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81.
The crystallographic structure and electronic properties of HfNi were studied as a function of pressure by combining X-ray diffraction results with the full potential linearized augmented plane wave (LAPW) calculations. No phase transition was observed up to a pressure of 35.3 GPa, with a total volume contraction of V/V 0 = 0.85, a bulk modulus value of B 0 = 52 ± 3 GPa and B 0 = 1.29 ± 0.26. The calculated linear increase in the V zz value as a function of the pressure induced volume reduction at the hafnium site was attributed mainly to the p–p contribution, while in the nickel site, a non negligible d–d contribution to V zz is also observed, and attributed to the high 3d-partial DOS near the nickel nucleus. Based on the total electronic DOS at E Fermi calculated for 0 K (N(E 0 Fermi)), a value of 6.85 and 5.03 (mJ/mol/k2) was calculated for the band contribution (γ band) to the electronic specific heat coefficient (γ) at a pressure of 0 and 35.3 GPa, respectively.  相似文献   
82.
First the analytical tools, preparation methods and surface crystallography of clean GaAs surfaces are briefly reviewed. Besides the usual methods of cleaving, ion bombardment and annealing, molecular beam epitaxy is mainly used as a growth method under UHV conditions, and has brought a manifold of differently reconstructed structures on the same crystallographic surface, depending on the exact experimental conditions during growth. Quantitative analysis of the surface composition by AES gives the result that these structures differ only in the amount of As in the topmost layer. From the combination of theoretical LEED analysis, UPS results and arguments considering the different physicochemical nature of Ga and As atoms, rehybridisation of the surface atomic bonds emerges as the driving force for reconstruction: the surface Ga atoms try to assume a trivalent planarsp2 and the As atoms a trivalentp3 configuration with three mutually perpendicularp-bonds. The better this rehybridised configuration can be achieved, the better is the chemical stability of the respective structure. The sticking coefficient for oxygen, although generally low, thus varies between ~10-4 and <10-9, depending on the crystallographic surface and, on the same surface, on the degree of surface bond saturation given by the respective structure. However, it emerges that, at least on As-depleted polar surfaces, adsorption proceeds via a mechanism of removal of Ga atoms during exposure and adsorption on the defect sites created in this way. The existence of such a complicated mechanism is consistent with the difficulties arising with the preparation of thick stoichiometric oxide layers, the preparation methods and properties of which are reviewed briefly in the last section.  相似文献   
83.
在对防空反导指挥控制系统敏捷性认识的基础上,通过深入分析,建立相应的评价指标体系。针对目前采用AHP等单类方法进行指标赋权存在的不足,提出基于AHP和RAGA-PPC的防空反导指挥控制系统敏捷性模糊综合评价模型,首先进行指标量化处理,然后综合AHP和RAGA-PPC 2种方法进行指标权重确定,并通过模糊综合评价得到敏捷性评价结果。该评价模型采用主客观综合赋权方法,使评价既能反映决策者意志,又可避免评价结果的主观随意性。最后通过实例分析验证该评价模型的有效性,并基于评价结果的分析提出相关指导性建议。  相似文献   
84.
采用基于密度泛函理论的全势能线性缀加平面波方法(FLAPW),在局域自旋密度近似(LSDA:local spin density approximation)和广义梯度近似(GGA:generalized gradient approximation)及LSDA/GGA+U下,系统研究了强关联5f电子体系Pu_2O_3的晶体结构,弹性参数,电子态密度和电荷密度.优化计算结果表明,LSDA+U的晶格参数a0和c/a与实验值吻合最好,同时也在不同的近似下计算了Pu_2O_3的弹性参数.与此同时,LSDA/GGA+U计算的态密度在费米能级处分别出现约1.8和2.2eV能隙,而LSDA/GGA的计算结果在费米能级处并无能隙,所以对Pu_2O_3的Pu-5f加U能使体系从导体转变为绝缘体,这与实验测定Pu_2O_3是绝缘性很好吻合.此外,电荷密度计算结果表明,与LSDA相比,LSDA+U计算的Pu-O间电荷密度增加且有明显的成键特征.  相似文献   
85.
针对机器人关节控制输入受限以及动力学模型中存在非线性摩擦、柔性变形和未知外部干扰力矩等问题,提出了一种基于径向基函数(radial basis function, RBF)神经网络的输入饱和指令滤波自适应控制方法。基于指令滤波反步法,采用饱和函数约束控制输入的幅值,使用RBF神经网络在线逼近未知干扰,并利用Lyapunov稳定性理论证明了闭环系统的所有误差最终一致有界。仿真结果表明,控制算法不仅使系统的控制输入幅值被严格约束在规定的范围之内,完成了对目标轨迹的高精度跟踪(跟踪误差约为±0.003 rad),而且还可抵抗外部阶跃干扰力矩和建模误差对控制系统的不良影响,保证系统的高精度与强鲁棒性,性能优于PID (propotional integral derivative)控制和普通指令滤波反步控制(command filter backstepping control, CFBC),对机器人关节在高精度领域应用与智能控制具有重要价值。  相似文献   
86.
介绍在工作站上访问文件服务器环境服务功能,提供在应用程序中开发文件服务器服务功能的一种模式。  相似文献   
87.
作者在深入分析内存结构之后,提出了DOS环境下内存优化的策略和方法。包括工具软件的用法以及其优化思想、方法、步骤。  相似文献   
88.
本文给出修改DOS内部命令TYPE的方法,使其不仅能显示文本文件,也能显示WPS文书文件.  相似文献   
89.
本文基于 EHMO 计算讨论了帽氯原子(O_(IV))的位移对 YBa_2Cu_3 O_(i-y)(y0.19)正交相电子能带结构、Fermi 面及 Fermi 面电子态密度的影响,结果表明 O_(IV)原子的位移改善了 YBa_2 Cu_3 O_(i-x)体系的电子能带结构,导致了体系中铜原子价态的混合和 Fermi 面电子态富度的增大,我们的工作证明 O_(IV)原子在其平衡位置附近的振动对 YBa_2 Cu_3 O_(i-y)超导体的高T_c 有重要贡献  相似文献   
90.
图形编辑系统下Undo/Redo操作的设计与实现   总被引:1,自引:0,他引:1  
以命令模式为基础,提出图形编辑系统中Undo/Redo操作的一种实现算法,设计相关数据机构,并给出解决方案.  相似文献   
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