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11.
12.
李宝兴 《杭州师范学院学报(社会科学版)》1990,(6)
本文从晶格模型出发,同时考虑周期场和电子-声子相互作用对激子能态的影响。夫伦克耳激子在晶格中运动有两种不同方式:在低温区,是能带传递;在高温区,是跳跃过程。 相似文献
13.
强受限半导体量子点的形状对受限激子的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在有效质量近似下,采用无限深势阱模型研究了强受限范围内球形、圆柱形、立方形半导体量子点的形状对受限激子的影响。结果表明对于采用体激子的等效Rydberg能量R^*比较大的材料制备的量子点,其形状带来的影响是显著的。 相似文献
14.
15.
Ralph Jaquet 《Theoretical chemistry accounts》1994,88(3):217-232
Summary Bound rovibrational levels have been calculated for NeH
2
+
, NeHD+, and NeD
2
+
using three recent fits to an accurateab initio PES. The NeH
2
+
molecule behaves essentially as a linear molecule, the predicted rotational constant is 2.57 cm–1. The fundamental frequencies are 811, 1189, and 1748 cm–1 for the Ne-H
2
+
stretch, the Ne-H
2
+
bend and H
2
+
stretching modes, respectively.Dedicated to the 60th birthday of Prof. W. Kutzelnigg, Bochum 相似文献
16.
17.
A boundS
l is given for the number of bound statesn
i in thelth partial wave corresponding to a spherically symmetric potential in non-relativistic quantum mechanics. This bound is given
by
whereV
a(l, r) is the attractive part of the effective potentialV(r)+l(l+1)/r
2. Extensive comparative study ofS
i and the Bargmann inequality is made. 相似文献
18.
InxGa1-xN/GaN应变量子点中激子的结合能 总被引:2,自引:0,他引:2
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了InxGa1-xN/GaN应变量子点中的激子结合能随量子点结构参数和量子点中In含量x的变化规律.结果表明,随着量子点高度L和半径R的增加,结合能降低,随着量子点中In含量的增加,激子的结合能增大.对给定体积的量子点,激子结合能存在一最大值,此时电子、空穴被最有效的约束在量子点内.对不同体积的量子点,最大值的位置在量子点高度L=1.7nm附近取得. 相似文献
19.
采用线性组合算符及幺正变换方法研究了量子阱中强、弱耦合束缚光学极化子的性质.导出了量子阱中束缚光学极化子的基态能量与库仑束缚势、电子-LO声子的耦合强度和阱宽的变化关系.通过数值计算结果表明:基态能量因电子-LO声子的耦合强度和库仑束缚势的不同而不同,它随电子-LO声子的耦合强度和库仑束缚势的增大而增大,当电子-LO声子的耦合强度和库仑束缚势取某一定值时随阱宽的增大而增大. 相似文献
20.
库仑场中的束缚光学极化子 总被引:2,自引:0,他引:2
研究库仑场中束缚光学极化子的性质,采用线性组合算符和么正变换方法计算了强弱耦合情形束缚光学极化子的基态和第一激发态能量.计算结果表明:库仑场使束缚光学极化子的基态和第一激发态能量的绝对值变大,激发能量变大.不同离子晶体或不同极化材料中,库仑场对光学极化子的影响效果不同。 相似文献