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11.
12.
13.
阳离子聚合物/膨润土对苯酚的吸附及其机理研究 总被引:4,自引:1,他引:4
采用阳离子聚合物聚环氧氯丙烷二甲铵(EPI-DMA)和聚二甲基二烯丙基氯化铵(PDMDAAC)分别对钠基膨润土进行了改性,研究了改性膨润土吸附苯酚的机理及其主要影响因素。实验结果表明,膨润土经阳离子聚合物改性后,吸附苯酚的能力大大提高。振荡时间、温度、pH值、离子浓度对阳离子聚合物/膨润土吸附苯酚的性能均有一定的影响。PDMDAAC/膨润土和EPI-DMA/膨润土分别在振荡时间为20min和60min时,达到吸附平衡;温度升高,吸附量下降,不利于吸附反应的进行;pH相似文献
14.
李永平 《曲阜师范大学学报》2003,29(3):55-58
利用泊松方程分析了异质结导带形状,通过数值模拟研究了GaAs/AlAs异型异质结在不同掺杂浓度下的导带图,确定了导带尖峰出现的位置和耗尽区宽度。 相似文献
15.
利用柔性配体(4,4’-二苯醚二甲酸,4,4’-oxydibenzoic acid,H20ba)与Zn(N03)2反应得到了一种新型有机晶体C144H10O5,通过元素分析、x-射线单晶衍射等技术测定了晶体结构,结果表明,配合物属单斜晶系,空间群P2,们n=5.7204(14)A,b=27.473(7)A,c=14.821(4)A,β =90°;z=8;R=0.0555。在有机晶体中,紧邻分子单元通过氢键作用在b轴形成一维链;链间籍氢键相互作用拓展为三维超分子网络。 相似文献
16.
研究了ZnO—B2O3-Na2O(ZBN)玻璃及B2O3复合掺杂对陶瓷的烧结性能及微波介电特性的影响.研究表明,在990℃,掺入质量分数3wt%ZBN+0.7wt%B2O3,陶瓷微波介电性能最佳:εt=31.8,Qf=13230GHz,τf=-5.2ppm/℃. 相似文献
17.
对由Al_yGa_(1-y_As,Al_xGa_(1-x)As和GaAs三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究.通过改变材料组分和层厚,发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时,对应的自族向上和自族向下的子带产生劈裂,而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方. 相似文献
18.
研究了半导体内弱耦合二维自旋磁极化子的磁场和温度特性.在有限温度和外加均匀恒定磁场的情况下,应用么正变换和线性组合算符法给出了GaAs晶体内极化子平均数与磁场和温度的依赖关系的理论表示,也作了数值分析.数值计算的结果表明:在某一确定的温度下,弱耦合二维自旋磁极化子平均数随磁场的加强而减小;磁场较弱或温度较高时,平均数变化较剧烈;磁场较强或温度较低时,平均数变化较平缓;当外加磁场确定时,弱耦合二维自旋磁极化子平均数随温度升高而增大;当温度较低或磁场较强时,平均数变化偏离线性关系;当温度较高或磁场较弱时,其变化接近线性关系. 相似文献
19.
GaAs MMIC开关MESFET电路建模技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
基于Agilent公司的IC—CAP软件及GaAs圆片工艺加工线,研究了砷化镓微波毫米波单片集成电路(GaAsM—MMIC)开关MESFET电路建模技术及其应用。讨论了MMIC设计中电路建模技术的重要性,提出了高精度GaAs MMIC开关MESF田简化电路模型及不同栅宽模型参数的比例缩放方案,扩展了电路模型的应用频率范围,解决了电路模型参数提取中的关键问题,如:开关MESFET模型的版图设计、微波探针校准图形的设计、电路模型参数的提取、统计和确认。采用该技术提取的电路模型参数,成功研制出GaAs MMIC控制电路系列产品,验证了该方法的有效性。 相似文献
20.
根据通常负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的能级特点,提出延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的理论设计,设计出了特殊的负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓.通过对两种负电子亲和势二次电子发射材料的二次电子发射系数的理论值进行比较和分析,得出:当原电子入射能量较低时,两种材料的二次电子发射系数差值较小;当原电子入射能量较高时,两种材料的二次电子发射系数差值较大,而且随着原电子入射能量的升高,两种材料的二次电子发射系数差值也在增大. 相似文献