后的异常断口，结果表明：钢中冶金夹杂物是导致38CrMnMo钢异常脆性断裂的主要原因。