氦原子及类氦离子基态能量的经验公式

通过对氦原子和类氦离子电离能数据的分析 ,找到了一个能够快速计算类氦体系基态能量的经验公式 ,验算了一些类氦离子 (Z=2— 1 5 )的基态能量 ,与实验测量值符合得很好。除了 Li 和 Be 的基态能量的相对偏差为 0 .4 46 %外 ,其他的都低于 0 .4 %。     

RIBLL束流诊断

描述了兰州放射性离子次级束流线(RIBLL)上研制并安装使用的放射性束流(RIB)诊断装置的种类、结构、性能及在AIBLL上的位置和功能.重点叙述了以光纤为基础的几种诊断元件,它们探测效率高、响应时间快、制作容易、性能稳定.给出了RIB¹⁷N等高图,说明诊断装置辅助MBLL得到RIB的水平.     

用离子阱经H2++H2碰撞反应碰撞反应制备H4+

用Ｐｅｎｎｉｎｇ型离子阱经碰撞反应Ｈ２＾＋＋Ｈ２→Ｈ４＾＋产生稳定的Ｈ４＾＋,主要的反应产物是Ｈ３＾＋,但十分明显地观测到Ｈ４＾＋信号。Ｈ４＾＋在阱中稳定存在时间长达０．１ｓ量级,远比Ｋｉｒｃｈｎｅｒ等人测量的１０＾－６ｓ量级长,最后讨论了生成Ｈ４＾＋的反应过程机制。     

离子束辅助淀积低温微光学元件红外宽带增透膜

简要叙述了锗基片微光学元件红外宽带减反膜的设计与制作。着重介绍了离子束辅助淀积制备该膜系的过程，给出了用该方法制作８～１２μｍ波段的减反膜的测试曲线，它具有峰值透过率高，在设计波长范围内的平均透过率大于９７％以上，膜层附着好，可以切割和擦洗，可以在室温和１００Ｋ低温下反复循环使用。     

Isotope shift and hyperfine structure measurements for 155Yb by laser ion source technique

The change in the mean square charge radius and electromagnetic moments of the neutron deficient ¹⁵⁵Yb isotope have been determined using resonance ionization spectroscopy in a laser ion source. The data point to an absence of a marked deformation change for Yb isotopes with N=84−86. Received: 2 October 1997 / Revised version: 24 October 1997     

CHCl3电子吸附速率常数的离子迁移谱

利用电晕放电离子迁移谱, 使用高纯氮气作为载气和迁移气体, 研究了电场强度在200～500 V/cm变化时CHCl₃的解离电子吸附速率常数, 得到样品所对应的电子吸附速率常数为1.26×10^-8～8.24×10^-9 cm³/(molecules s)．利用该装置测量了固定电场下,样品的电子吸附速率常数与样品浓度之间的关系．此外利用所获得的离子迁移谱图得到了不同电场强度下Cl^-与CHCl₃之间的离子分子反应速率常数.     

对称性自发破缺所诱发的种子平行雷诺胁强

根据第二类气球模理论,在托卡马克中诸如不稳定漂移波类的环形局部模将在径向呈现源于环形性的对称性自发破缺。以流体离子温度梯度模模型方程为例,解出在准环坐标系中由对称性自发破缺产生的二维局部模本征模式。在略去边带效应后,它成为具有径向位移修正的平板模式。由位移修正离子温度梯度模式导出了种子平行雷诺胁强,而它在传统的(无位移修正的)平板模式下被证明为零。     

离子色谱测定土壤中Cl~-和SO_4~(2-)

介绍了离子色谱法测定土壤中Cl-和SO24-的可行性以及相关的前处理方法,通过一定前处理方法,减少土壤中杂质对测定的干扰和对色谱柱的污染。有效选取提取液的种类和浓度及提取时间,准确测定了土壤中Cl-和SO42-含量。Cl-和SO42-的相对标准偏差分别为2.70%、2.89%,检出限分别为0.1950、0.2230μg.mL-1,平均回收率分别为106.7%,95.8%。方法简便,快速、灵敏度高。     

Surface defects created by low energy (20 < E < 240 eV) ion bombardment of Ge(001)

Surface defects created on Ge(001) exposed to low energy Xe ions are characterized by in situ scanning tunneling microscopy (STM). The temperature of the sample during ion bombardment is 165 C and ion energies range from 20 to 240 eV. The ion collisions create defects (vacancies and adatoms) which nucleate and form vacancy and adatom islands. For fixed total vacancy creation, the vacancy island number density increases with increasing ion energy: the vacancy island number density is 1.6 × 10⁻²⁰ cm⁻² for 40 eV ion bombardment and increases to 4.4 × 10⁻²⁰ cm⁻² for 240 eV ion bombardment. The increased nucleation rate for vacancies is attributed to clustering of defects. The sputtering yield of Ge(001) is also measured by STM. The sputtering yield for 20 eV ions is approximately 10⁻³ per ion but the net yield for surface defects (sum of adatoms and vacancies) is an order of magnitude higher, 10⁻², due to adatom-vacancy pair creation.     

Comptonɢ���µ��������е����Ӽ���

应用电子与多光子集团非线性Compton散射模型,将入射和散射光作为离子的传输机制,研究了Compton散射下多束相干强耦合激光等离子体中离子的运动,给出了相对论离子动力学方程,并进行了数值模拟。研究发现,散射使光的传播速度减小,系统的矢势和标势增大,由入射和散射光形成的多束相干强耦合激光能使质子加速到5.40GeV的能量,而耦合轴向电场在其中起着关键作用。