二维磁结构的扫描隧道显微术研究

文章介绍了近年来利用扫描隧道显微术（STM）对表面和薄膜磁结构的研究进展。二维或表面磁结构可以通过在非磁性单晶上外延磁性单原子层薄膜形成，也可以在清洁的磁性单晶表面形成。利用磁性的STM针尖可以观测到原子分辨的表面磁结构。这将增进人们从纳米尺度对磁性的理解，并推动磁电子学的发展。     

比塔派克斯的根尖诱导效果

目的　探讨比塔派克斯在根尖诱导术中的诱导效果 .方法　选择根尖尚未形成的年轻恒牙牙髓炎或根尖周炎共 112个患牙 (患者 97例 ) .随机分为两组 ,实验组 6 4个牙用比塔派克斯糊剂诱导根尖成形 ,对照组 4 8个牙用氢氧化钙糊剂诱导根尖成形 .结果　实验组根尖诱导效果优于对照组 ,两组间有显著性差异 (P <0 .0 5 ) .结论　比塔派克斯糊剂比氢氧化钙糊剂具有更好的根尖诱导作用     

Fe0.5Cu0.5BaSrYCu2Oy化合物的结构和超导电性研究

实验采用常压和高压分别制备出含铁的FexCu1-xBaSrYCu2Oy（x= 0～1）系列化合物，本文主要研究x=0.5时样品的结构和超导电性.测量结果显示，高压合成的样品均具有超导电性，对于x=0.5的样品超导转变温度Tc(onset)～57K， Tc(0)～40K，而常压合成的样品当Fe含量x>0.3时均不超导.为此，我们利用透射电子显微镜（TEM）研究了该体系的微观结构特性，并通过电子能量损失谱(EELS)揭示出高压合成导致样品中载流子浓度明显高于常压样品，证明样品制备过程中高压有利于超导电性的形成.同时对高压样品中的缺陷和局域晶体结构畸变进行了深入分析.     

扫描力显微术在高聚物薄膜玻璃化转变研究中的应用

简述了高聚物薄膜玻璃化转变的复杂性，并结合文章作者的的一些研究结果介绍了扫描力显微术(SFM)在研究高聚物玻璃化转变中的一些方法，包括观察高聚物薄膜形貌的变化，测量其摩擦力、粘附力和弹性模量等物理量的变化，最后指出SFM是研究高聚物薄膜玻璃化转变的有力工具。     

用于高数值孔径物镜的可调光瞳滤波器

根据矢量衍射理论，提出了一种用于提高高数值孔径显微物镜纵向分辨率的可调二元环形光瞳滤波器，通过改变滤波器的环半径获得不同的纵向分辨率，并利用共焦显微术点扩散函数的乘积性大大地降低了旁瓣相对主瓣的比值。模拟结果表明，这种新型滤波器不仅可以提高高数值孔径物镜的纵向分辨率，同时基本上不影响横向分辨率。     

冈本-Duhamel术治疗先天性巨结肠22例疗效分析

本文观察分析经冈本-Duhamel术式治疗先天性巨结肠22例,男20例,女2例。术后经随访一年以上者排便功能均明显改善。大便失禁及污粪发生原因主要系直肠切缘距齿状线过近或切面不垂直,破坏部分括约肌功能所致。闸门综合症系因环钳旋转过低所致。     

原子力显微术轻敲模式中探针样品接触过程及相位衬度研究

借助简单的有阻尼受迫振子模型，研究了原子力显微术轻敲模式中探针与样品接触时间t_c、样品的表面形变D_z和相位衬度对探针设置高度z_c及样品杨氏模量E_s的依赖关系.结果发现,t_c与D_z均随E_s及z_c的增大而减小，同时探针与样品作用过程伴随很小的能量耗散.对轻敲过程中相移量φ的研究表明，E_s较大的样品有较小的φ，且φ随 关键词： 原子力显微术 轻敲模式 相位衬度     

新式剖宫产术与盆腔粘连的探讨

目的探讨新式剖宫产术引致的盆腔粘连情况,以期改良现有术式,减少或减轻并发症的发生.方法宫下段剖宫产史108例病例进行回顾性研究,比较其盆腔粘连情况.结果两组病例盆腔均有不同程度粘连,两组比较差异无显著意义(P>0.05).结论新式剖宫产术导致的粘连较子宫下段剖宫产严重.     

Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.