萍蓬草的组织培养及快速繁殖的研究

以萍蓬草的嫩根茎为外植体,在附加不同浓度的BA、IAA、NAA和2,4-D的MS、1/2MS或1/3MS培养基上进行了愈伤组织的诱导、愈伤组织的分化、不定芽的生根、试管苗的移栽和移植研究,成功的建立起萍蓬草嫩根茎无性系,达到了快速繁殖的目的。结果表明：MS＋BA0.4-0.8mg·L^-1＋2,4-D1.2mg·L^-1是诱导嫩根茎形成具有分化能力愈伤组织的理想培养基;1/2MS＋AgN031.2mg·L^-1＋BA0.3mg·L^-1＋NAA0.1mg·L^-1是诱导颗粒状愈伤组织和不定芽分化的理想培养基;1/3MS＋IAA0.5mg·L^-1的液体培养基是试管苗生根培养和生根继代培养的理想培养基;试管苗移栽平均成活率为99.4%。     

电动汽车用直-直变换器及控制方法

结合燃料电池汽车 (FCV)的特殊应用场合 ,提出了一种结构简单、转换效率高的直 -直 (DC/DC)变换器拓扑 ,针对其特性及应用控制要求 ,提出一种旨在完成功率流分配的基本控制方法 ,并给出了仿真结果 .     

直流绞车电控系统失励保护的技术改进

本文介绍直流电控系统绞车启动时的特性,通过更改励磁装置的程序,完善电机失励保护系统。     

一种用于宽带系统的可重构模拟基带电路

介绍了一种应用于宽带系统中的可重构模拟基带电路.该电路采用全CMOS工艺,由低通滤波器和可变增益放大器2个模块构成.低通滤波器可通过模拟控制电压调谐转折频率,调谐范围130~430 MHz,不仅兼容了WiMedia与中国标准,而且适用于更高频率的模拟基带信号处理;跨导放大器采用适用于低电压和高频率的Nauta结构,讨论了该跨导结构的共模稳定电路的设计参数对滤波器频率准确性的影响.整个模拟基带链路可以通过数字控制调节增益,其可变增益范围0~44 dB,增益步长1 dB,适用于不同的传输距离.为了避免高链路增益情况下失调的影响,加入了直流失调校正电路,并讨论了直流失调校正电路对主电路增益准确性的影响以及优化设计.设计采用0.18μm CMOS工艺,1.8 V电源电压.在实现可重构功能的同时,仍然拥有零增益时12.5 dBm的IIP3,在同领域处于领先水平.     

船舶微网蓄电池储能系统安全充放电控制策略

为确保船舶微网蓄电池储能系统的安全充放电,提出一种新型充放电控制策略.该控制策略结合双向DC/DC变换器,以蓄电池侧电感平均电流为内环,充电过程外环采用恒压、涓流切换控制方式,放电过程外环采用恒功率、恒压切换的控制方式.以蓄电池剩余容量和端电压状态为约束条件,充放电过程均采用三阶段切换控制模式,详细分析了该控制策略下的运行过程,并对不同模式切换控制下的蓄电池运行特性进行仿真.搭建了一台试验样机,运行结果表明,蓄电池在该控制策略下能够在安全区域高效稳定运行,并具有快速的动态响应能力.     

室温溅射掺铝氧化锌薄膜的微结构及其光学性能

以硝酸铝晶体和氧化锌粉末为原料,Al和Zn摩尔比为3：100,制备了相对密度为96%、电阻率为2.5×10^-2Ω·cm的掺铝氧化锌（AZO）陶瓷靶材.采用直流磁控溅射法,室温条件下,在玻璃基片上制备了AZO透明导电薄膜.利用扫描电镜和X射线衍射分析了薄膜的微结构.薄膜晶粒尺寸大,分布均匀,可见光透过率为89.92%,光学带隙Eg为2.18 e V,Urbach能量Eu为3.9e V,折射率n随波长的增大,先减小后增大,最后趋于稳定.     

直流电流源的特性分析与电路设计

对直流电流源的原理与特性进行了详细的叙述,并将电流源与电压源作了对比分析,介绍了几种常用的直流电流源电路,并设计了两种不同类型的直流电流源。     

均匀设计考察壳聚糖对北柴胡水提液的絮凝澄清作用

利用均匀设计法探讨壳聚糖吸附澄清技术能否代替醇沉淀法用于北柴胡水提液的纯化工艺,采用紫外分光光度法对壳聚糖澄清法及醇沉法沉淀后的药液中柴胡皂苷的含量进行测定.结果表明,壳聚糖吸附澄清法与醇沉法均能使药液澄清,前者更能保留药液中的有效成分,壳聚糖澄清法可替代醇沉法用于精制北柴胡水提液.     

关于磨料磁流体射流可行性的分析

通过对前混合磨料射流和后混合磨料射流进行对比分析,发现了两种磨料射流技术均存在一些技术缺陷。为了解决这些问题,对磁流体推进技术展开研究。通过Fluent软件对磁流体中磨料运动进行分析;并且通过试验装置验证了直流式磁流体推进装置能够对磁流体产生增压效应,形成了直流式磨料磁流体射流。在直流式的基础上,分析了交流式磨料磁流体射流的优点,展望了交流式磁流体推进技术在磨料磁流体射流上的应用前景。通过电磁场方程以及流场方程建立数学模型,分析了其在磨料射流上应用的可能性。     

电化学脉冲腐蚀制备均匀发光多孔硅

采用脉冲腐蚀和直流电化学腐蚀两种方法制备多孔硅,对这两种方法制备的多孔硅样品进行了扫描电镜和荧光光谱测量,发现脉冲腐蚀制备的多孔硅样品比直流腐蚀制备的多孔硅样品表面均匀、硅丝或者硅柱的尺寸较小、发光强度大,而且发光峰位有明显.的蓝移现象.同时我们还发现多孔硅样品的尺寸越小其能带越宽,由此得出多孔硅样品的发光现象符合量子限域解释的多孔硅的发光机制.