氢化物发生ICP-AES法测定药用植物中的痕量锗

本文应用氢化物发生ＩＣＰ－ＡＥＳ法研究了药用植物样品中痕量锗的测定方法，系统地研究了ＩＣＰ－ＡＥＳ仪器参数及氢化物发生条件对锗谱线信背比的影响，考察了１３种共存元素的干扰，并比较了植物样品的３种前处理方法。选定Ｈ３ＰＯ４－ＨＮＯ３－Ｈ２Ｏ２消化，在３ｍｏｌ／ＬＨ３ＰＯ４介质中，以１５ｇ／ＬＮａＢＨ４还原，测定药用植物样品中的锗，相对标准偏差≤２．９％，回收率为９４％～１０３％。方法检出限达０．１３μｇ／Ｌ。     

甲状腺机能亢进症头发锌、硒、钒、锂、锗5种微量元素的动态变化

测定了２４例甲亢治疗前后及３０例健康对照的头发锌、硒、钒、锂及锗的含量，发现未治疗的甲亢头发锌、硒、钒、锂及锗含量较对照组低，Ｚｎ、Ｓｅ、Ｌｉ、Ｇｅ，Ｐ＜０．００１，Ｖ，Ｐ＜０．０１．甲亢经６～１２周抗甲亢药物治疗后．头发中５种元素均较治疗前上升（Ｐ＜０．００１），且头发钒和锂含量治疗后已达到对照组水平，Ｖ，Ｐ＞０．２，Ｌｉ，Ｐ＞０．１，而头发锌、晒及锗含量治疗后仍低于对照组（Ｐ＜０　．００１）．结论：甲亢头发锌、硒、钒、锂及锗含量降低．经６～１２周抗甲亢治疗可使头发钒及锂含量恢复正常水平，而其余３种元素则可能需要更长时间的抗甲亢治疗才能恢复至正常水平。     

超大硅胺基氯锗宾的反应性与立方四锗卡宾的成键解析

超大硅胺基取代的低价锗化合物可以构建新颖的化学结构, 提供有学术价值的新发现。二配位的超大硅胺基氯锗宾Ge(N(SiⁱPr₃)₂)Cl (1)具有空的 4p轨道和孤电子对。针对这 2个特点, 研究了化合物 1 的热构型转换和菲醌氧化加成反应。1的温热分解生成了立方四锗卡宾 Ge₄(NSiⁱPr₃)₄ (2), 与菲醌(L)定量氧化加成生成了胺基一氯菲二酚合锗(Ⅳ):[Ge(N(SiⁱPr₃)₂)(L) Cl] (3)。表征了 2个产物的单晶结构与组成。四锗卡宾 2本质上是锗异腈的四聚体, 分子呈现出畸变的立方体构型, 4个 Ge原子和 4个N原子构成了中心立方体的 8个顶点。其中 Ge-N键长为 0.203 6(3) nm, N-Ge-N与 Ge-N-Ge的键角分别为 85.51(18)°和94.32(16)°, 立方体的侧面接近平行四边形。理论计算首次揭示了四锗卡宾 2的成键面貌。自然键轨道(NBO)给出 Ge₄N₄骨架上的 20个分子轨道。轨道定域化的计算结果完好地呈现出 4对 Ge孤对电子、12个 Ge-N键和 4个 Si-N键的定域轨道, 能量分别为-12.22、-15.12 和-20.12 eV。Ge 孤对电子主要保留了 4s 电子的特性, 而 Ge-N 键主要由 N 的 2s 轨道(18.4 %)和 2p 轨道(71.3 %)、Ge的 4s轨道(0.75 %)和 4p轨道(9.43 %)综合贡献形成。在化合物 3的分子中, Ge^Ⅳ采取 sp³杂化, 由于空间位阻与非对称配位, 与另外 4个配位原子形成非对称四面体构型。     

吸附溶出催化伏安法测定痕量锗

利用吸附溶出伏安法、极谱催化法测定痕量锗已有报道。但将吸附溶出伏安法与极谱催化法结合进行测定,尚未见报道。我们选择适当的体系和配位体3,4-二羟基苯甲醛(DHB)及氧化剂钒(V),首先使Ge(Ⅳ)-DHB络合物在悬汞电极上于一定电位处吸附富集一定时间,然后电位向负的方向扫描。当达到Ge(Ⅳ)-DHB络合物的还原电位时,Ge(Ⅳ)还原     

红外焦平面技术的重要进展—单片式SiGe红外焦平面阵列的物理基础和关键技

由ＳｉＧｅ合金与Ｓｉ构成的应变层异质结构、量子阱是８０年代中期发展起来的一种新型半导体材料。本文着重讨论了单片式ＳｉＧｅ红外焦平面阵列的物理基础、高质量ＳｉＧｅ材料的制备以及低温ＳｉＧｅ器件研制中的几个关键技术。     

β—型过渡元素三取代钨锗杂多配合物的合成,表征和催化活性

报道Ａ－β－Ｍ＇ｘＨｙ－［ＧｅＷＯＭ３（Ｈ２Ｏ）３Ｏ３７］．ｎＨ２Ｏ（Ｍ＝Ｃｒ＾３＾＋，Ｃｏ＾２＾＋，Ｎｉ＾２＾＋，Ｃｕ＾２＾＋；Ｍ＇＝Ｂｕ４Ｎ＾＋，Ｋ＾＋）的立体有择合成法制备及红外和远红外光谱，紫外和可见光谱和循环伏安，磁化率和磁矩，ＸＰＳ，ＥＳＲ以及催化活性等研究结果。     

压力淬火过程中锗的相结构研究

 应用高压原位差热方法，直接测量了压力下锗的固化参数─—固化温度与过冷度。高压差热信号表明，当压力大于3 GPa时，锗在凝固过程中可能发生结构相变。X射线结构分析表明，在最终的样品中除GeⅠ相外，还形成GeⅢ相和GeⅣ相。     

仲辛醇萃取锗的研究

通过用苯基荧光酮光度法测定用仲辛醇萃取锗前后溶液中锗含量来研究仲辛醇在不同条件下对锗的萃取率,并初步确定萃取剂的浓度、溶液酸度、萃取剂用量、萃取时间及助萃取剂对萃取效果的影响,找出最佳操作条件.