CD生产函数与CES生产函数的几点比较

本文对ＣＤ生产函数与ＣＥＳ生产函数进行了几个方面的比较分析，以便于实际运用中的选择。     

浮雕造型机器人运动规划

本文论述了一种结构简单，行之有效的机器人运动规划系统，能迅速判断机器人与工件的关系，实现浮雕造型机器人无碰撞轨迹规划．     

QAM中频调制的实现方案及其比较

正交幅度调制（QAM）在ISDN、ADSL、LDMS、有线电视网络的Cable Modem以及无线广播数字电视等多种宽带接入方式中得到广泛应用。QAM须经过数字调制、矢量调制、中频调制的过程，其中中频调制是将I、Q数字基带信号转换为射频信号的关键环节。本文提出模拟和数字两种实现QAM中频调制的方案，然后对它们进行比较。     

浅谈路由器qos技术

本文主要探讨路由器qos技术在下一代英特网中的应用,分别介绍集成服务(IntSer),区分服务(Dif-ser),以及其它一些探索性的路由器qos技术。     

Kerberos认证系统的分析和改进

首先介绍Kerberos的认证过程，特别是分析Kerberos认证协议的局性性，然后采用RSA加密算法的一种Yaksha改进算法，给出一种公钥认证协议，这种协议由用户验证自己产生的时间戳，这样就解决了时间同步的问题，并且克服了Kerberos的某些局限性。     

WTO《政府采购协议》及其对我国的影响

我国政府采购市场面临着对外开放的必然要求。作为WTO的成员国，无论从理论还是发展趋势看，都应当按照WTO《政府采购协议》建立系统的政府采购制度，以适应国际大市场和国内财政资金管理的要求。     

Study on the Baryon State X Produced in the Process J／ψ→p＋X,X→p＋P

The decay process J/ψ→p X X→p P，where p,p and P are the proton,antiproton and pseudoscalar states,respectively,has been studied in terms of the angular distribution and the generalized moment analysis methods.The result shows that we can identify the spin,but cannot determine the parity of the baryon resonance state X produced in the process J/ψ→p X X→p P.     

一种基于能带工程设计的CaAsSb/InP异质结双极晶体三极管

异质结晶体三极管（HBT）的性能与其材料体系密不可分，利用能带工程可以大大优化器件的结构，提高器件性能，文章从分析HBT的能带结构及设计要求入手，介绍了一种利用能带工程设计的基于GaAsSb/InP材料体系的新型HBT器件的结构及其性能，分析了该器件与其它材料体系器件相比所具有的优异特性，说明了对HBT的各区材料，其带边的相对位置所起的重要作用，最后，文章还报道了近期的实验情况，说明了GaAsSb/InP体系HBT的实际性能与理论预言一致。     

Exciton—Phonon Scattering in CdSe／ZnSe Quantum Dots

A temperature-dependent photoluminescence measurement is performed in CdSe/ZnSe quantum dots with a ZnCdSe quantum well.We deduce the temperature dependence of the exciton linewidth and peak energy of the zero-dimensional exciton in the quantum dots and two-dimensional exciton in the CdSe wetting layer.The experimental data reveal a reduction of homogeneous broadening of the exciton line in the quantum dots in comparison with that in the two-dimensional wetting layer,which indicates the decrease of exciton and optical phonon coupling in the CdSe quantum dots.     

Zn1-xCdxSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数

考虑压力下势垒高度、激子结合能的改变等诸多因素的影响后数值研究了Ⅱ－Ⅵ族ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数，特别是压力系数随阱宽的变化规律。计算表明在SCPA近似下跃迁能量的计算与实验值吻合较好，而在压力系数的计算中必须计及材料的体积弹性模量随温度和压力的变化。证实了ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的压力系数随阱宽增大而减小的结论。