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71.
72.
本文给出了MkdV方程族的换位表示及一个有限维对合系,并讨论了Bargmann约束和C.Neumann约束及其相应的定态MkdV系统。最后,我们得到MKdV方程族的对合解。 相似文献
73.
碳钢表面Fe—Ni—Cr—Si—B合金熔敷层的激光处理 总被引:1,自引:0,他引:1
利用10kW连续CO2激光束对熔敷在中碳钢表面上的Fe40Ni36Cr2Si8B14合金进行了表面非晶化处理。对已处理表面进行了扫描电镜,透射电镜和电子衍射的检测分析,发现无论在单条激光处理区,还是在多条处理的搭接区均获得了非晶结构,与之区存的还有微晶组织,处理中非金属元素的烧损是出现微晶的原因。 相似文献
74.
光纤液位传感器检测原理探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
叙述光纤液位传感器在贮油罐中的应用,提出实验所采用的方案。推导出液面高度公式,比较实现检测的两种电路的优缺点,同时对实验精度和测量范围进行了讨论。 相似文献
75.
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1. 相似文献
76.
微连接用无铅钎料及稀土在钎料中的应用现状 总被引:2,自引:0,他引:2
综述了微连接用无铅钎料的应用研究现状,指出SnAgCu系合金因良好的综合性能将成为最有潜力的锡铅钎料替代品。基于对稀土在钎料中应用研究成果的分析,认为添加微量稀土有望成为改善SnAgCu系无铅钎料蠕变性能的重要途径。充分利用我国丰富的稀土资源开发低Ag的SnAgCuRE系钎料,应当成为中国今后无铅钎料研究开发的重点。 相似文献
77.
报道了三种剩余电阻率约为100μΩcm,Al 含量不同的 FeMnAl 合金30K 以下电阻率的负温度系数反常行为.参照样品磁阻,比热,M(?)ssbauer 谱的测量数据,经典的理论模型难于解释本文观察到的结果.所观察到的反常可能来源于在弱局域范畴内电子间库仑相互作用的效应. 相似文献
78.
近年来,大学生的文化素质教育受到高度重视,应运而生的跨系选修课层出不穷,如音乐、美术欣赏,文学作品选读等均受到欢迎.理科中除计算机属热门外,其他选修课均受到不同程度的冷落,特别是对文科学生,问津者更是寥寥无几. 相似文献
79.
本文研究了囚禁^85Rb原子的一维CO2光学晶格的光子带隙。由于大失谐CO2聚焦光束(λ=10.6μm)远离Rb原子的共振频率,原子与晶格光场的自恰作用可忽略,Rb原子被囚禁在周期为d=λ/2=5.3μm的周期性格点上,且单个格点上囚禁的原子数目可以达到10^3,整个晶格形成具有空间周期性调制的介电多层膜系。类似于光子晶体,其光学响应将在晶格频率与共振频率之间产生光子带隙。另一方面, 相似文献
80.