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141.
自动化流动注射停流动力学分析仪的研制及其性能测试 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研制了一套自动化流动注射停流动力学分析仪,该仪器由苹果Ⅱ型微机通过12位AD/DA卡,流动注射停流控制仪及用BASIC语言编制的软件控制泵的起动和停止,试样的输送和混合,数据采集和处理,结果显示和打印,通过以铁(Ⅲ)与硫氰酸盐的反应体系采用固定时间法和以钒(V)的胶束催化反庆体系采用安始速法的现场测试证明,该仪器具有结构简单,操作方便,恒温性能好,通用性强等特点。 相似文献
142.
采用固相反应法合成A缺位的(La0.8Sr0.2)0.95MnO3(LSM95)作为阴极材料,Zr0.9Sc0.1SO1.95(SSZ)商业粉体作为电解质材料,溶胶-凝胶法合成的La0.8Sr0.2Cr0.5Mn0.5O3-(LSCrM)作为阳极电催化材料,利用流延、共烧结及浸渍法得到结构为LSCrM-CeO2|SSZ|3YSZ-LSM95的阴极支撑型固体氧化物燃料电池,分别在氢气气氛和甲烷气氛中进行电化学性能测试. 结果表明,浸渍0.11 g·cm -2 CeO2的LSCrM-CeO2|SSZ|3YSZ-LSM95单电池在以CH4为燃料时,600、650、700、750和800 oC下的功率密度分别为1.68、4.70、12.40、28.08和54.78 mW·cm -2,表现出一定的电化学性能和较好的稳定性. 相似文献
143.
本文研究了在酸性CdSO_4+HTeO_2~+6HgCl_2 电解液中多晶富镉Hg_(1-x),Cd_(?),Te(x>0.5)的电沉积过程,实现了三种离子在同一电位下共沉积的技术。对在钛基底上沉积出的薄膜进行XRD,SEM和EDAX分析,结果表明薄膜为闪锌矿型的多晶结构,分布均匀连续。考察了(1—x)=0.09时多晶薄膜在多硫氧化还原电对液中的光电化学行为,光强为100mW/cm~2时,短路光电流I_(sc)=1.88mA/cm~2,开路光电压V_(oc)=0.25V,填充因子F·F=0.22。由光电化学光谱所确定出的禁带宽度E_g=1.26eV,Mott-schottky曲线给出了电极的平带电位φfb为—1.26V(vs.SCE),从而得到开路光电压V_(oc)可能达到的最大值为0.49V。因此,多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜是一种很有潜力的光活性电极材料。 相似文献
144.
利用磁场诱导的微粒运动即磁泳对磁响应性粒子进行精细分离,是近年来发展起来的选择性分离细胞和高分子量核酸的有效技术。本文在阐明磁泳分离原理的基础上,介绍了磁泳分离的分流薄层分级技术、四极磁场流动分离技术和微芯片上的自由流磁泳分离技术的装置构造、工作原理及其在生物分离分析中的应用。 相似文献
145.
CdSe纳米线阵列的制备及其表征(英) 总被引:1,自引:0,他引:1
通过在含有SeSO32-和Cd2+的室温水溶液中,用模板-电沉积法在纳米孔阵列阳极氧化铝膜(AAM)模板中制备了高有序性的CdSe纳米线阵列,并对其形貌、结构和组分进行了表征。扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)结果表明,纳米线阵列中的CdSe纳米线具有相同的长度和直径,分别对应于使用的AAM模板的厚度和孔径;X-射线衍射(XRD)和X-射线能谱(EDAX)结果表明,CdSe纳米线中Cd和Se的化学组成非常接近于1∶1,其结构为立方CdSe。另外,对模板-电沉积法制备CdSe纳米线的机理进行了讨论。 相似文献
146.
147.
148.
在所有电极过程中研究最多的是析氢反应,其重要性一直为化学界所关注。提高电极活性的各种方法中,普遍采用电沉积法,它价廉简便、效果明显。但涂层不够牢固,在使用过程中易脱落,使用寿命短。为了克服上述缺点,作者将电沉积和离子注入技术联合使用,即在Ni、W镀层上注入Mo离子,利用Mo离子的能量将Ni、W打入表面内层,进行离子束混合。这既 相似文献
149.
采用电沉积-热解法在3Cr25Ni7N合金表面制备了Y2O3薄膜,并研究了薄膜处理对合金在1000℃空气中的抗高温氧化性能的影响。氧化动力学曲线、SEM及XRD分析结果表明,Y2O3薄膜处理使合金表面氧化膜以尖晶石结构为主,氧化膜致密,有效地抑制了Cr2O3的挥发反应,且氧化膜与基体的附着性好,因此合金在高温下的抗氧化性能得到提高,这与氧化钇薄膜在较低温度下抗高温氧化性能提高的机制是不同的。在不同温度下,Y2O3薄膜处理均可以有效提高合金的抗高温氧化性能。 相似文献
150.
铜在HOPG上电沉积过程的现场ECSTM研究 总被引:3,自引:1,他引:3
用自制的电化学扫描隧道显微镜(ECSTM)现场研究Cu在HOPG上的电沉积过程.结果表明Cu在HOPG上的电沉积为三维成核的过程.当电位较低或Cu2+离子浓度较低时,铜在本体金属生长主要沿着台阶方向.过电位较高时,铜的成核数目增加,沉积层的晶粒有所细化.同时,非现场ECSTM比较研究表明,STM针尖对针尖局部区域的电沉积起屏蔽作用,针尖所在区域Cu的沉积速度比其它区域明显减小 相似文献