退火处理对LaAlO3薄膜发光特性的影响

在室温下,采用射频磁控溅射法在p-Si(100)衬底上制备了铝酸镧(LaAlO3)薄膜,分别在800℃,900℃和950℃下进行退火处理。利用X射线衍射(XRD)仪、原子力显微镜(AFM)、荧光分光光度计等研究了不同温度退火处理对LaAlO3薄膜结构、表面形貌及光学性质的影响。研究结果表明,LaAlO3薄膜样品在900℃开始由非晶向晶体转变,说明高温退火有利于提高结晶质量。光致发光(PL)谱测量发现样品在368,470nm位置处分别出现发光峰,各峰的强度随退火温度的升高逐渐增强,但峰位基本保持不变。根据吸收光谱和缺陷能级图,推测出368nm紫外光峰来源于电子从氧空位形成的缺陷能级到价带顶能级的跃迁,470nm附近的蓝光峰归因于电子从负价AlLa错位缺陷能级到价带顶能级的跃迁。     

嵌段共聚物薄膜快速自组装方法

嵌段共聚物 (BCP) 薄膜可通过不同的退火方法诱导其微相分离,从而获得大面积圆柱状、层状和球状等纳米图案。这些长程有序的纳米结构形态,已经广泛应用在纳米光刻和电子器件等多个领域中。目前,有效且快速的退火方法仍然是BCP薄膜自组装技术中的研究热点。本文首先介绍了制备BCP薄膜纳米结构图案常用的退火技术,然后综述了三种新型快速退火技术,最后分析总结了这些退火技术的优缺点。     

聚乙烯单晶的退火效应

用混合晶红外光谱法和ＳＡＸＳ、ＤＳＣ和ＬＡＭ等方法研究了聚乙烯单晶在７５℃、９０℃和１０５℃退火前后的结构变化，发现在９０℃以下和１０５℃以上退火，遵循不同的退火机制     

用条带织构装饰技术研究液晶全芳共聚酯B-N的取向和非取向膜

用条带织构装饰技术研究液晶全芳共聚酯Ｂ—Ｎ的取向和非取向膜董炎明（厦门大学化学系,厦门,３６１００５）关键词共聚芳酯,条带织构,退火,取向膜,微纤全芳共聚酯Ｂ—Ｎ在分子量较高时能出现黑白相间的条带织构［１～５］,但分子量低时由于极易松驰,不能用普通剪...     

添加剂和溶剂退火协同优化制备高性能厚膜有机太阳能电池

通过溶剂添加剂1-氯萘(CN)和二硫化碳(CS₂)溶剂退火(SVA)协同优化了基于窄带隙小分子受体的厚膜活性层形貌,揭示了该策略对共混膜形貌的调控机理,研究了其对活性层中的载流子动力学以及器件光伏性能的影响.结果表明,CN添加剂可以有效促进受体材料结晶聚集,CS₂溶剂退火能够进一步提升活性层材料分子堆积的有序性,同时优化给受体材料相分离尺寸,降低共混膜表面的粗糙度,实现了良好的纳米尺寸相分离形貌.基于CN+SVA处理的PM6∶Y6厚膜(300 nm)器件的电荷传输和复合性质得到改善,取得了15.23%的光电转换效率(PCE),显著高于未经处理(PCE=11.75%)和仅用CN处理(PCE=13.48%)的光伏器件.该策略具有良好的适用性,将基于PTQ10∶m-BTP-PhC6器件的光伏性能从13.22%提升至16.92%.     

非晶聚对苯二甲酸乙二醇酯薄片在低温退火过程中的声发射现象

Acoustic emission during sub-Tg annealing fort amorphous polyethylene terephthalate (PET) sheet quenched from melt has been observed. The mechanical properties, texture and glass transition of annealed specimens have been studied. It is shown that some of PET chains change from non-equilibrium state to equilibrium state during sub-Tg annealing, which leads to stress concentration in specimen. When the level of internal stress approaches to the limit, the acoustic waves are emitted due to sudden releasing of stress and the micro-defects are for-med. This is one of the important reasons,the causes the loss of mechanical properties to an-nealed specimens.     

壳聚糖富集火焰原子吸收法测定水中痕量铜

采用壳聚糖修饰钨丝基质螺旋卷，直接浸入含有痕量铜的pH5．0的Brltton-Robinson缓冲溶液中，经电磁搅拌富集一定时间后，将其转移至空气／乙炔火焰燃烧器上，利用火焰原子吸收光谱法简便快速测定水中痕量铜。方法的线性范围为2—75μg／L；检出限为0．98μg／L。同一支钨丝螺旋卷重复涂敷壳聚糖富集Cu，RSD(n=6)为2．7％。     

EXAFS研究Ni-B和Ni-Ce-B超细非晶态合金的退火晶化

采用同步辐射EXAFS技术定量地研究化学还原法制备的Ni-B和Ni-Ce-B超细非晶态合金中Ni原子的局域环境结构随退火温度升高而产生的变化,结果表明,对于Ni-B和Ni-Ce-B超细非晶态合金初始样品：Ni-Ni最邻近配位壳层的平均键长RNi-Ni、配位数N、热无序σT、结构无序σs分别为0．275nm,11.9.0.0069nm,0.034nm;0.276nm,12.4,0.0067nm,0.035nm,Ni-B最邻近配位壳层的RNi-B,N, σT,σs分别为0．215nm,2.7,0.0055nm,0.0048nm;0.214nm,2.0,0.0058nm,0.0042nm,Ni-Ni配位的σs很大,是其σT的4－5倍,比Ni－B配位的σs大近一个数量级,在300℃退火后,Ni－B样品开始发生晶化生成晶态Ni3B,其RNi-Ni和σs分别为0．254nm和0．011nm,σs降低近2倍;而．3％原子比的Ce掺入后使Ni-Ce-B超细非晶态合金的晶化温度升高100℃左右。在500℃退火后,Ni－B样品的结构参数与Ni箔的相近,但Ni-Ce-B样品中的Ni-Ni配位的σs仍为0．0073nm,Ni-B配位的N为1．2,表明稀土元素Ce（以CeO2)显著增强了Ni与B的相互作用,且同时使退火晶化成的Ni晶结构产生畸变。     

尼龙1010骤冷退火样品的晶体结构

尼龙1010的晶体结构属三斜晶系.作者最近导出了X射线衍射法(WAXD)测定尼龙1010结晶度的公式,进而考查了等温结晶时结晶温度T_C对结晶度X_C、晶粒尺寸L_(100)和氢键面相对衍射强度R的影响.发现X_C和L_(100)均随T_C升高而增大,达196℃后又减小;而R与T_C的关系则相反,呈线性降低.结晶速率快有利于分子链在垂直于氢键面的(100)晶面生长,但R值却降低了.本文利用WAXD考查了尼龙1010不同骤冷退火条件样品的晶体结构.     

电子束蒸发制备ZnO薄膜及其晶体结构和电学性质

采用电子束蒸发法制备了ZnO薄膜。研究了退火温度及衬底对薄膜的结晶状况以及电学性质的影响．X射线衍射测试结果表明。相同蒸发条件下制备的ZnO薄膜，硅(100)衬底上薄膜晶粒尺寸为73nm。结晶情况明显好于陶瓷和玻璃衬底上的薄膜．退火之后，各种衬底上薄膜的结晶情况相对未退火时都有明显好转；400℃退火时。薄膜逐渐结晶；600℃退火时，ZnO薄膜体现良好的择优生长的趋势，晶粒长大，晶化程度提高，大部分晶粒发生了织构．在400℃退火后。掺入Al2O3的薄膜和未掺杂的ZnO薄膜的电阻率下降了一个多数量级，但掺入MgO的薄膜电阻率变大。这是由于MgO掺杂起到了补偿作用，掺入MgO有可能实现ZnO薄膜的P型掺杂．