全文获取类型
收费全文 | 1912篇 |
免费 | 273篇 |
国内免费 | 603篇 |
专业分类
化学 | 966篇 |
晶体学 | 70篇 |
力学 | 22篇 |
综合类 | 23篇 |
数学 | 4篇 |
物理学 | 420篇 |
综合类 | 1283篇 |
出版年
2024年 | 10篇 |
2023年 | 46篇 |
2022年 | 60篇 |
2021年 | 54篇 |
2020年 | 55篇 |
2019年 | 39篇 |
2018年 | 45篇 |
2017年 | 35篇 |
2016年 | 58篇 |
2015年 | 71篇 |
2014年 | 137篇 |
2013年 | 100篇 |
2012年 | 112篇 |
2011年 | 117篇 |
2010年 | 134篇 |
2009年 | 151篇 |
2008年 | 138篇 |
2007年 | 106篇 |
2006年 | 133篇 |
2005年 | 114篇 |
2004年 | 121篇 |
2003年 | 93篇 |
2002年 | 73篇 |
2001年 | 82篇 |
2000年 | 97篇 |
1999年 | 54篇 |
1998年 | 64篇 |
1997年 | 55篇 |
1996年 | 54篇 |
1995年 | 66篇 |
1994年 | 54篇 |
1993年 | 38篇 |
1992年 | 45篇 |
1991年 | 31篇 |
1990年 | 44篇 |
1989年 | 37篇 |
1988年 | 26篇 |
1987年 | 17篇 |
1986年 | 11篇 |
1985年 | 4篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 3篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
排序方式: 共有2788条查询结果,搜索用时 0 毫秒
811.
锌电极有机复配缓蚀剂的性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
应用极化曲线、表面张力、放电实验和SEM等测试方法,研究了阴离子表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(简称SDBS)和非离子表面活性剂吐温-20(简称Tween)之复配体系(简称ST)在碱性介质中对锌电极电化学性能的影响及其作用机理.实验表明,复配缓蚀剂ST具有比单一添加SDBS或Tween更高的缓蚀效率,并且二者具有明显的协同作用,Tween在复配体系中的作用是使活性物质于锌电极表面的临界胶团浓度显著降低,吸附分布更加均匀.从而可更有效的抑制锌电极腐蚀,改善锌电极的表观形貌,达到延迟钝化的效果,使活性物质利用率得到显著提高. 相似文献
812.
813.
羰基化合物的还原偶联是形成C-C键的重要方法.早在本世纪初,有人就研究了醛酮的电解还原偶联反应,但所用的电极为Hg、Pd、Pt、Cd等,且电解过程有诸多不便.八十年代中期出现了一种以消耗性金属Mg、Al、Zn为阳极,石墨等为阴极的有机电极合成方法[1]. 相似文献
814.
用1-(2-吡啶偶氮)-2-萘酚(PAN)修饰铅笔芯电极研究锌的差分脉冲阳极溶出伏安特性。测得锌在PAN修饰的铅笔芯电极(PCPE)上,于-0.92V处有良好的溶出峰。峰电流ip与锌离子浓度在4.0×10-7~4.0×10-5mol·L-1范围内呈良好的线性关系。用以测定植物中的微量锌,与原子吸收法测定结果基本一致。并初步探讨了该修饰电极对锌的富集和溶出机理 相似文献
815.
817.
方文焕 《华侨大学学报(自然科学版)》1987,(4):401-405
酒中微量锌与饮酒人的健康有很大的关系。本文提出用阳极溶出伏安法直接测定酒中微量锌,探讨了酒中锌的阳极溶出行为及其测试的最佳条件,在pH=5-6的NH4Cl—HCl底溶中,使用铂基汞膜电极及大面积银汞膜参比电极,富集电位-1.3v,测量锌的溶出峰,Ep=-0.68v,波形良好,不需要分离和化学富集,方法简单,快速,线性范围为2-100ppb,酒中含锌25ppb的相对标准偏差为1.0%,灵敏度0.2ppb,回收率为99—107%之间。 相似文献
818.
铅及铅锑合金阳极膜中硫酸铅的氧化过程 总被引:2,自引:0,他引:2
应用电位阶跃和交流阻抗法分别研究铅和Pb-5wt% Sb合金在4.5mol·dm^-^3H~2SO~4(30℃)中于1.3V(vs. Hg/Hg~2SO~4, 下同)生长20min后的阳极膜在0.9V还原5min后再在1.4V将膜中硫酸铅氧化的过程。实验结果表明在0.9V还原二氧化铅而得到的硫酸铅能在1.4V于1min内氧化为二氧化铅。这是由于此种硫酸铅处于硫酸铅颗粒表层的缘故。至于颗粒内部由铅直接生成的硫酸铅的氧化为二氧化铅就要缓慢得多。合金中的锑能使二氧化铅晶核形成和生长速率显著降低。 相似文献
819.
n^+-Si在0.25~1.0%HF溶液中无光照和光照下的伏安曲线均明显地分为三段:在低极化下呈线性关系, 对应于硅的阳极溶解, 形成多孔硅层(PSL); 在中间电位区, 电极部分表面为硅氧化物所覆盖, 阳极溶解和非均匀电抛光过程同时进行; 在高极化区, 全部表面为硅氧化物所覆盖, 发生均匀的电抛光过程。在上述三个区域中由交流阻抗测得的特征电容环和电感应环的变化, 揭示了由单一阳极溶解逐渐转变为均匀抛光过程的一些细节, 定性地说明了n^+-Si上进行的竞争性反应的速率是随电位而改变, 并受光照影响。 相似文献
820.
借助扫描电子显微镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)研究在不同处理条件下,GaP晶片表面硫化物钝化对其结构、形态以及表面形貌的影响。实验结果表明:经过CH3CSNH2溶液一定时间钝化处理后,GaP表面氧化物基本消失,形成薄的硫化物钝化层和较强的Ga-S、P-S键,并引起X光电子能谱的Ga、P芯能级化学位移,Ga的硫化物有较好的稳定性。 相似文献