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61.
钢铁及合金中钨测定的高氯酸氧化法   总被引:1,自引:0,他引:1  
在磷酸介质中,冒烟高氯酸氧化钨成高价,并消除溶液中存在的还原物质的影响,用氯化亚锡及三氯化钛还原铁和钨,约3.6mol/L盐酸介质中,硫氰酸铵与钨(V)生成黄色络合物,通过测其吸光义可定量测定钨含量。由于较多量冒烟高氯酸的氧化作用,还原不需铁作催化剂,消除了基体铁的影响。测定质量分数范围为0.05%-10%。  相似文献   
62.
以SBA-15、六角介孔二氧化硅(HMS)和SnO2为载体,通过浸渍法合成了含钨负载型催化剂,并考察了三种催化剂在环氧环己烷选择氧化制备己二酸反应中的催化性能. 通过X射线衍射(XRD),透射电镜/场发射透射电镜(TEM/FETEM),紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS),拉曼(Raman)光谱,X射线光电子能谱(XPS)以及傅里叶变换红外(FTIR)光谱等手段对各种催化剂的结构进行表征. 结果表明,载体与催化剂的性能有密切的关系. 以SnO2为载体的WO3/SnO2催化剂活性最高,其次是WO3/HMS催化剂,WO3/SBA-15 催化剂的活性最差.XRD 分析显示WO3/SnO2催化剂中氧化钨物种的晶化程度最低,TEM 和XPS 结果表明氧化钨物种在WO3/SnO2催化剂表面高度分散并且粒径尺寸很小(约2 nm),UV-Vis DRS结果表明在WO3/SnO2催化剂中存在孤立[WO4]四面体和低聚态的钨物种,这些物种的存在可能是WO3/SnO2催化剂具有高活性的主要原因. 此外,WO3/SnO2催化剂可以重复使用多次,6 次反应后己二酸(AA)得率仍然保持在80%以上,说明氧化钨物种与SnO2载体间存在强烈的相互作用,从而提高了催化剂的稳定性.  相似文献   
63.
钨合金的冲击动力学性质及细微观结构的影响   总被引:6,自引:0,他引:6  
简单介绍了钨合金(主要为W-Ni-Fe)的制备工艺和常用热处理方法,其后着重从动 态力学性能、剪切带的实验观察和研究、细微观结构对材料力学性能的影响等几方 面总结和评述了近年来针对钨合金取得的主要结果.并在文章的最后初步提出了有 前景的几个研究方向.  相似文献   
64.
本文实验发现具有较大密度和较高速度的93W钨合金长杆模拟弹的穿靶深度反而比密度较小,速度较低的90W钨合金长杆弹的穿靶深度小.针对这一现象,本文从两种材料在侵彻环境下的细观响应特性的差异上给出了有实验根据的合理分析,结论是90W在侵彻环境下较易于形成绝热剪切带,从而在弹头部发生“自锐化”效应所致.  相似文献   
65.
利用多压阻传感器拉氏实验分析方法对受冲击90w钨合金材料中形成的应力波场进行了测试,并利用拉格朗日分析方法获得的结果建立了合金的不含损伤的本构关系.然后以动态层裂试验获得的层裂参数曲线和数据为依据.提出了一种考虑材料内部损伤成核,成长及汇合效应的唯象本构模型,并通过对层裂实验曲线进行数值模拟,确定了该合金的含损伤本构的参数.  相似文献   
66.
以偏钨酸铵为钨源、聚乙烯吡咯烷酮为连接剂,采用浸渍提拉法制备了石墨烯-氧化钨复合薄膜,利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)及Raman光谱等方法对复合结构材料进行了表征,并利用光电流测试、交流阻抗谱(EIS)、瞬态光电流谱和强度调制光电流谱等方法,研究复合薄膜电极在光电作用下界面上的载流子转移过程和电荷传输行为. 结果表明,组成薄膜的氧化钨纳米颗粒与石墨烯充分复合,光电性能显著提高;与石墨烯复合后,薄膜的瞬态时间常数增大,电子-空穴对寿命延长;电子传输时间减少,为纯氧化钨薄膜的47.5%.  相似文献   
67.
研究了碳硫分析在不同钨助熔剂加入量及不同分析时间的条件下所得碳、硫元素含量,首次结合分析曲线验证最佳条件,并对碳、硫分析可能存在的误差进行浅析.  相似文献   
68.
The microstructure and morphology of metal oxide films have a large influence on the sensitivity, selectivity and stability of the gas sensors and catalysts. Considering that the sensing properties of thin film sensors are strongly related to their microstructures and to the exact stoichiometry of their surfaces, an accurate control of these parameters is extremely important for the production of sensors with reproducible behavior. In this paper, an influence of preparation and annealing conditions on the physical and chemical properties of tungsten oxide thin film is investigated. Two types of samples having polycrystalline structure were prepared by different methods (deposition under UHV conditions, oxidation of metallic tungsten layer in air). The samples were reduced by heating in UHV at different temperatures and/or by Ar ion bombardment. It was found that the stability of tungsten oxide layer with respect to the treatment procedures depends strongly on the preparation conditions of the sample. The reduction process is discussed in terms of different oxidation states resolved in the W4f photoelectron spectrum. Easy reducibility of the tungsten oxide layer prepared by vacuum deposition was found to be a consequence of its nano-crystalline structure.  相似文献   
69.
The ferroelectric compounds Pb2Na1−xLaxNb5−xFexO15 and Pb0.5(5−x)LaxNb5−xFexO15 (0≤x≤1) with the tungsten bronze type structure have been investigated using Raman spectroscopy. The evolution of the spectra as a function of composition at room temperature is reported. In the frequency range 200-1000 cm−1 three main A1 phonons around 240 (υ1), 630 (υ2) and 816 (υ3) cm−1 were observed. The broadening of the Raman lines for high values of x originates from a significant structural disorder. This is in good agreement with the relaxor character of these compositions. The lowest-frequency part of the spectra, below 180 cm−1, reveals a structural change in the studied solid solutions. The behaviour of the Raman shift of the υ1 mode confirms that in Pb2Na1−xLaxNb5−xFexO15, a clear anomaly occurs in the vicinity of x=0.4.  相似文献   
70.
We report a detailed magnetic study of a new type of self-organized nanowires discussed briefly previously [B. Borca et al., Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 142507]. The templates, prepared on sapphire wafers in a kinetically limited regime, consist of uniaxially grooved W(1 1 0) surfaces, with a lateral period here tuned to 15 nm. Fe deposition leads to the formation of (1 1 0) 7 nm-wide wires located at the bottom of the grooves. The effect of capping layers (Mo, Pd, Au, Al) and underlayers (Mo, W) on the magnetic anisotropy of the wires was studied. Significant discrepancies with figures known for thin flat films are evidenced and discussed in terms of step anisotropy and strain-dependent surface anisotropy. Demagnetizing coefficients of cylinders with a triangular isosceles cross-section have also been calculated, to estimate the contribution of dipolar anisotropy. Finally, the dependence of magnetic anisotropy with the interface element was used to tune the blocking temperature of the wires, here from 50 to 200 K.  相似文献   
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