铜质结晶器表面涂覆层的研究进展

结晶器是连铸设备的核心部件。铜质结晶器表面损坏严重劣化钢坯的质量,加大了企业生产成本,延长了生产周期。分析了铜质结晶器表面材料的应用、失效的形式和主要原因;论述了电镀、激光涂覆和热喷涂表面改性技术在铜质结晶器上的应用现状及存在的问题;介绍了铜质结晶器表面涂覆层的性质及类型;提出了研发安全可靠、长寿命和高性能铜质结晶器的主要途径。     

Fe、Al纳米粒子熔化过程结构转变的分子动力学研究

采用分子动力学方法结合嵌入原子势函数,应用势能、共近邻技术分析方法,研究了原子数为147、309和561的正二十面体(ICO),正十面体(Dh)和立方八面体(CO)的Fe、Al纳米粒子的熔化行为.结果表明,原子数为147、309、561的ICO结构的Fe、Al纳米粒子在熔化前保持原有结构;Dh与CO结构的Al纳米粒子在熔化前向ICO结构转变,ICO结构比Dh结构和CO结构更稳定.     

用柱后衍生荧光测定法检测食品中土霉素和四环素残留

应用高效液相色谱(HPLC)对动物性食品中土霉素(OTC)和四环素(TC)进行测定，样品经含乙二胺四乙酸二钠的丁二酸钠缓冲液除蛋白后，由SPE-C18小柱提纯净化，经ODS-C18柱分离后，用8％氧氯化锆溶液柱后衍生，与锆离子的螯合物在激发波长(Ex)：406nm和发射波长(Em)：515nm处检测。实验优化了锆试剂的浓度和柱后衍生的条件，提高了栓出的灵敏度，土霉素和四环素的回收率分别为89．59％和92．59％，变异系数(CV)分别为4．98％和6．74％。土霉素和四环素的最低栓出浓度(信噪比5：1)分别为3μg/L和5μg/L，线性范围为0．01～10μg/L，土霉素和四环素的相关系数分别为0．9999和1．0000。     

共晶体组织对Ag-CdO触头感应钎焊剪切强度的影响

介绍了感应钎焊氧化镉Ag CdO12 触头剪切强度试验结果 ,探讨了组织形态对Ag CdO12 触头感应钎焊强度的影响。结果表明 :当触头钎着率在 75 %以上时 ,触头的剪切强度随着钎缝共晶体组织的减少而增大     

纳米科技大显身手

粘合剂和密封胶 国外已将纳米材料棗纳米SiO2作为添加剂加入到粘合剂和密封胶中,使粘合剂的粘结效果和密封胶的密封性都大大提高。其作用机理是在纳米SiO2的表面包覆一层有机材料,使之具有亲水性,将它添加到密封胶中     

二氧化硅胶态晶体的合成

以正硅酸乙酯为原料，采用控制凝聚法制备出173nm和297nm两种不同粒径的单分散二氧化硅微球乳液，并在一定湿度和温度下，利用乳液的单分散性，在表面张力的驱使下完成微球的自组装，从而得到三维有序的二氧化硅胶态晶体。扫描电镜显示：晶体呈面心立方结构，晶体表面至现出鲜艳的颜色，其波长与微球的直径相对应。     

打造"天梯"上九霄

纳米技术到底会为我们带来什么呢?下面我们举一个例子也许会让你获得一些感性认识。     

双掺(Tm3+,Tb3+)LiYF4激光器1.5 μm波长激光阈值分析

由速率方程推出了双掺（Tm^3 ,Tb^3 ）离子准四能级系统的激光阈值解析式，讨论了Tm^3 和Tb^3 离子之间的相互作用。分析了1.5μm波长附近的激光阈值和Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数及晶体长度的关系。结果表明，对于对应Tm^3 离子^3H4→^3F4跃迁的约1.5μm波长的激光，激活离子Tm^3 的掺杂原子数分数过大时，交叉弛豫作用将使系统阈值迅速增加。Tb^3 离子的加入，一方面能抽空激光下能级，起到降低阈值的作用；另一方面亦减少了激光上能级的寿命，使阈值升高。故Tb^3 离子有最佳掺杂原子数分数。对于Tm原子数分数为y=0.01的Tm:LiYF4晶体，Tb^3 离子的最佳掺杂原子数分数为0.002左右，同时表明，激光阈值与晶体长度有关。最佳晶体长度与Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数以及晶体的衍射损耗和吸收损耗有关。     

电光全内反射调制

研究各种无侵袭电光采样技术,尤其是研究电信号在半导体中的传播技术是有意义的。通常是根据施加电场所引起的寻常光线和非常光线的指数变化来讨论电光效应,这种变化与外加电场成正比。调制电场和光场之间电光晶体中的相互作用产生光场的垂直分量。把电光晶体放在交叉偏振器之间,这种效应可以转换为一种强度调制。