0.18μm CMOS工艺栅极氧化膜可靠性的衬底和工艺依存性

用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Q_bd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, V_bd). 研究结果表明，低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小，而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大，击穿电压测试值也发现与击穿电量 关键词： 薄氧 可靠性 击穿电压 击穿电量     

LaB6在低压强氮气和氦气中的放电特性

 研究了LaB₆在1~10 Pa氮气和氦气中的直流和脉冲放电特性以及放电过程对电极的影响。结果表明，电极直径为5 mm的LaB6氦气放电管在脉冲工作状态下可以长期稳定放电。在脉冲电压为2.2 kV、脉冲宽度10 ms、频率13.3 Hz下，脉冲峰值放电电流超过120 A。氦气放电管在放电过程中，阴极表面有离子的清洗和活化作用，可以使电极的表面逸出功降低，提高放电管的发射能力和稳定性。LaB₆作为气体放电电极具有寿命长、延迟时间短、放电电流大等优点，可用于重复强流脉冲气体放电的高压高速开关器件。     

气体放电等离子体特性测量I-V曲线不对称性的研究

利用气体放电双探针法研究了等离子体的I-V曲线中的电流I相对于电压V轴交点的不对称性,并提出2种可能的解释:一认为是由于两探针表面积不同引起的;二认为是由于探针所在处等离子体电位不等引起的.本文利用仪器的工艺误差和调换放电管电压的方法,对提出的2种可能原因分别进行验证,并指出第二种解释的合理性,并对其进行了理论分析.     

用图像分析限流和分压接法中滑动变阻器的选取

借助Ux-Rap图像分析得出滑动变阻器的选取原则:控制电路采用限流接法时,要求滑动变阻器的最大阻值与被测电阻的阻值接近,即接近为原则;控制电路采用分压式接法时,滑动变阻器的最大阻值应远小于被测电阻的阻值,故在分压接法中,应选择阻值较小而额定电流较大的滑动变阻器.     

一个基于运输规模经济的库存选址模型

介绍了一种新的配送中心(DC)选址模型,在该模型中考虑了一般库存和安全库存成本,同时把从供应商到DC的运输成本也结合进去综合考虑,运输成本是由固定成本加可变成本两部分组成,反映了运输规模经济.     

多环节冲击测量系统方波响应时间的计算

实际的冲击高电压测量系统，通常由多个不同特性的环节组成．作者以最简洁的数学推导式，表达了多环节测量系统方波响应时间的计算方法。借助于这一计算方法．讨论了方波源波形非理想时，它对实际方波响应时间测量值的影响。所提出的反映原始方波质量的技术指标，可比“上升时间”更易确定，而且实用性强．     

变电站自动化系统中一种新智能测控装置设计

介绍了变电站自动化系统一种基于80C196KB控制CPU设计的新型线路单元测控装置。它能完成一条线路的遥测、遥信、遥控和遥脉功能。模拟量测量采用基于快速傅里叶变换的交流采样算法，测量精度高。与上位机的通信提供多种选择方式，人机交互采用点阵液晶显示及薄膜式键盘，开关量状态、脉冲量的采集以及控制输出都采用二次隔离技术，并采用了先进软件抗干扰技术，遥控操作可靠。     

一种短波电台频率合成器的研制

该文介绍一种采用Ｍｏｔｏｒｏｌａ公司ＭＣ１４５１４６和ＭＣ１２０１７／１８蕊片构成的短波电台频率合成器的硬件电路实现方案。频率合成器的输出频率范围２～２９．９９９９ＭＨｚ，频率间隔１００Ｈｚ，换频时间小于０．０１ｓ。文中论述了这种多环数字式频率合成器工作原理，各环路之间对应的频率关系和电路参数的选择，给出了频率合成器的试验结果．     

晶闸管大功率供电系统中的欠支路保护

本文在论述晶闸管大功率供电系统中欠支路运行产生原因的基础上,引出了欠支路保护的重要性;针对当前欠支路保护存在的问题,提出采用交流电流互感器检测欠支路信号这一简单可靠而又准确的方法,分析该检测方法的基本原理,并设计了完整的欠支路保护电路。通过在株州冶炼厂一年来的运行试用,证明了该电路具有调整方便,检测准确,保护可靠等特点。     

Ab initio study of sodium intercalation into metal oxides

Using the full-potential linearized augmented plane wave (FP-LAPW) method, we have studied the effect of chemistry on the average intercalation voltage (AIV) caused by the Na ions intercalating into transition metal oxides. The effect of transition metal was systematically studied by varying M=Co, Ni and Mn in NaMO₂ and fixing the α-NaFeO₂ layered structure. The effect of the guest atoms into the host material is discussed in terms of the structural and electronic properties. Comparatively to Li intercalation, a significant electron transfer towards transition metal was found. This observation suggests that the transition metal contribute to the AIV determination and confirms the common assumption that intercalated electron reduces M⁴⁺ to M³⁺.