铷原子频标鉴频信号信噪比相关问题分析

频率稳定度是铷原子频标最重要的性能指标. 铷频标频率稳定度主要由原子鉴频信号的信噪比决定. 本文分析了微波腔的结构、铷光谱灯的光谱纯度和同位素滤光方案对信噪比的影响,指出采用模式优越、微波填充因子大的微波腔,光谱纯度高的铷光谱灯,用分离滤光方法进行同位素滤光,可以提高铷原子鉴频信号的信噪比,从而使铷频标的稳定度指标得到进一步改善.      

碱金属硒化物MHgSbSe~3(M=K,Rb, Cs)的晶体结构及其半导体性 质的研究

用有机溶剂热生长技术(SolvothermalTechnique)制备碱金属硒化物MHgSbSe~3(M=K,Rb,Cs),用单晶X射线衍射技术对其进行晶体结构分析,热分析结果表明,在常温(<200℃)下均为稳定的化合物。光学性质测试表明它们是半导体材料,KHgSbSe~3,RbHgSbSe~3,CsHgSbSe~3的禁带宽度依次为1.85eV,1.75eV,1.65eV。     

Rb原子的激光囚禁

用饱和吸收光谱法对二极管激光器进行稳频,使激光器的有效线宽小于１ＭＨｚ,并利用声光调制器使激光的频移量得到控制,满足了激光冷却与因禁原子对激光频率生和频 量的 Ｒｂ原子的激光囚禁。     

在87Rb原子玻色-爱因斯坦凝聚体中 铷二聚物分子的形成

理论预言 ,处于玻色 -爱因斯坦凝聚 (ＢＥＣ)中的原子有可能结合形成双原子分子 .最近 ,来自美国德克萨斯大学的Ｗｙｎａｒ等已将上述预言变成现实 .他们通过相干双光子Ｒａｍａｎ过程 ,将处于ＢＥＣ的87Ｒｂ原子两两缔合 ,从而产生出铷二聚物分子———Ｒｂ2 .这些分子的平动动能几乎为零 ,并且同处于单一量子态 .在Ｗｙｎａｒ等的实验中 ,87Ｒｂ原子气首先被捕获在一个高真空光阱中 ,并接受激光冷却 ;然后 ,经预冷的原子气被转移到磁“ＴＯＰ”阱中 ,被实施射频感应的蒸发冷却 .通过以上步骤 ,实验者获得的87Ｒｂ原子ＢＥＣ具有低于 130ｎ…     

一种微波倍频方案在小型化铷钟的应用

为了进一步实现铷原子钟的小型化,介绍了一种小型化铷钟微波倍频电路的设计及初步实现情况. 该倍频电路利用数字锁相环将晶体振荡器输出的10 MHz参考信号直接倍频至6 834.68XX MHz,并对该信号进行2FSK调制. 受调制的微波信号经过功率调整后馈入物理系统微波腔中,激励铷原子基态超精细能级跃迁. 这种微波调频倍频电路方案具有体积小,调试简单的特点. 将该电路用于小型化铷钟,初步测试结果表明,其短期频率稳定度可以达到1.8×10^-11τ^-1/2的水平.     

冠醚配合物的研究 XI: 若干苯并-18-冠-6甲基衍生物液膜传输碱金属离子

本文研究了2,3-苯并-11-甲基-18-冠-6,2,3-苯并-8,15-二甲基-18-冠-6和2,3-苯并-8, 11, 15-三甲基-18-冠-6的氯仿液膜对Na^+, K^+, Rb^+的传输速率。结果指出,传输速率随膜相冠醚浓度增是加而增加, 两者成线性关系; 当冠醚的醚环上甲基数增加则传输速率减小; 对同一冠醚, 不同金属离子的传输速率与相应配合物稳定常数的大小顺序有一致关系; 冠醚传输金属离子时, 阴离子一起迁移, 阴离子水合能力越强则传输能力越小; 传输速率与搅拌速度成线性关系。     

铷原子初末通道碰撞跃迁过程

根据量子数亏损理论，具有相同角动量特征的无数个分立态和相应的连续态可以形成一个通道．通过定义重整化广义振子强度密度，将处理初态到末通道碰撞跃迁过程的方法进行了推广，统一地处理从初通道到末通道的无数个碰撞激发及电离过程．以铷原子为例，分别计算了ｓ_1/2—p_1/2及s_1/2—ｓ_1/2通道之间的碰撞跃迁过程     

短寿命核转轮传送装置

在中国原子能科学研究院的串列式静电加速器上建立了传送短寿命核的转轮装置，可用于鉴别和研究寿命短至几秒的核素。该装置已用于新的缺中子核素＾９０Ｒｕ的鉴别及其半衰期和衰变γ的测量。     

山西大学成功实现铷原子的玻色-爱因斯坦凝聚

山西大学量子光学与光量子器件国家重点实验室张靖教授研究小组于2007年7月7日成功实现了铷原子的玻色爱因斯坦凝聚（BEC）。实验结果显示，冷原子云在温度降低到约为500nK时开始发生相变，经过进一步蒸发冷却，最终得到了约为6×10^4个原子的纯净BEC。目前该小组正将铷原子和费米原子咏同时装入磁阱中，蒸发冷却铷原子来协同冷却钾原子，最终同时实现玻色气体玻色爱因斯坦凝聚和费米气体量子简并。     

金属Rb掺杂Alq_3的电子结构及其退火与氧化行为

利用同步辐射光电子能谱实验技术研究了活泼金属铷原子掺杂8-羟基喹啉铝(Rb-Alq3)薄膜的电子结构以及低温退火与氧化行为,结果表明铷和Alq3分子发生显著反应,电子从金属原子转移到Alq3的LUMO轨道,形成活泼金属/有机接触中典型的带隙态,结合能位于1.2 eV.在低温退火后,Rb-Alq3的价带往高结合能端整体位移0.1 eV,真空能级保持不变,带隙态仍然可辨;深度氧化后,带隙态消失,最高占据态(HOS)基本回到退火氧化处理前的位置,但真空能级抬高了近1 eV.Rb-Alq3氧化后的最小电离势增大了约1 eV,而纯净Alq3薄膜只增大0.05 eV左右.