Reissner-Nordström de Sitter黑洞的量子隧穿效应

运用Parikh的量子隧穿模型,研究了Reissner-Nordstr(o)m de Sitter黑洞的量子隧穿效应.结果表明,在能量守恒的条件下,黑洞外视界和宇宙视界处的粒子出射率与Bekenstein-Hawking熵有关,辐射谱不再是严格的纯热谱.     

一维无序体系电子跳跃导电研究

建立了电子隧穿电导模型,推导了一维无序体系新的直流电导公式.通过计算20000格点无序体系的直流电导率,分析了直流电导率和温度及外场电压的关系,讨论了无序度对直流电导的影响.计算结果表明,无序体系的直流电导率随无序度的增加而减小;外加电场较小时,电导率相对较大,且出现一系列峰值,电压较大时,电导率反而较小;无序体系在低温区出现了负微分电阻特性,电导率随温度的升高而增大,在高温区电导率随温度的升高而减小.计算结果和实验符合很好 关键词： 无序体系 电子隧穿 直流电导率     

磁场下合成Fe3O4粉体的隧道磁阻

通过在半金属Fe₃O₄合成过程中外加磁场的方法，改变样品粒子的表面结晶状态和晶格缺陷，研究了由此引起的Fe₃O₄输运性质的变化.合成的Fe₃O₄粉体的主要导电机理均为自旋极化隧穿和高阶跃迁电导，电阻随温度升高成指数降低，电阻与电压显示了非线形相关性，磁阻与磁场的关系为蝴蝶形，是典型的隧道磁阻特征.与没有外加磁场时合成的样品比较，外加磁场合成的样品显示了更低的电阻和更高的磁阻.     

三层单负材料结构中电磁波模分析

本文分析了由负介电常数材料和负磁导率材料交替排列组成的一维三层结构中的电磁波模式,包括传播模及波导模.传播模对应于入射的行波模,着重研究了发生共振隧穿时场分布和透射谱随入射角度的变化关系,发现改变结构参数时共振隧穿频率会劈裂成两个,且这两个隧穿模的频率间距随着中间层厚度的减小而逐渐加大.波导模是指在结构两边的半无限真空中以倏逝场形式存在的电磁模式,分析了它的存在条件即色散关系,发现这种模在材料的交界面处会出现较强的局域场. 关键词： 单负材料 共振隧穿 传播模 波导模     

科学家让光子“穿墙遁壁”

据物理学家组织网报道，英国剑桥大学卡文迪什实验室的科学家首次利用光让电子穿过了经典力学里无法穿越的“墙壁”（势垒），实现了量子隧穿，科学家们有望借此研制出新的凝聚态。     

晚发性维生素K缺乏治疗研究

晚发性ＶＫ缺乏是婴儿期常见的出血性疾病，以颅内出血多见，起病急，病情进展迅速，病死率高，后遗症严重。本文对４８例晚发性ＶＫ缺乏致颅内出血患儿采用常规静脉注射ＶＫ进行了治疗观察，酌情输鲜血，使用甘露醇及抗生素。对其中１０例病情危重儿进行了腰穿放液治疗。经随访对照观察，腰穿放液治愈率明显提高，表明晚发性ＶＫ缺乏除常规应用ＶＫ等综合治疗外，早期采用腰穿放液治疗是控制病情进展的有效措施，可防止和减少后遗症     

隧穿谱的研究进展

隧穿谱适宜于研究表面和界面的物理化学性质．它具有灵敏度高、谱范围宽和不受光学跃迁那样的选择定则限制等优点．本文介绍了隧穿谱的测量原理及其在探测分子的振动跃迁、电子跃迁，测量超导能隙和研究生物辐射损伤等方面的应用．对扫描隧穿显微镜（ＳＴＭ）的针尖－平面电极构成的隧道结构和金属－氧化物－金属平面型隧道结构作了比较，分析了它们用于测量隧穿谱时的优缺点，ＳＴＭ将促进隧穿谱研究的进一步发展．     

集成单电子晶体管的研究动态

随着微电子器件集成度的提高，芯片上的功能元件尺寸不断减小．国外（如日本东芝公司）已建立０－１μｍ生产线，国内也正研制０－３５μｍ的集成电路．但进一步减小功能元件尺寸的更高集成度的芯片的性能将因量子涨落和散热等问题而非常不稳定，解决这些问题的出路在于选择功耗低并能抑制多种涨落的单电子晶体管．单电子晶体管因它的体积小、无引线集成和极低的操作功率等特点，其高度集成化可远远超越目前大规模集成化的极限并达到海森伯不确定原理设定的极限，是将来不可被取代的新型器件．单电子晶体管由一个量子点和两个分别与源和漏耦…     

减小破甲弹穿深跳动量的工艺研究

该文分析了造成破甲弹穿深跳动量大的主要因素，针对药型罩加工精度、药型罩材质的影响，以及装药均匀性、装药精度、起爆仿心等因素的影响，研究利用常规工艺减小穿深跳动量的措施。并以φ５６ｍｍ口径破甲弹进行了实验研究。结果表明，该文提出的破甲弹常规制造工艺措施，是经济可靠的，能有效控制１０发１组的穿深跳动量在±５％，达到国外精密装工工艺同等水平。     

量子隧穿中的等效势垒

本文给出等效垫垒的概念及性质，利用等效势垒的性质可以使量子遂穿中的有关问题更容易解决。