碳化硅量子点荧光标记技术及其生物学应用

通过一步法完成SiC量子点的合成和表面改性,并对其微观结构、光学性质和理化性质进行了表征,结果表明该量子点半径小于激子波尔半径,导致了量子限制效应现象而产生光致发光,通过对其红外光谱的分析发现碳化硅量子点表面既已耦合了巯基,因此该量子点可以作为量子点标记技术中又一种新型的标记材料,然后用SiC量子水相溶液对有、无根皮苷环境下的串珠镰刀菌进行标记并长时程荧光成像,同时让已成功标记的该菌侵染苹果植株幼苗,试验表明,根皮苷能够促进串珠镰刀菌的生长,主要表现在菌落成长的速度和数量上,进一步研究发现,串珠镰刀菌生长态势随周围环境中根皮苷含量的增加而更趋旺盛,此外串珠镰刀菌对苹果幼苗侵染的动态示踪过程表明幼苗的第一感染部位为根毛区.     

烧结温度对红色长余辉发光材料Ca0.8Zno.2TiO3∶ Pr3+,Na+性能的影响

采用溶胶凝胶燃烧法合成了Ca0.8Zn0.2TiO3∶Pr3+,Na+纳米红色长余辉发光材料,利用XRD、SEM、荧光分光光度计、热释光谱仪和照度计研究了烧结温度对样品物相、形貌以及发光性能的影响.结果表明:煅烧温度为600℃时生成了CaTiO3相,当烧结温度大于700℃时,出现了Zn2TiO4相;随煅烧温度的升高,样品的晶粒逐渐变大,平均晶粒尺寸均小于100nm;不同温度下样品的激发峰位于328nm,发射峰位于613 nm,归属于P,+的1D2-3 H4跃迁;当烧结温度为800℃时,样品的初始亮度和余辉时间最佳,其分别为2000 mcd/m2和10 min(≥1mcd/m2).     

网络流量自相似性产生原因的分析

网络业务自相似性已经引起了人们广泛关注,一些研究表明自相似性是网络业务中的一个普遍特性,网络自相似性表现出了与传统模型不同的特征。对网络业务自相似的相关理论作了阐述,对网络业务自相似相关研究工作进行了细致研究,在此基础上初步分析了网络业务自相似产生的原因。     

螺旋面工件各离散点处一阶导数的计算方法研究

文章提出一种已知螺旋面工件端面截形或轴向截形上一系列离散点坐标而未知其曲线方程时,求取各离散点处一阶导数的新的求解方法,即以累加弧长为参变数,利用参数样条法求一阶导数;以Visual C++6.0为开发平台,开发相应的计算软件并分析计算误差。实例分析结果表明,与传统计算方法相比,该文所提出的求解螺旋面工件各离散点处一阶导数的求解方法计算精度更高,能满足现今刀具设计行业对加工刀具更高效率、更高精度的设计要求。     

长脉冲keV X射线源的辐射特征

利用神光Ⅱ第九路2 ns长脉冲激光束作用厚钛固体靶,研究了产生的keV X射线源的辐射区域和总辐射功率的时间行为。结果表明：在长脉冲激光作用厚固体靶时,硬X射线线辐射功率的时间行为以及辐射体积的时间行为与激光脉冲波形一致;长脉冲时,等离子体2维膨胀效应非常显著,keV X射线线辐射的径向辐射区域在激光焦斑尺寸附近达到饱和,导致X射线线辐射功率出现饱和,且keV X射线线辐射的辐射体积正比于焦斑尺寸的3次方。从理论和实验角度研究了在同样入射激光能量下,辐射功率随激光焦斑尺寸的变化关系,发现keV X射线线辐射的饱和辐射功率正比于焦斑尺寸的5/3次方,理论结果与实验结果一致。并讨论了相同基频输出激光能量下,keV X射线辐射总功率随激光波长的变化关系,发现即使考虑了倍频效率的影响,短波长激光仍然有利于keV X射线的发射。     

光程差计算中的近似问题

指出某些教材在计算相干光的光程差时，存在不妥当的近似。     

Eu2+,Dy3+共掺杂硼铝锶长余辉玻璃陶瓷

首次介绍了一种新型长余辉材料:Eu^2 ,Dy^3 共掺杂硼铝锶长余辉玻璃陶瓷，该玻璃陶瓷用紫外灯、日光、荧光灯均可激发，发射黄绿色余辉，余辉的发射峰位于516nm，来自于Eu^2 的5d→^8S7/2跃迁。用12000 lx的荧光灯激发样品20分钟，停止激发后10秒时，该玻璃陶瓷的余辉亮度为3．53cd/m^2，色坐标为：x=0.2842,y=0.5772;停止激发后5小时55分钟，该玻璃陶瓷的余辉亮度为0．01cd/m^2；停止激发30小时后，余辉在黑暗中仍肉眼可见。文中对该玻璃陶瓷的相关性质进行了表征，并提出了可能的长余辉机理。     

长枝沙菜Hypnea Charoides次级代谢物的分离与结构鉴定

对采自中国南海的红藻长枝沙菜 Hypnea Charoides的次级代谢物进行研究 ,从中分离得到 4个化合物 ,通过核磁共振、质谱等现代波谱分析技术确定其结构为 :豆甾 - 5 ,2 2 -二烯 - 3β-醇 - 3- o- β- D-吡喃葡萄糖甙 ( Ⅰ)、1 - o-十六碳酰基 -甘油酯 ( Ⅱ )、棕榈酸 ( Ⅲ )、正二十四烷 ( Ⅳ ) ,这些化学成分均首次从长枝沙菜中分离得到。