Al2O3加掺杂Cr^3＋,Cr^4＋离子EPF零场分裂的理论解释

在晶体场理论基础上，研究了刚玉Ａｌ２Ｏ３中分别掺杂Ｃｒ＾３＋和Ｃｒ＾４＋的ｄ－ｄ电子光谱和ＥＰＲ零场分裂Ｄ，理论计算同实验值符合好，研究表明，掺杂晶体Ａｌ２Ｏ３：Ｃｒ＾４＋中络离子（ＣｒＯ６）＾８－局城结构应在压缩的三角畸变（△θ≈３°）这是零场分裂Ｄ反常大（≈７ｃｍ＾－１）的重要原因。     

基半群为O—J—严格单半群的零直并的代数

设Ａ是代数闭域Ｋ上的一个具乘基Ｂ的有限维含幺结合代数，称半群Ｂ∪（０）为Ａ的基半群。本文给出了０－Ｊ－严格单半群的定义，对于基半群为Ｏ－Ｊ－严格单半群的零直并的代数，完全研究了它的代数表示型。     

半模的诣零根与幂零根

本文引进半模的诣零根与幂零根的概念,证明了半模的诣零根与Noether半模的幂零根都是Kurosh意义下的根性。     

“Г—环中存在强诣零根”的命题是错误的

本文针对Ｃｏｐｐａｇｅ与Ｌｕｈ的论文中定理５．４，用一个实例有力地指出该定理是错误的，这个实例指出，尽管任何一个结合环都有一个诣零根，但推广到Г－环中，并不是任何一个Г－环都有强诣零根，因而Г环决不是结合环的平行推广．     

Vasicek债券定价模型的推广形式

V asicek债券定价模型假定即期利率r(t)遵循O-U过程,利率的长期均值θ为一个常数.对此进行推广,假设θ遵循一个离散跳跃过程,跳跃的次数与幅度由中央银行根据物价指数确定,建立一个新的模型.运用Ito引理和无套利原理给出到期日价值为1的零息票债券的定价公式.     

精密垫片精冲工艺有限元分析与模具设计

精密垫片零件，如图1所示，零件材料为1Cr18Ni9Ti，强度大（σb=650MPa），有一定塑性。从零件尺寸精度看，φ4mm外圆为IT7级精度，φ4mm外圆与φ2mm内孔有很高的同轴度要求，冲裁断面与零件两端面有垂直度要求，普通冲压不能达到零件精度：从工序的角度看，有冲孔和落料工序，剪切面粗糙度Ra≤3．2μm，属于光洁冲裁范畴；另外，技术条件中要求零件两大面不得有任何划伤，且光滑平整。总体上看，该零件的冲压加工性不好，难度较大，对模具的设计、选材、制造要求都较高。     

关于态射的Drazin逆

给出了态射的Drazin逆存在的条件及显式表达式，改进并推广了[1]、[2]与[3]中的一些主要定理。     

静电场中零电势点的确定和电势的计算

在静电场中,零电势点位置的确定,对电势计算的方便与否起着致关重要的作用.下面就4种情况,简述零电势点位置的确定及相应电势的计算公式.1 点电荷电场中各点电势的计算 例1 设一带电量为Q的点电荷,放在相对电容率为εT的无限大均匀电介质中,求空间各点的电势.     

CAD/CAPP/CAM集成技术原理与应用

对CAD/CAPP/CAM集成技术进行了分析和讨论，将特征造型技术方法应用于实际，并详细地阐述了CAD/CAPP/CAM集成系统的总体设计方案及运行过程。