不锈钢管道低温溅射镀TiN薄膜技术

 设计了一套适用于加速器细长管道真空室的低温溅射镀TiN薄膜装置。利用该装置，对86 mm×2 000 mm的不锈钢管道真空室进行溅射镀TiN膜实验，并对镀膜实验结果进行分析，得到了适用于加速器管道真空室内壁溅射镀TiN膜的表面处理参数。样品测试结果表明：在压强为80～90 Pa、基体温度为160~180 ℃的镀膜参数下，不锈钢管道内壁获得的TiN薄膜最佳，薄膜沉积速率为0.145 nm/s。镀膜后真空室的二次电子产额明显降低。     

单斜ZnP2负极材料的锂化机理及性能

过渡金属磷化物电位低且比容量高, 是有发展前景的锂离子电池(LIBs)负极材料. 其中, ZnP₂属于双活性负极材料, Zn与P都能与Li⁺发生反应, 储Li⁺性能更具有竞争力. 但是, 对于ZnP₂的锂化机理及产物尚不明确. 采用第一性原理计算和电化学测试方法研究了ZnP₂的电子性质和电化学性能, 通过理论计算和实验测试相结合阐述了ZnP₂的锂化机制. 首先, 以密度泛函理论(DFT)计算揭示了ZnP₂的锂化机理、Li⁺扩散路径、势垒和理论比容量(1477 mAh/g). 其次, 通过直流电弧等离子体法及固相烧结法合成ZnP₂, 并测试其首圈放电曲线, 显示放电容量为1439 mAh/g, 与理论计算结果相近. 此外, 薄膜X射线衍射(XRD)检测最终产物成分为LiZn和Li₃P, 与DFT计算结果一致.     

基于机器鱼尾鳍推进伺服系统的改进控制算法

机器鱼多关节尾鳍受外界负载变化及伺服系统机械结构本身特性的影响会使速度和位置曲线失真,从而影响机器鱼的推进效率.针对机器鱼的尾部推进伺服系统的性能需求,分别用PI(比例-积分)控制器和IP(积分-比例)控制器对直流伺服系统模型建立PWM驱动数字型调速系统.并对PI和IP这2种控制方式的性能进行分析和比较.通过仿真实验表明,IP控制比PI控制性能优良,能满足机器鱼推进系统的需要.     

无刷直流电机的变论域模糊自适应PID控制系统设计

为了改善无刷直流电机的调速性能,针对普通模糊PID速度控制器的缺陷,研究了基于变论域思想的自适应模糊PID控制器及其在BLDCM控制系统中的应用.在Matlab仿真平台下,建立了BLDCM的模型,构建了BLDCM的电流、转速双闭环控制系统,其中转速环采用了变论域自适应模糊PID控制器,电流环采用普通PID控制器.仿真结果表明,与常规PID控制器和普通模糊PID相比,采用变论域自适应模糊PID控制器的优势在于:转速输出无超调、响应速度快、控制精度高,具有较强的鲁棒性和自适应能力.     

一个基于运输规模经济的库存选址模型

介绍了一种新的配送中心(DC)选址模型,在该模型中考虑了一般库存和安全库存成本,同时把从供应商到DC的运输成本也结合进去综合考虑,运输成本是由固定成本加可变成本两部分组成,反映了运输规模经济.     

直流等离子体炬放电特性研究

对于磁约束直流等离子体炬,用氩－氢等离子体的放电体系,研究了等离子体炬几何结构、真空室气压、弧电流、外磁场与比变化等对等离子体炬放电特性的影响。得到了影响等离子体炬宏观和微观参数变化的一些基本规律。     

装有AMT的越野车辆巡航控制技术研究

研究装有AMT的越野车的巡航控制技术. 分析了巡航系统的功能,设计了巡航控制程序的执行流程. 采用模糊PID控制策略,建立了控制参数K_P,K_I与K_D与速度偏差E和偏差变化率E_c的二元函数关系;在大量实验和熟练驾驶员经验的基础上,建立了系统的模糊控制规则表. 在台架上完成了巡航的进入与退出,加、减速功能及恒速控制功能的实验,并进行了模糊PID与普通PID的对比控制实验. 实验结果表明,所开发的基于AMT越野车的巡航控制系统具有良好的性能.     

DC元数据及其在数字图书馆建设中的应用

介绍了DC元数据的概念和内容,分析了数字图书馆建设中的元数据需求,并且给出了一个用基于XML/RDF的DC元数据来描述数字资源的实例。     

基于YAG透明陶瓷制作衍射光栅元件的研究

研究并制作了以钇铝石榴石(YAG)透明陶瓷为基底材料的衍射光栅元件。通过磁控溅射技术在YAG透明陶瓷表面溅射一层均匀致密的金属铬,获得带有硬掩模的陶瓷样品。借助接触式曝光系统进行光刻,反复试验,获得带有衍射光栅的YAG透明陶瓷样品。经光学轮廓仪检测,样品铬膜厚0.072 m,光栅细节得到完好保留。实际光栅的衍射图样再次验证了以YAG透明陶瓷代替传统微光刻基底材料制作衍射光栅的可行性,使得衍射光栅在更为复杂的环境下发挥作用成为可能。     

Temperature Dependence of In-plane Resistivity and Inverse Hall Angle in NLED Holographic Model

In the strange metal phase of the high-Tc cuprates, it is challenging to explain the linear temperature dependence of the in-plane resistivity and the quadratic temperature dependence of the inverse Hall angle. In this paper, we investigate the temperature dependence of the in-plane resistivity and inverse Hall angle in the nonlinear electrodynamics holographic model developed in our recent work. Maxwell electrodynamics and Born-Infeld electrodynamics are considered. Both cases support a wide spectrum of temperature scalings in parameter space. For Maxwell electrodynamics, the T-linear in-plane resistivity generally dominates at low temperatures and survives into higher temperatures in a narrow strip-like manner. Meanwhile, the T-quadratic inverse Hall angle dominates at high temperatures and extends down to lower temperatures. The overlap between the T-linear in-plane resistivity and the T-quadratic inverse Hall angle, if occurs, would generally present in the intermediate temperate regime. The Born-Infeld case with a 0 is quite similar to the Maxwell case. For the Born-Infeld case with a 0, there can be a constraint on the charge density and magnetic field. Moreover, the overlap can occur for strong charge density.