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101.
试论饭店员工忠诚度管理 总被引:2,自引:0,他引:2
人力资源供过于求,人才资源供不应求,这是当今饭店业人力资源的现状.对员工进行忠诚度管理,培养与维系员工的忠诚感,建立一支与饭店共发展的员工队伍,留住优秀人才,已成为饭店业人力资源管理的重要内容. 相似文献
102.
电磁加载下的高能量密度物理问题研究 总被引:1,自引:0,他引:1
1物质的高能量密度状态文中所述的高能量密度状态是指物质由于受到外界能量输入或自身能量转换,使其内能增大而造成的高压力、高密度和高温度状态。能量的体积密度的量纲等同于压力的量纲,由此可知内能增加量为1MJ/cm3时,物质内部的压力约为1TPa量级。通常认为在高能量密度状态下,固体物质的可压缩性应有显著影响,气态物质应达到接近极限压缩的程度,相当于0.1TPa或0.1MJ/cm3的内能密度。密度为0.01g/cm3的物质被加热到100eV,其压力则为0.1TPa,对氢气而言比能量约10MJ/g。高能炸药PBX-9404的化学反应能密度约为0.0096MJ/cm3,爆压为36… 相似文献
103.
Using high-dimensional quantum error-avoiding code, we present two new quantum key distribution protocols over a collective noisy channel, i.e. six-photon and five-photon quantum error-avoiding codes. Compared with the previous protocols using four-photon and three-photon quantum error-avoiding code, the qubit efficiencies of the new protocols have increases of 16.67% and 5% respectively. In addition, the security of these protocols is analysed with a conclusion that the new protocols are much more secure than the four-photon and three-photon ones. 相似文献
104.
105.
生活在不同文化背景下的人们,由于不同的思维方式和价值观念,在交往过程中难免会产生矛盾。本文以此为切入点,借助爱德华.霍尔关于高背景文化和低背景文化的研究成果,对大量存在于《喜福会》中的文化隔阂和冲突现象进行解析。事实说明,不同文化间的交往需要相互尊重和理解。爱和真诚永远是沟通心灵的桥梁、连接世界的纽带,是全世界不同文化背景下人们的共同心声。 相似文献
106.
107.
近些年来向量值测度的 Radon—Nikodym 性质在 Banach 空间理论的研究中得到了广泛的应用,获得了不少结果。本文主要讨论了 Banach 空间的高次对偶空间中的 Radon-Nikodym性质,并给出了著名的 Rosenthal 问题一个部分解答。本文总假定 X 是 Banach 空间,X~*,X~(**)和 X~(n)分别表示 X 的一次、二次和 n 次对偶空间。 相似文献
108.
刘知路 《攀枝花科技与信息》2005,30(4):18-20
钛将成为继铁、铝之后崛起的“第三金属”。钛在自然界中主要以钛铁矿、天然金红石、钒钛磁铁矿等形式存在。纯钛外观似钢,具有银灰光泽,密度4.5g/cm^3,只相当于钢的57%,强度与硬度与钢接近,钛同时兼具钢(强度高)和铝(质地轻)的优点,高纯钛具有良好的高温强度、可塑性及耐腐蚀性。 相似文献
109.
3.2电磁驱动的高能量密度动力学研究3.2.1固体套筒内爆动力学实验磁力驱动下高速内爆的金属套筒是一个柱形会聚撞击器(又称为飞层),可用来进行冲击压缩和许多流体动力学实验,为此当撞击内部靶芯时套筒内表面附近必须接近于固体状态的密度,因而称为固体套筒。如同气体炮是标准的平面冲击加载装置那样,电磁驱动的固体套筒是柱面会聚冲击实验的通用平台,其能力和精度明显超过爆轰会聚装置,而且没有爆炸带来的种种不便之处。为了用各种材料作撞击器,在轻质良导体(如铝)驱动筒内侧衬上用所需材料制作的薄筒,组成所谓复合套筒。固体套筒内爆动力学… 相似文献
110.
研究了HfN/HfO2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO2高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO2 高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征: HfN/HfO2 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负 偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生,并由此产生了Si+陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ,这种Si+陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生.
关键词:
高K栅介质
负偏置-温度不稳定性(NBTI)
反应-扩散(R-D)模型 相似文献