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91.
在处理薄膜中的超导现象的理论时,London理论、Pippard理论和GL理论都有其局限性,因为这些理论都不能完全解释超导电性的本质。根据对超导薄膜临界磁场普遍适用的公式,结合实验测得的超导薄膜临界磁场在理论上应该具有非线性、非局域性的特点;分析了影响超导电性的各种要素,得出了London理论、Pippard理论下修正后的临界磁场的表达式;分析了GL理论下波函数分别为球面波和正弦波时临界磁场分布情况。 相似文献
92.
脉冲激光沉积法制备氧化铋薄膜及其电化学性质研究 总被引:4,自引:0,他引:4
首次采用355nm脉冲激光沉积在不锈钢基片上制备了氧化铋薄膜,X—射线衍射(XRD)测试表明在基片温度为300℃,沉积时间为0.5h制备得到的Bi2O3薄膜具有四方结构,SEM和Raman光谱测定对该Bi2O3薄膜的表面形貌和锂化前后的结构进行了表征,结果表明薄膜由小于100nm针状晶粒组成,锂化后的产物可能是LixBi2O3。此外,由电位阶跃法测定了上述Bi2O3薄膜电极的锂离子扩散系数。电化学测定表明,上述Bi2O3薄膜具有充放电循环性能,在电压范围为0.70~3.5V,该氧化铋薄膜在充放电速率为2C时的比容量大约为100mAh/g,并且保持经100次以上充放电循环而没有明显的衰减。 相似文献
93.
MgB2适合于制备约瑟夫森结,在超导电子学领域有很好的应用前景。制备高质量的MgB2薄膜至关重要,应用Mg-B/Mg-B-O体系的相图指导MgB2薄膜生长意义重大。总结MgB2相体系及相关系,详细对比分析Mg-B/Mg-B-O体系的热力学相图,总结分析富氧区杂项MgO的生成机理及其对MgB2薄膜质量和性能的影响,研究分析有氧体系下Mg-B/Mg-B-O热力学相图对MgB2薄膜材料制备生长的指导意义,探讨HPCVD环境下采用原位生长技术制备MgB2超导薄膜时热力学相图的指导作用及相关制备工艺。 相似文献
94.
95.
96.
为FRAM、FFET、FDM的实际应用和研究提出了多层结构铁电薄膜的设计思想.采用脉冲准分子激光淀积方法实际制备了两种不同电极的BIT/PLZT/BIT/p-Si多层铁电薄膜.用Sawyer-Tower电路测试了这两种薄膜的铁电性能.结果表明,多层结构铁电薄膜具有良好的铁电性能,并且以氧化物为电极的铁电薄膜的铁电性能优于用金属为电极的铁电薄膜 相似文献
97.
聚中性红薄膜修饰电极的研制及应用 总被引:3,自引:0,他引:3
孙元喜 《武陵学刊:社会科学版》1998,19(6):33-36
本文简要地介绍了作者近年来对聚中性红薄膜修饰电极的研制,表征及其广泛的分析应用方面的研究工作以及在研究中所取得的成果。 相似文献
98.
《西安交通大学学报》2017,(11)
以MgO薄膜、MgO/Au复合薄膜作为二次电子发射材料的研究对象,利用持续电子束轰击薄膜的方式,研究了二次电子效应与时间的变化规律。通过测试样品时间的指数衰减,电导率和介电常数对衰减速率的影响,建立模型假设来研究二次电子发射的机理,提出了潜在电子的概念及平板电容模型;以此模型为基础进行分析推导,建立了二次电子发射过程理论模型,得出了诱导电流和二次电子发射系数实验值的表达式,与实际样品测试结果的趋势一致,二次电子发射材料性能的衰减速率与薄膜电导率正相关,验证了所提理论模型能很好地解释介质薄膜二次电子发射的衰减机理,有助于提高二次电子发射材料的衰减性能,为改进工艺和研发新型介质薄膜材料提供了一定的理论指导。 相似文献
99.
制备了C60与聚吡咯的单层及双层复合膜。应用电化学分析法研究了它们的循环伏安性质以及石英晶体微天平性质。发现无论是单层还是双层C60聚吡咯薄膜的电化学行为都与C60固态薄膜和聚吡咯薄膜的电化学性质不同。结果表明,多层C60聚吡咯薄膜的电化学性质不如单层C60聚吡咯薄膜的稳定。且单层C60聚吡咯薄膜的电化学性质基本不受C60含量的影响。 相似文献
100.
微机电系统中的悬空薄膜的制备技术是微结构制备的关键技术之一.研究了周边固支方形薄膜的机械灵敏度及通过浓硼扩散自停止腐蚀法制备高灵敏度悬空导电薄膜.实验结果表明,当扩散温度为1 175℃,扩散时间为3h,去除硼硅玻璃后四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀液中腐蚀7.5h,可得到厚度为3μm,边长为5 mm,方块电阻为1.12 Ω/sq,致密均匀的悬空导电薄膜.给出了详细的制备工艺;针对扩散过程中出现的硼硅玻璃等问题,给出了切实可行的解决办法. 相似文献