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131.
132.
一类泛圈图     
本文证明了如果G是2连通无爪图,G不是圈,n=|v(G)|>q,G的每个导出子图A都满足φ(a_1,a_2),且G中不存在W′作为其导出子图,则G是泛圈图。  相似文献   
133.
在用“奇偶点图上作业法”求解“中国邮路问题”时,需检查图中的每一个回路.当图中回路较多时,检查不便且易出错.针对此,本文建立了求解“中国邮路问题”的0-1规划模型,并给出了算例。  相似文献   
134.
本文阐述了一种新的研究成果——用模型优适度寻找含水层主进水口位置的原理、方法和应用。模型优适度作为衡量地下水模型场势与原型(矿区)场势相似拟合程度的量度,它凭借含水层地下水场势对源点的响应差异,判别模型源点位置与原型源点位置是否一致、接近或偏离。本文给出了模型优适度的计算公式和用统计分析方法对动态矩阵施行标准化的公式推演过程。通过多次模拟试验,绘出优适度的等值线图,为华北某矿圈定含水层补给范围,进行注浆堵水,大大地降低了矿井涌水量,在实践应用中获得初步成功。  相似文献   
135.
本文论述了一种结构简单,行之有效的机器人运动规划系统,能迅速判断机器人与工件的关系,实现浮雕造型机器人无碰撞轨迹规划.  相似文献   
136.
137.
杨宇  黄醒良 《发光学报》1995,16(4):285-292
采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1-xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。  相似文献   
138.
对T型管节点的疲劳试验进行分析,研究疲劳裂纹的扩展规律,用“柔度法”计算应力强度因子范围ΔK,确定材料常数c,m,提出并运用“直线-曲线模式法”估算管节点疲劳寿命,结果与试验吻合,具有一定的实用参考价值。  相似文献   
139.
ZnS films have been deposited on glass substrates by close-spaced evaporation (CSE) technique. The films were grown at different temperatures in the range, 200-350 °C. The layers have been characterized with X-ray diffractometer (XRD), atomic force microscope (AFM), energy dispersive analysis of X-rays (EDAX) and optical spectrophotometer to evaluate the quality of the layers for photovoltaic applications. The studies showed that the optimum substrate temperature for the growth of ZnS layers was 300 °C. The films grown at these temperatures exhibited cubic structure with nearly stoichiometric composition. The AFM data revealed that the films had nano-sized grains with a grain size of ∼40 nm. The optical studies exhibited direct allowed transition with an energy band gap of 3.61 eV. The other structural and optical parameters such as lattice stress, dislocation density, refractive index and extinction coefficient were also evaluated. The temperature-dependent conductivity measured in the range, 303-523 K showed a change in the conduction mechanism at 120 °C. The activation energy values evaluated using the temperature dependence of electrical conductivity are 7 and 29 meV at low and high temperature regions, respectively.  相似文献   
140.
In this paper, we found that boron deposited on the surface of support when sodium borohydride used as reducing agent during the preparation of Pt/C catalyst. The deposition of boron markedly reduces particle size of Pt, raises electrochemical active surface (EAS) area of catalyst and electrochemical activity for hydrogen evolution or oxygen reduction reaction (ORR) compared with which prepared using other reducing agents (hydrogen and formaldehyde).  相似文献   
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