化合物半导体-绝缘体界面的界面态(续)

 三、界面态连续体的动态响应和分布多年来的大量研究结果表明把界面态处理为局域在半导体界面平面处的经典理论完全不能够解释化合物半导体-绝缘体界面的行为特点,从而使人们逐渐认识到界面态的空间分布特征.图3为半导体界面的能带结构示意图.在实际的I-S界面上,界面态是在绝缘体-半导体界面附近,在能量上和空间上的连续分布体(如图中点所示). 这里以n型半导体为例,通过绝缘体中的界面态对电子的捕获和发射过程说明界面态动态响应的特点.由于势垒△Ec的存在,空间分布的界面态与电子的作用只能依介量子力学的隧道效应得以进行.     

表面粗糙度测量的磁光位相调制和锁相干涉

提出了一种表面粗糙度测量的新方法，该方法采用了微分偏振干涉的原理，利用由法拉第磁光调制器所组成的调制系统对偏振干涉光路的位相进行调制，利用锁相干涉原理对位相进行探测，该方法可实现无参考面快速非接触测量，在普通实验条件下，也可保持良好的稳定恶性循环 ，实验装置即可给出表面的轮廓又可给出其它统计数据，其横向分辨率为１．２μｍ纵向为２ｎｍ。     

核内核子-核子弹性散射截面

通过对标量、矢量介子场引入动量-密度相关的耦合常数,能够同时重现核物质饱和态性质、能量依赖的相对论光学势以及核内核子平均自由程的实验结果.并用这套耦合常数计算了核内核子-核子弹性散射截面,结果表明,在某些能量区域密度依赖很明显而必须加以考虑.     

两样本对称统计量的Berry-Esseen定理

在适当的矩条件下。证明了两样本对称统计量的Berry—ESseen定理．作为该定理的推论。还得到了广义U-统计量正态逼近的速度．     

单线态氧(~1O_2)与咪唑1,4-环加成反应的理论研究

本文用量子化学从头计算方法对单线态氧(~O_2)与咪唑环加成反应的机理进行了理论研究.用能量梯度法优化获得了实验上尚未检测到的侧式桥环过氧化物(endoperoxde)的结构,并在势能面上确定了单线态氧与咪唑1,4-环加成反应的过渡态.通过对过渡态的结构特征,虚振动方向,电荷分布情况以及轨道相互作用的分析,说明这个反应的机理是同步和协同的;正反应的活化势垒为69.5kJ·mol~(-1),逆反应的活化势垒为140.4kJ·mol~(-1)(6-31G的结果).     

磁场对氩原子ArI5p[3/2]2能态碰撞消激发与碰撞消取向的影响

在空心阴极放电激光诱导荧光实验中，当加强外磁场于观察方向，采用“魔角”激发，对氩原子ArI5p［3/2］₂能态，外磁场强度越强，则碰撞消激发速率越快，而碰撞消取向速率反而越慢，其总的效果是导致弛豫曲线的衰减速率随磁场强度增强而变缓．ArI5p［3/2］₂的自然能级寿命在不加外磁场情况下为120±5ns． 关键词：     

双轴晶体Nd^3＋：KGd（WO4）2的非偏振吸收光谱研究

报道了用三个方向相互垂直的非偏振吸收光谱测量计算Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ参数从而算出双轴晶体Ｎｄ３＋ＫＧｄ（ＷＯ４）２的荧光寿命、荧光分支比和发射截面的方法。得到的荧光寿命为１１９μｓ，平均发射截面为２．３×１０－１９ｃｍ２。     

随机删失半参数回归模型中估计的渐近性质

设Y是表示生存时间并遵从下面半参数模型Y=Xβ+g(T)+ε的随机变量,(X,T)是取值于R×[0,1]上的随机变量,β是未知参数,g(·)是[0,1]上的未知回归函数,ε是随机误差。当Y因受某种随机干扰而被随机右删失时,就删失分布未知的情形分别定义了β与g(·)的估计^{^}β_n与^{^}g_n(·),在一定条件下证明了^{^}β_n的渐近正态性,并得到了^{^}g_n(·)的最优收敛速度。     

E*-酉范畴逆半群的结构

本文通过定义本原逆半群在集合上的部分作用及其整体化,给出了E*-酉范畴逆半群的结构．     

Controlled Bidirectional Quantum Direct Communication by Using a GHZ State

A controlled bidirectional quantum secret direct communication scheme is proposed by using a Greenberger- Horne-Zeilinger （GHZ） state. In the scheme, two users can exchange their secret messages simultaneously with a set of devices under the control of a third party. The security of the scheme is analysed and confirmed.