非化学计量组成Ba1.03Ce0.5Zr0.4La0.1O3－α的化学稳定性和离子导电性

用高温固相反应法合成了非化学计量组成的Ba_1.03Ce_0.5Zr_0.4La_0.1O_{3－α质子导体. 粉末X射线衍射(XRD)结果表明, 该材料为单一钙钛矿型BaCeO3斜方晶结构, 在高温下、CO2或水蒸气气氛中具有较高的稳定性. 扫描电子显微镜(SEM)观察分析表明, 材料经1550 ℃烧结20 h非常致密. 在500～900 ℃温度范围内, 用交流阻抗谱技术测定了材料在湿润氢气和湿润空气气氛中的电导率; 用气体浓差电池方法测定了材料在湿润氢气、湿润空气气氛中和氢-空气燃料电池条件下的离子迁移数, 研究了材料的离子导电特性, 并与化学计量组成的BaCe0.5Zr0.4La0.1O3－α材料进行了比较. 结果表明, 在500～900 ℃温度范围内、湿润氢气气氛中, Ba1.03Ce0.5Zr0.4La0.1O3－α材料的质子迁移数为1, 是一个纯质子导体. 在湿润空气气氛中, 材料的氧离子迁移数为0.688～0.170, 质子迁移数为0.218～0.017, 是一个氧离子、质子和电子空穴的混合导体. 在氢-空气燃料电池条件下, 材料的离子(氧离子＋质子)迁移数为0.990～0.796, 是一个氧离子、质子和电子的混合导体. 与化学计量组成的BaCe0.5Zr0.4La0.1O3－α材料相比较, 在相同实验条件下非化学计量组成的Ba1.03Ce0.5Zr0.4La0.1O3－α材料具有较高的电导率和离子迁移数.}     

Theoretical Calculation for the Oscillator Strength of A~3Π-X~3Π Band System of BN Molecule

选用ＳＴＯ４Ｇ双ζ扩展基组,采用单组态自洽场方法计算了分子轨道,然后再作较大规模的组态相互作用计算,得到ＢＮ分子基电子态和第一激发电子态的能量及波函数．两电子态的能量差与实验值相符甚好．在偶极近似下,计算了ＢＮ分子Ａ３ΠＸ３Π带系的振子强度,其值为０．０５６４．     

巴克豪森应力效应的研究

采用宽板钢铁试样，研究了巴克豪森效应受应力影响的规律，找出了旋转磁化场与各向异性材料的磁化极值方向之间的关系，探讨了测量钢铁件应力的新方法，提出了磁巴克豪森噪声（ＭＢＮ）与磁声发射（ＭＡＥ）技术相结合测量应力可以提高测量精度的观点。     

硼氮纳米管研究进展

介绍了BN纳米管的研究进展,纳米管结构和制备技术发展状况,阐述了包括电弧放电、激光烧蚀、机械球磨、碳纳米管取代反应、热淬火法、碳热法和化学反应法等多种制备方法,展望了BN纳米管的发展前景.     

透微波AlN-BN复合陶瓷介电性能研究进展

简述了透微波材料的介电性能要求,综述了AlN-BN复合陶瓷材料介电性能的研究进展,分析讨论了AlN-BN复合材料的制备工艺、极化机理、影响因素,最后对改进AlN-BN复合材料的介电性能的研究方向提出了展望.     

高岭土碳热还原氮化制备Sialon粉末的反应过程研究

以高岭土为原料，采用碳热还原氮化法合成了Sialon粉末．通过对产物物相组成分析，探讨了合成Sialon粉末的反应过程，并对可能发生的不利于Sialon粉末合成的部分反应进行了热力学分析．研究表明：反应条件对产物组成有显著影响．氮气流量小，产物中有SiC生成；反应温度低、时间短将有莫来石相存在；温度过高或时间太长则产生A1N多型体和Si3N4相；只有足够的氮气流量、适宜的温度和反应时间才有利于Sialon的合成．     

硅掺杂氮化硼纳米管的制备及其光学性质

通过高温热解聚合物前驱体方法制备Si掺杂BN纳米管. 采用扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）对样品的结构与形貌进行表征, 结果表明, 样品属于一端开口的竹节状BN纳米管, 通过变温光致发光谱及喇曼光谱研究了Si掺杂BN纳米管的光学性质.      

Jahn－Teller变形后C60－的结构和电子光谱

用INDO系列方法对C₆₀^－进行几何构型优化,得到D_3d对称性的构型,表明C₆₀^－确实发生了Jahn-Teller畸变,导致单键变短,双键变长,形成10种键,6种不等同碳原子,并以此构型为基础,计算了C₆₀^－的电子光谱,与实验结果吻合;同时对光谱进行了理论指认;最后对C₆₀^－的3种构型：D_5d,D_3d,D_2h的几何构型、能量、光谱和反应特性进行了分析、比较和总结。     

含硅聚硼氮烷裂解转化制备氮化硼陶瓷纤维

以低活性含硅聚硼氮烷为先驱体,经熔融纺丝,BCl₃脱硅不熔化处理以及在氨气气氛中高温裂解制备的氮化硼纤维仍含有硅元素,这主要是含硅聚硼氮烷结构中的B-N(SiMe₃)₂和B-N(SiMe₃)-B由于位阻与BCl₃反应脱除SiMe₃不完全所致.而采用HCl首先与含硅聚硼氮烷反应减少其位阻,再通过BCl₃进一步脱硅不熔化处理制备的氮化硼陶瓷纤维经FT-IR、X射线衍射(XRD)分析表明纤维基本不含硅元素,并且扫描电子显微镜(SEM)表明得到的氮化硼陶瓷纤维直径约为11μm,断面致密无孔,室温下抗拉强度为0.45GPa.