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71.
测定了单斜ZrO_2纳米材料在各种粒度下的付里叶变换红外光声光谱(FT—IR—PAS),发现随粒度的减小,大部分的谱线位置蓝移,而有些谱线的位置红移,同时在不同频段,有的强度增强,有的强度减弱甚至消失。研究了量子尺寸效应和介电限城效应对其光学特征的影响,对观察到的物理现象进行了物理机制探讨 相似文献
72.
常凯 《淮北煤炭师范学院学报(自然科学版)》1996,(2)
本文采用变分法研究了量子阱中类氢杂质的束缚能的压力效应,尤其在阱较窄的情形下,其压力效应更为显著. 相似文献
73.
用反向调制照明法分析光栅成像效应 总被引:2,自引:1,他引:1
提出了用反向调制照法明分析光栅成像效应的观点,研究了光栅系统的反向衍射干涉效应,成功地揭示了泰伯效应与劳效应的内在联系,并在白光双光栅衍射干涉的“消色效应”的基础上获得了白光扩展光源照明下白光光栅成像效应和具有实用意义的四光栅干涉系统。 相似文献
74.
选择了结晶性含氟树脂添加改性剂为树脂基体,与炭黑制居复合导电体系。通过这个对体系不同条件下PTC特性的研究,对其配方与加工工艺进行优化。并利用扫描电镜,X射线衍射,DSC等分析测试手段,对体系的各种开矿结构进行了研究,阐明了该导电复合体系的形态结构与性能的关系。 相似文献
75.
Using the path integral method we derive quantum wave function and quantum fluctuations of charge andcurrent in the mesoscopic RLC circuit. We find that the quantum fluctuation of charge decreases with time, oppositely,the quantum fluctuation of current increases with time monotonously. Therefore there is a squeezing effect in the circuit.If some more charge devices are used in the mesoscopic-damped circuit, the quantum noise can be reduced. We also findthat uncertainty relation of charge and current periodically varies with the period π/2 in the under-damped case. 相似文献
76.
77.
本文分析及研究了作者对绝缘栅PMOS场效应结构所进行的SUPREM—SEDAN联机模拟.重点在衬底电阻率(掺杂浓度)与MOS结构阈值电压之间的定量关系上得到了与实验完全一致的结果.同时,定量地描述了栅氧层中电离电荷的分布及其行为.揭示了上述效应的机理. 相似文献
78.
庞乾骏 《上海交通大学学报》1996,30(9):24-29,33
提出了一种掺杂离子导体(DIC)的粒子交叠广义晶格模型,由此模型,推导随机-电阻-网络(RRN)理论中3种导电键各自组分的几率,并采用有效介质近似(EMA)计算了DIC系统的电导及其粒子尺度效应。 相似文献
79.
80.
J.S. Tsay H.W. Chang Y.L. Chiou K.T. Huang W.Y. Chan Y.D. Yao 《Journal of magnetism and magnetic materials》2006
Influences of oxygen exposure on the magnetic properties of Co/Ge(1 1 1) ultrathin films have been investigated by surface magneto-optic Kerr effect technique. As the oxygen exposure increases on Co/Ge(1 1 1) films, their magnetic properties could be modified. As an example for 15 ML Co/Ge(1 1 1) films, the coercivity increases from 730 to 920 Oe and the remanence Kerr intensity is reduced for 500 Langmuir (L) of oxygen exposure. Corresponding compositions analyzed by Auger electron spectroscopy measurement shows that the amount of oxygen on the surface layers increases with increasing the oxygen exposure time. Oxygen distributes on the topmost layers of the film. The adsorbed oxygen influences the electronic density of states of Co and results in the changes of the magnetic properties. Besides, the appearance of O/Co/Ge interface could modify the stress anisotropy, and as a result the coercivity of ultrathin Co/Ge(1 1 1) film is enhanced. 相似文献