首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2469篇
  免费   666篇
  国内免费   393篇
化学   316篇
晶体学   41篇
力学   116篇
综合类   39篇
数学   38篇
物理学   1082篇
综合类   1896篇
  2024年   29篇
  2023年   77篇
  2022年   111篇
  2021年   90篇
  2020年   71篇
  2019年   67篇
  2018年   55篇
  2017年   73篇
  2016年   72篇
  2015年   104篇
  2014年   211篇
  2013年   162篇
  2012年   165篇
  2011年   174篇
  2010年   163篇
  2009年   169篇
  2008年   218篇
  2007年   179篇
  2006年   178篇
  2005年   142篇
  2004年   107篇
  2003年   132篇
  2002年   100篇
  2001年   107篇
  2000年   98篇
  1999年   76篇
  1998年   79篇
  1997年   59篇
  1996年   48篇
  1995年   27篇
  1994年   29篇
  1993年   30篇
  1992年   28篇
  1991年   25篇
  1990年   18篇
  1989年   16篇
  1988年   14篇
  1987年   10篇
  1986年   7篇
  1985年   3篇
  1984年   1篇
  1983年   1篇
  1982年   1篇
  1979年   1篇
  1958年   1篇
排序方式: 共有3528条查询结果,搜索用时 218 毫秒
11.
具有室温巨隧道磁电阻效应与高自旋极化率的新材料   总被引:1,自引:0,他引:1  
都有为 《物理》2002,31(4):203-204
回顾了隧道磁电阻效应发展简史及其应用,报道了锌铁氧体/氧化铁二相纳米复合材料在室温具有巨磁隧道电阻效应的实验结果,该实验结果表明锌铁氧体是具有高自旋极化率的一类新材料,值得进一步开展相关的研究工作.  相似文献   
12.
一种锰铜压阻测量新方法   总被引:5,自引:2,他引:3       下载免费PDF全文
 简单分析了几种常用的恒流供电锰铜压阻测量方法,并对这些测试方法的特点和不足进行了讨论。最后介绍一种利用数字示波器进行高保真高精度测量的方法,利用此法不仅提高了压力测量的精度,并且把小阻值锰铜压力计的测量范围向低端扩展到0.17 GPa。  相似文献   
13.
Phase change memory (PCM) cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state (higher resistance state) to the crystalline state (lower resistance state). The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low (only several μA). An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad(Si), which makes it attractive for space-based applications.  相似文献   
14.
一维无序体系电子跳跃导电研究   总被引:5,自引:1,他引:4       下载免费PDF全文
徐慧  宋韦璞  李新梅 《物理学报》2002,51(1):143-147
建立了电子隧穿电导模型,推导了一维无序体系新的直流电导公式.通过计算20000格点无序体系的直流电导率,分析了直流电导率和温度及外场电压的关系,讨论了无序度对直流电导的影响.计算结果表明,无序体系的直流电导率随无序度的增加而减小;外加电场较小时,电导率相对较大,且出现一系列峰值,电压较大时,电导率反而较小;无序体系在低温区出现了负微分电阻特性,电导率随温度的升高而增大,在高温区电导率随温度的升高而减小.计算结果和实验符合很好 关键词: 无序体系 电子隧穿 直流电导率  相似文献   
15.
4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
就如何在4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究,并对磁性隧 道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论.利用现有的光刻设备和工艺条 件在4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结,其结电阻与面积的积 矢的绝对误差在10% 以内,隧穿磁电阻的绝对误差在7% 以内,样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性,可以满足研制磁随机存储器存储单元演示器件的基本要求. 关键词: 磁性隧道结 隧穿磁电阻 磁随机存储器 4英寸热氧化硅衬底  相似文献   
16.
探讨了体效应振荡器特性观测与使用实验中,编写实验原理要应用能带结构解释负阻特性并通过对偶极畴生长和运动过程的描述说明振荡原理,提出了实验教学方案,从教学效果上分析了开设此实验的意义及合理性。  相似文献   
17.
本文实验发现具有较大密度和较高速度的93W钨合金长杆模拟弹的穿靶深度反而比密度较小,速度较低的90W钨合金长杆弹的穿靶深度小.针对这一现象,本文从两种材料在侵彻环境下的细观响应特性的差异上给出了有实验根据的合理分析,结论是90W在侵彻环境下较易于形成绝热剪切带,从而在弹头部发生“自锐化”效应所致.  相似文献   
18.
封面说明     
《物理通报》2004,(8):15-15
  相似文献   
19.
在分析了常规PID控制算法后,结合水阻极板控制的特点,提出应采用“带死区和滞环的饱和非线性调节器”实现极板控制和定位,并对控制系统稳定性进行了分析.  相似文献   
20.
研究了一维介观结链中的电势分布随各岛上门电压和电子数分布的变化关系,并发现在一个岛上加一个门电压会产生一个静电势孤子.通过调节门电压可以较好地控制静电势孤子的形状及其位置,从而达到对电荷孤子的有效控制. 关键词: 电荷孤子 介观结 单电荷隧穿  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号