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1.
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic
关键词:
二氧化钒
电阻温度系数
氧分压
射频反应溅射法 相似文献
2.
3.
4.
5.
磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
采用RF磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了择优取向的ZnO薄膜;通过台阶仪、X射线衍射技术、原子力显微镜和分光光度计分别测量了不同溅射功率条件下淀积的ZnO薄膜厚度(淀积速率)、结晶质量、表面形貌与粗糙度、透光光谱,报道了该薄膜结晶质量、薄膜粗糙度与其在可见光区透光率的关系. 相似文献
6.
This paper presents results of studies on dc electrical conductivity and transference number measurements on potassium bromate
(KBrO3) complexed polyvinyl chloride (PVC) films prepared by solution cast technique. Temperature dependence of dc electrical conductivity
and transference number data indicated the dominance of ion type charge transport in these specimens. The magnitude of conductivity
increased with increase in concentration of the salt and temperature. Using this (PVC + KBrO3) electrolyte, solid-state electrochemical cells were fabricated, and their discharge profiles were studied under a constant
load of 100 kΩ. Several cell profiles such as open circuit voltage, short circuit current, power density, and energy density
associated with these cells were evaluated and were reported. The features of complexation of the electrolytes were studied
by X-ray diffraction and Fourier transform infrared spectroscopy.
Paper presented at the Third International Conference on Ionic Devices (ICID 2006), Chennai, Tamilnadu, India, Dec. 7–9, 2006 相似文献
7.
Transition from chaotic to ordered state has been observed during the initial stage of a discharge in a cylindrical DC glow
discharge plasma. Initially it shows a chaotic behavior but increasing the discharge voltage changes the characteristics of
the discharge glow and shows a period subtraction of order 7 period → 5 period → 3 period → 1 period, i.e. the system goes
to single mode through odd cycle subtraction. On further increasing the discharge voltage, the system goes through period
doubling, like 1 period → 2 period → 4 period. On further increasing the voltage, the system goes to stable state through
two period subtraction, like 4 period → 2 period → stable. 相似文献
8.
采用交替沉积磁控溅射工艺制备了超薄多层的FeCoB SiO2 磁性纳米颗粒膜 .利用x射线衍射仪、扫描探针显微镜、透射电子显微镜分析了薄膜的微结构和形貌特征 .采用振动样品磁强计、四探针法、微波矢量分析仪及谐振腔法测量薄膜试样的磁电性能和微波复磁导率 .重点对SiO2 介质相含量、薄膜微结构对电磁性能产生重要影响的机理做了分析和探讨 .结果表明 :这类FeCoB SiO2 磁性纳米颗粒膜具有良好的软磁性能和高频电磁性能 ,2GHz时的磁导率 μ′高于 70 ,可以应用于高频微磁器件或微波吸收材料的设计 相似文献
9.
Formation of p-type ZnO film on InP substrate by phosphor doping 总被引:3,自引:0,他引:3
Kyu-Hyun Bang Deuk-Kyu Hwang Min-Chul Park Young-Don Ko Ilgu Yun Jae-Min Myoung 《Applied Surface Science》2003,210(3-4):177-182
ZnO thin film was initially deposited on InP substrate by radio frequency (rf) magnetron sputtering and the diffusion process was performed using the closed ampoule technique where Zn3P2 was used as the dopant source. To verify the junction formation of ZnO thin films, the electrical properties were measured, and the effects of Zn3P2 diffusion on ZnO thin films were investigated. It is observed that the electrical property of the film is changed from n-type to p-type by dopant diffusion effect. Based on the results, it is confirmed that ZnO thin films can be a potential candidate for ultraviolet (UV) optical devices. 相似文献