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131.
以α-SiC、碳素材料、硅粉等为骨料,酚醛树脂为结合剂,制备出了以α-SiC,β-SiC和Si为主晶相的SiC发热体冷端.研究了成孔剂、结合剂、硅粉、碳素等对其性能的影响,优化了其工艺参数.结果表明,当成孔剂加入量为4%~4.5%时,试样弯曲度小于0.17%;当酚醛树脂加入量在28%~30%,硅加入量在6%~8%,C1加入量在45%~48%,C2加入量在2%~5%时制品具有良好的的工艺性能、其电阻率远低于国标要求.  相似文献   
132.
用5 kW CO2激光器,通过优化激光工艺参数,在结晶器用铜合金表面预置添加SiC晶须的镍基自熔合金(Ni1015)粉,制备出表面平整、组织均匀致密、无气孔和裂纹等缺陷、与基体为冶金结合的Ni-Cu激光熔覆层.借助OM,SEM和显微硬度计等分析测定了涂层的显微组织形貌、组织成分和截面显微硬度.结果表明:添加SiC晶须的Ni-Cu涂层比单纯的Ni-Cu涂层的显微组织明显得到细化,涂层的显微硬度高出150HV左右,是铜合金基体(85 HV)的3.7倍,从而能够提高结晶器的使用性能.  相似文献   
133.
采用真空-气铸法制备了SiCn/20Cr钢复合材料,并对SiC/20Cr钢复合材料的界面进行了研究.结果表明:SiC和20Cr在复合材料的界面产生较强固相反应,SiC分解出的Si与Fe结合生成Fe-Si化合物,SiC分解出的C以石墨态沉积下来.固相反应的区域由碳化硅反应区、金属反应区和碳沉积区组成.碳元素在碳沉积区的沉积形态与沉积点到SiC的距离有关.TEM证实了金属反应区的产物为(Cr,Fe)23C6及Fe3Si,其中Fe3Si的形成为SiC的分解提供了热力学驱动力.  相似文献   
134.
SiC晶体的PVT生长系统及测温盲孔对热场的影响   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
实验中研究了不同结构参数的测温盲孔对晶体生长面热场的影响,结果分析表明:径向温度梯度和轴向温度梯度与测温盲孔的深度和半径近似成正比关系,但测温盲孔尺寸变化对径向温度梯度和轴向温度梯度的影响效果不同;改变测温盲孔尺寸适于调节径向温度梯度;测温盲孔半径和深度的增加均可导致坩埚盖上SiC多晶生长速率提高.  相似文献   
135.
溅射工艺参数对硅薄膜微结构影响的Raman分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
为了解决碳化硅难以进行光学加工的问题,该文采用射频磁控溅射方法,在碳化硅反射镜坯体上沉积与碳化硅具有相近热膨胀系数且易于进行光学加工的硅薄膜。利用拉曼光谱(Raman)对衬底温度、射频功率、衬底偏压等溅射工艺条件对硅膜微结构的影响进行了分析。研究发现:随着衬底温度的升高,薄膜的晶化率先增大后减小;衬底偏压的增加不利于薄膜有序结构的形成;射频功率对薄膜微结构的影响比较复杂,随着功率的升高,薄膜晶粒尺寸减小,晶化率降低,当射频功率进一步升高时,薄膜中有序团簇尺寸和晶化率逐渐升高。但过高的射频功率反而不利于薄膜的晶化。  相似文献   
136.
汤晓燕  张玉明  张义门 《中国物理 B》2010,19(4):47204-047204
Epitaxial channel metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) have been proposed as one possible way to avoid the problem of low inversion layers in traditional MOSFETs. This paper presents an equation of maximum depletion width modified which is more accurate than the original equation. A 4H--SiC epitaxial n-channel MOSFET using two-dimensional simulator ISE is simulated. Optimized structure would be realized based on the simulated results for increasing channel mobility.  相似文献   
137.
NiAl-Cr(Mo)-Cr_xS_y自润滑复合材料的摩擦磨损特性   总被引:3,自引:1,他引:2  
采用滑动磨损试验方法测试了NiAl-Cr(Mo)-CrxSy自润滑复合材料与SiC陶瓷配副在110~960℃的摩擦磨损特性.结果表明:200~400℃,纳米CrxSy晶粒在复合材料摩擦表面形成较完整的润滑膜,产生自润滑性能;700~900℃,复合材料摩擦表面生成了1~3μm厚、完整的玻璃陶瓷润滑膜,产生了自润滑耐磨性能.2种润滑膜材料均可向SiC表面转移,消除了复合材料/SiC的摩擦状态.随着温度的升高,2种润滑膜材料的强度降低,SiC微凸体压入润滑膜,导致润滑膜的剥落加剧,复合材料的摩擦系数与磨损率升高.  相似文献   
138.
Sialon/SiC复相材料的高温氧化行为   总被引:5,自引:0,他引:5  
研究了以粘土直接合成Sialon/SiC复相材料的氧化行为,以及Sialon相含量、氧化温度和氧化时间对氧化过程的影响·结果表明,Sialon/SiC复相材料的氧化速度与温度成正比、与时间的平方根成正比·Sialon相的抗氧化性优于SiC相·这种材料的氧化反应是一种钝化反应,具有较好的抗氧化性,Sialon相含量的增加能提高材料的抗氧化性·  相似文献   
139.
讨论 Si C晶须生长的主要过程 ;晶核的生成、基晶的形成及晶须的生长。  相似文献   
140.
三维编织C/SiC纤维复合块材的XPS研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
用常规XPS、小面积XPS和成象XPS研究了三维编织的C/SiC纤维复合材料.结果表明,在燃气中灼烧后材料表面生成的暗红色反应是由于层中的SiC已氧化成氧化硅,同时反应层中还引入了杂质Fe、Na、Ca和Al;在反应层下Si以元素Si、SiC和氧化硅多种形式存在.块材横截面的多点小面积XPS分析结果表明,元素硅的相对浓度随深度增加而减少, SiC的相对浓度则随深度增加而增加.块材横截面的成象XPS分析清楚地显示了SiC 在纤维束边界间呈大致均匀的分布,在块材两边元素Si的浓度明显偏高.根据XPS象的线性扫描结果估计了纤维束、束间SiC层和块材边缘元素Si富集层的厚度.  相似文献   
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